电致发光器件

摘要： 采用水热法制备了Er^(3+)掺杂的ZnO纳米棒阵列,通过场发射扫描电镜、X单晶衍射谱仪、透射电镜、微区显微光谱仪等对其形貌结构和发光性能进行了表征。结果表明,掺杂前后ZnO纳米棒的形貌及晶型结构未发生改变,Er^(3+)被均匀地掺杂至ZnO纳米棒中,并未发现形成Er_(2)O_(3);掺杂Er^(3+)后样品的光致发光光谱显示400 nm左右蓝光部分占比先提高后减少,其可见光占比减少归因于Er^(3+)填补了一部分锌空位缺陷,同时抑制了一部分氧空位缺陷。结合荧光寿命光谱分析也可发现其辐射发光部分寿命延长,表明荧光辐射效率提高。最终选取掺杂浓度为30%的单根ZnO纳米棒制备ZnO/GaN异质结发光二极管,与未掺杂Er^(3+)的样品相比,其电致发光强度提高了5倍。本研究可为ZnO基电致发光器件的性能改善提供一种简便可行的方法。

摘要： 采用水热法制备了Er3+掺杂的ZnO纳米棒阵列,通过场发射扫描电镜、X单晶衍射谱仪、透射电镜、微区显微光谱仪等对其形貌结构和发光性能进行了表征.结果表明,掺杂前后ZnO纳米棒的形貌及晶型结构未发生改变,Er3+被均匀地掺杂至ZnO纳米棒中,并未发现形成Er2 O3;掺杂Er3+后样品的光致发光光谱显示400 nm左右蓝光部分占比先提高后减少,其可见光占比减少归因于Er3+填补了一部分锌空位缺陷,同时抑制了一部分氧空位缺陷.结合荧光寿命光谱分析也可发现其辐射发光部分寿命延长,表明荧光辐射效率提高.最终选取掺杂浓度为30％的单根ZnO纳米棒制备ZnO/GaN异质结发光二极管,与未掺杂Er3+的样品相比,其电致发光强度提高了5倍.本研究可为ZnO基电致发光器件的性能改善提供一种简便可行的方法.

摘要： 采用核壳结构的绿光CdSSe/ZnS量子点成功制备了顶发射绿光量子点器件,并详细研究了它的光电特性.与具有相同结构的底发射器件相比,顶发射器件在亮度、效率、色纯度、光谱的电压稳定性上都得到了显著提高.在相同电压7V下,尽管底发射具有更大的电流密度,但亮度仅为831 cd/m2,而顶发射器件的亮度则可达到1 350 cd/m2,并且顶发射器件的最高亮度可达到7 112 cd/m2.在效率上,顶发射器件的最大电流效率可达6.54 cd/A,远大于底发射器件的1.89 cd/A.在光谱方面,在底发射器件中出现的红蓝部分的杂光在顶发射器件中完全被抑制,而且顶发射光谱的半高宽显著窄化,具有更高的色纯度.当电压从4V变化到9V时,顶发射器件光谱始终保持稳定,色坐标移动仅为(-0.005,-0.001).结果表明,顶发射结构有利于提高量子点器件的亮度、效率、色纯度以及光谱的电压稳定性.%Green top emitting OLEDs were fabricated by using green CdSSe/ZnS quantum dots with core-shell structure.The photoelectric properties of the devices were studied in detail.Compared to the bottom emitting device with the similar structure,the top emitting device was significantly improved in brightness,efficiency,color purity,and voltage stability of the spectrum.Under the same voltage of 7 V,although the bottom emitting device has greater current density,the brightness is only 831 cd/m2,while the brightness of the top emitting device can reach 1 350 cd/m2,and the highest brightness can reach 7 112 cd/m2.In efficiency,the maximum current efficiency of the top emitting device can reach 6.54 cd/A,which is far greater than 1.89 cd/A of the bottom emitting device.In terms of spectrum,the red and blue parts of the bottom emitting devices are completely suppressed in the top emitting devices,and the half height width of the top emission spectrum is significantly narrowed with higher color purity.When the voltage varies from 4 V to 9 V,the spectrum of the top emitting device remains stable,and the color coordinates move only (-0.005,-0.001).The results show that the top emission structure is beneficial to improve the luminance,efficiency,color purity and voltage stability of the quantum dots.

摘要： 本文探讨了在有机电致发光器件（OLED）的空穴传输层材料NPB中掺杂无机材料Se后对器件特性的影响。实验显示当NPB与Se的掺杂比例为3：2时,器件的电学性能最好。同时与空穴传输层NPB未掺杂的器件对比,掺杂Se后的电致发光器件在同一电压下的电流更大,通过软件拟合算出在掺杂Se后零电场下器件载流子的迁移率由2.03×10-7cm2/V·s提高到8.31×10-6cm2/V·s,增大了40倍。在外加电压3V时,器件载流子迁移率由2.77×10-5cm2/V·s提高到1.99×10-4cm2/V·s,因此Se的掺杂能够提高OLED载流子的迁移率。然而在器件亮度方面,在掺杂Se后,发现在同一电压下器件的发光亮度明显降低,经测试发现这是因为Se的颜色较深导致掺杂层颜色较深,导致发射层发射出的光子有部分由掺杂层吸收,因而器件发射出来的光子减少。

摘要： The merits of transparent conductive thin films (TCF) based on nanowires include excellent optoelectrical properties, low-cost manufacturing, and applicability for flexible device fabrication.The preparation, patterning and application in optoelectronic devices are introduced for nanowire transparent conductive thin films (NTCF) in this paper, including seven preparation me-thods-drop coating, dip coating, vacuum filtration, Meyer rod coating, spin coating, spray coating and printing, and two applied fields-solar cells and light emitting diodes.In varieties of NTCFs, preparation techniques of silver NTCF and copper NTCF have gained continuous perfection in recent years, so they provoke wide concern and are expected to have a breakthrough in industrial application.%基于纳米线的透明导电薄膜具有光电性能优异、制备成本低廉以及可用于制备柔性器件等优点,在透明导电薄膜材料领域占据重要地位.文章着眼于阐述纳米线透明导电薄膜的制备及其在光电器件中的应用.首先详细介绍了滴涂、浸渍、抽滤、迈耶棒涂布、旋涂、喷印、印刷等7种制备纳米线透明导电薄膜的方法.光电器件是应用透明导电薄膜的重要领域,文章还介绍了纳米线透明导电薄膜在太阳能电池和电致发光器件中的应用.纳米线透明导电薄膜中,银纳米线和铜纳米线透明导电薄膜最受关注,其制备工艺日趋完善,有望率先在工业应用中取得突破.

摘要： 华南理工大学发光材料与器件国家重点实验室彭俊彪教授研究团队联合广州新视界光电科技有限公司研究开发了发光量子点墨水研制方法和电致发光显示屏结构设计，解决了溶液加工型多层电致发光器件结构设计、界面互溶等科学问题，突破了新材料体系的氧化物TFT基板制备技术、表面特性调控技术、溶液法制备量子点薄膜技术、薄膜封装技术等。

摘要： 采用旋涂法对PEDOT:PSS薄膜进行了酸处理,研究了不同方法处理PEDOT:PSS薄膜对器件ITO/酸处理PEDOT:PSS/NPB/Alq3/LiF/Al性能的影响.实验结果表明:用盐酸(草酸)处理PEDOT:PSS薄膜时,以0.75 mol/L的盐酸(草酸)在120°C下退火15 min时性能更好,最大电流效率达到4.28 cd/A.并且盐酸、草酸处理PEDOT:PSS薄膜制备器件比未处理PEDOT:PSS薄膜制备器件的电流效率明显提高了34％.

摘要： A kind of self-host blue-green phosphorescent Ir ( Ⅲ) complexes [( CzPhBI) 2 Ir ( tfmptz), (CzPhBI) 2 Ir(tfmpptz) and (CzPhBI) 2 Ir( fpptz)] was designed and synthesized. CzPhBI, tfmptz, tfmpptz and fpptz were 9-[6-(2-phenyl-1-benzimidazolyl) hexyl]-9-carbazole, 2-(5-trifluoromethyl-1,2,4-triazolyl) pyridine, 2-[ 5-( 4-trifluoromethyl) phenyl-1, 2, 4-triazolyl] pyridine and 2-[ 5-( 4-fluoro) phenyl-1, 2, 4-triazolyl]pyridine, respectively. The structures were confirmed by nuclear magnetic resonance( 1 H NMR and 19 F NMR) and elemental analysis. Photophysical properties were investigated. Electroluminescent performance of Ir(Ⅲ) complexes were characterized by fabricating the non-doped devices with the configura-tion of indium tin oxid(ITO)|N,N'-bis-(1-naphthalenyl)-N,N'-bis-phenyl-(1,1'-biphenyl)-4,4'-diamine (NPB)(30 nm)|4,4'-Bis(9-carbazolyl)-1,1'-biphenyl(CBP)(15 nm)|Ir complexes(30 nm)|1,3,5-tris (1-phenyl-1H-benzo[d]imidazol-2-yl)benzene(TBPI) (30 nm)|LiF(1 nm)|Al(100 nm). The maximum luminance of ( CzPhBI) 2 Ir ( tfmpptz) complexes was 6913 cd / m2 and the maximum luminous efficiency achieved 13. 9 cd / A.%合成了一类自主体蓝绿色磷光铱(Ⅲ)配合物( CzPhBI)2 Ir ( tfmptz),( CzPhBI)2 Ir ( tfmpptz)和(CzPhBI)2 Ir(fpptz)[其中 CzPhBI, tfmptz, tfmpptz 和 fpptz 分别为9-[6-(2-苯基-1-苯并咪唑基)己基]-9-咔唑、2-(5-三氟甲基-1,2,4-三唑基)吡啶、2-(5-[4-(三氟甲基)苯基]-1,2,3-三唑)吡啶和2-[5-(4-氟苯基)-1,2,3-三唑]吡啶].通过核磁共振氢谱和氟谱及元素分析确定其分子结构,并对其光物理性能进行了研究.利用该类配合物作为单发光层制备了器件结构为氧化铟锡(ITO)|N,N＇-二苯基-N,N＇-二(1-萘基)-1,1＇-联苯-4,4＇-二胺(NPB)(30 nm)|4,4＇-N,N＇-二咔唑基联苯(CBP)(15 nm)|Ir 配合物(30 nm)|1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TBPI)(30 nm)|LiF(1 nm)|Al(100 nm)的电致发光器件,其最大亮度为6913 cd/ m2,最大发光效率达13.9 cd/ A.

摘要： 设计合成了含噻吩基的新型配体(E)-2-[2-(3-噻吩基)乙烯基]-8-羟基喹啉(4)及相应的锌配合物5,产物结构经核磁共振、红外光谱和元素分析进行表征.利用X射线单晶衍射仪测定了中间体(E)-2-[2-(3-噻吩基)乙烯基]-8-乙酰氧基喹啉(3)和配体4的单晶结构,结果表明中间体3晶体分子间并无明显的氢键作用,分子间呈交错堆叠；配体4分子之间由硫氢氧键弱作用相互排列形成网状结构.通过核磁滴定及紫外和荧光滴定模拟了配体4在溶液中与金属锌的配位过程.固体荧光寿命研究结果表明,配合物5的荧光寿命为18.8 ms.通过电致发光器件研究发现,配合物5作为发光层具有良好的电致发光性能,同时具有较好的电子传输能力.%8-Hydroxyquinoline has long been employed as analytical and separating agents due to its universal chelating ability offered by the heterocyclic N and phenolate O atoms and fiuorescent property possessed by the conjugate system. In order to increase its fluorescence capability and conjugate system, 3-thiophene has been added. A novel 8-hydroxyquinoline derivative ligand containing thiophene group ( E )-2-[ 2-( 3-thiophenyl ) ethenyl]-8-hydroxyquinoline(4) and its corresponding zinc complex(5) were synthesized and identified via 1 H NMR, FTIR, UV-Vis, X-ray structural analysis and elemental analyses. The crystal structures of interme-diate (E)-2-[2-(3-thiophenyl) ethenyl]-8-acetoxyquinoline(3) and ligand 4 were characterized by single-crystal X-ray diffraction. X-Ray structural analysis showed that there was no obvious hydrogen-bonding interac-tion between the molecules of compound 3 . The crystal reticular structure of compound 4 was constructed as a result of intermolecular O-H…S hydrogen bonds. The aggregation behaviors of zinc salts and compound 4 in solutions were investigated with a variety of techniques, including 1 H NMR, UV-Vis and fluorescence. The fluorescence lifetime of complex 5 was determined in the solid state and its τ value is 18.8 ms. Organic light-emitting diodes built using complex 5 emitted yellow light, in which the 1,3,5-tris(1-phenyl-1H-benzimidazol-2-yl)benzene(TPBi) acts as the electronic transmission layer, while N,N’-bis-(1-naphthalenyl)-N,N’-bis-phenyl-(1,1’-biphenyl)-4,4’-diamine(NPB) acts as hole transport material.

摘要： 硅基发光器件在半导体光电集成和光通信等领域具有广泛的应用前景。近年来，Er3+掺杂的MOS结构发光器件(MOSLED)因其较高的发光效率而受到广泛关注。Er掺杂的纳米硅氧化物中，受激发的硅纳米可以有效地将能量传递给Er3+离子，从而增强Er3+离子的1.5μm红外光致发光。在不同的薄膜材料中，虽然P、B掺杂可以显著影响纳米硅微晶的光致发光特性，但是其对Er3+离子电致发光的影响却未见报道。本文通过研究Er，Si，B共掺杂的MOS电致发光器件的发光光谱，分析了离子注入剂量对薄膜中的缺陷和微晶的形成以及载流子传导特性的影响，研究了缺陷以及纳米硅微晶对Er3+离子电致发光的影响。

摘要： 本文以多磷酸钠为分散剂，采用水相共沉淀法制备了Mn离子掺杂的zns量子点，通过X射线衍射(XRD)谱、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)图像、紫外一可见吸收光谱和光致发光(PL)谱等，表征了ZnS:Mn2+量子点的结构、形貌和发光性能;通过对比在空气中干燥前后样品的光致发光光谱，进一步证明了441 nm的峰是属于与硫空位相关的发射。同时，将处理后的样品分散到氯仿中，制各了单层的电致发光器件，在12V直流电压的驱动下，Mn2+相关的特征发射位置为597nm，与光致发光谱相比红移了5nm，可能是电流热效应的结果。

摘要： 研究了在有机电致发光器件(OLED)中引入光栅微结构提高OLED光取出效率。利用激光全息技术结合激光烧蚀在PVK薄膜上直接烧蚀出不同周期的光栅图形，通过调控光栅的周期和高度等结构参数，OLED的发光强度和效率获得显著提高。当光栅周期在500nm的时候，效率提高达到153％。

摘要： 系统研究了四氧化三铁(Fe3O4)作为p型掺杂剂，在有机电致发光器件(OLED)中的作用。将Fe3O4掺入空穴注入材料m-MTDTA，在优化的掺杂浓度下，器件的性能得到显著提高。器件的开启电压下降到2.4伏，在8伏下的亮度达到29360cd/m2，而非掺杂的对比器件，其开启电压和8伏下的亮度分别为3伏和6005 cd/m2。由于驱动电压降低，器件的功率效率也得到了明显提高。

摘要： 硅基半导体是现代微电子产业的基石,但由于体硅材料是间接带隙半导体,因此发光效率极低.通过构筑硅基异质结结构,将具有优良发光性能的材料和硅材料结合起来制备出高效率的电致发光器件是当前解决硅基发光难题的途径之一.本文中选用P型硅作为衬底，在平板p-Si和p-SiNWs上旋涂无机钙钛矿(CsPbBr3)量子点，构筑了全无机Si/CsPbBr3 QDs和SiNWs/CsPbBr3 QDs异质结的电致发光器件并研究了相关的器件性能。图1为无机Si/CsPbBr3 QDs异质结电致发光图谱，器件的开启电压为2.7V。在517nm处有较窄的发射峰，随着注入电流的增加，发射强度增强。为了提高器件的性能，通过湿法刻蚀制备Si纳米线，所制备的纳米线阵列结构具有较好的减反特性，将其应用到硅基钙钛矿量子点异质结电致发光器件上，期待能够改善器件的光提取效率，进而增强器件的电致发光性能。

摘要： 报道了具有单模共振发射的高效蓝光顶发射有机电致发光器件(OLED)。用[TBADN：DSA-Ph]/[Alq3：DSA-Ph]双发光层取代单一发光层[TBADN：DSA-Ph]后，器件的发光效率提高了50％，而电致发光光谱、CIE色坐标等参数基本保持不变。具有双发光层的蓝光项发射OLED性能的改善主要归功于在发光层[Alq3：DSA-Pb]中Alq3到DSA-Ph的能量转移以及DSA-Ph直接俘获载流子。

摘要： 利用光学仿真软件TracePro对结构为“基板/ITO/有机发光层/金属阴极”的FOLED的出光情况作了模拟，得到了器件在平整和弯曲时在两种情况下的照度图和发光强度分布图。研究发现：在弯曲时，器件出射光的光通量、照度、发光效率都要比平整时大；同时发现器件在平整和弯曲两种情况下，出射光的发光强度随角度分布情况也不一样。对这些变化从理论上作了解释。

摘要： 聚对苯撑乙烯(PPV)是最早发现的聚合物电致发光材料,其优良的光电性能受到人们广泛关注。碳纳米管是一种性能优异的纳米材料,许多研究将碳纳米管引入PPV聚合物中,希望得到性能优异的复合材料。本文在超声波场下进行MO-PPV/MWNTs复合材料的合成。制备了不同含量碳纳米管的复合材料,对其结构性能进行了表征。利用复合材料制备出厚膜器件,对器件性能进行了进一步研究.结果表明,随着复合材料中碳纳米管的加入,材料的载流子迁移率的到了提高,利于厚膜器件的制备。

摘要： 本文主要介绍了一种通过有机材料和无机介质层进行复合，用来提高电致发光显示器中介质层绝缘性能的方法，通过这种复合方法提高了器件中介质层的耐压可靠性，减少甚至消除了器件在工作时出现的漏电、打火、击穿等现象。

摘要： 通过N&K多功能薄膜分析仪对OLED的结构进行分析，对比了进行不同时间室温老化实验的样品反射率波谱。对反射率进行计算拟合，得到OLED的多层膜结构信息。对相同室温老化实验条件下的完好器件和失效器件的结构进行了对比，发现对于结构为ITO/NPB/Alq3/LiF/Al的器件，主要是Alq3和LiF层发生变化引起器件失效。由此也证明N&K多功能薄膜分析仪是有效的OLED失效分析手段。

摘要： 本发明公开了一种由特定结构的不对称蒽衍生物组成的有机电致发光(EL)器件用材料。本发明还公开了有机EL器件用材料和有机EL器件，其中阴极和阳极之间夹有包括至少一层发光层的由单层或多层组成的有机薄膜层。至少一层有机薄膜层包含单一组分或混合组分形式的有机EL器件用材料。因此，所述有机EL器件效率高且 使用寿命长。本发明还公开了制备这种有机EL器件的有机EL器件用发光材料和有机EL器件用材料。

摘要： 本发明公开了一种由特定结构的不对称蒽衍生物组成的有机电致发光(EL)器件用材料。本发明还公开了有机EL器件用材料和有机EL器件，其中阴极和阳极之间夹有包括至少一层发光层的由单层或多层组成的有机薄膜层。至少一层有机薄膜层包含单一组分或混合组分形式的有机EL器件用材料。因此，所述有机EL器件效率高且使用寿命长。本发明还公开了制备这种有机EL器件的有机EL器件用发光材料和有机EL器件用材料。

摘要： 提供了电致发光器件和包括该电致发光器件的电致发光显示装置。该电致发光器件包括：彼此面对的阳极和阴极；光补偿层，该光补偿层位于所述阳极和所述阴极之间并且具有第一折射率，以及发光材料层，该发光材料层位于所述光补偿层和所述阴极之间，并且具有比所述第一折射率高的第二折射率。

摘要： 一种蓝色有机电致发光器件用发光层含有蓝光主体材料和蓝光掺杂剂，其中，该发光层还含有绿光掺杂剂。本发明还提供包括该发光层的蓝色有机电致发光器件。本发明提供的发光层除了含有蓝光主体材料和蓝光掺杂剂以外，还含有绿光掺杂剂，蓝光掺杂剂和绿光掺杂剂相互配合，与只含有蓝光掺杂剂相比，可以显著提高由该发光层制得的蓝色有机电致发光器件的发光效率和使用寿命。

摘要： 本发明涉及一种有机电致发光化合物、其制备方法以及包含该有机电致发光化合物的有机电致发光器件，该化合物的结构式如下所示：

摘要： 本发明涉及一种非对称结构的有机电致发光器件用芳胺衍生物、其制备方法、含该芳胺衍生物的有机电致发光器件用薄膜材料以及利用该薄膜材料的有机电致发光器件，所述有机电致发光器件用芳胺衍生物为通过在作为中心结构的芳基化合物的Ar上依次引入仲胺及叔胺，使得分子结构中不具有对称轴及对称面。根据本发明，在作为中心结构的芳基化合物的Ar上引入不同的取代基的非对称结构的芳基衍生物，可用于有机电致发光器件的有机薄膜形成，并用作发光层材料，特别是掺杂材料，在制造有机电致发光器件时，能够获得蓝色波长范围内的优异的发光效率以及良好的寿命特性。

摘要： 提供了电致发光器件和包括该电致发光器件的电致发光显示装置。该电致发光器件包括：彼此面对的阳极和阴极；光补偿层，该光补偿层位于所述阳极和所述阴极之间并且具有第一折射率，以及发光材料层，该发光材料层位于所述光补偿层和所述阴极之间，并且具有比所述第一折射率高的第二折射率。

摘要： 本发明公开了应用于电致发光器件的高离散纳米晶发光层及基于其的电致发光器件，该发光层是以共轭有机小分子作为主体材料、以纳米晶发光体作为客体材料构成的主客体复合发光层；其中：共轭有机小分子为P型半导体，在发光层中二维取向结晶生长；纳米晶发光体以充分离散的形式分布在主体材料中，且纳米晶发光体在发光层中的体积分数不超过5％。本发明通过降低发光层中纳米晶的体积分数，可以将空穴注入比提高6个数量级以上，实现高量子效率的电致发光，该发光层在低功率(<1.0mWcm

摘要： 一种蓝色有机电致发光器件用发光层含有蓝光主体材料和蓝光掺杂剂，其中，该发光层还含有绿光掺杂剂。本发明还提供包括该发光层的蓝色有机电致发光器件。本发明提供的发光层除了含有蓝光主体材料和蓝光掺杂剂以外，还含有绿光掺杂剂，蓝光掺杂剂和绿光掺杂剂相互配合，与只含有蓝光掺杂剂相比，可以显著提高由该发光层制得的蓝色有机电致发光器件的发光效率和使用寿命。

摘要： 本发明涉及一种用于有机电致发光器件的发光化合物以及使用该化合物的有机电致发光器件，并提供具有优良透明度、有效激励电压和色彩纯度的用于有机电致发光器件的发光化合物以及使用该化合物的有机电致发光器件，该化合物的特征在于具有下式1所示的咪唑－吡啶结构，式1中R1－R14如说明书中的定义。