电池效率

摘要： “做到了,我们成功做到了!”位于陕西西安的隆基高效单晶电池研发中心传来阵阵激动的欢呼声。近期,隆基绿能科技股份有限公司(简称“隆基绿能”)自主研发的掺镓P型硅片制备的硅异质结电池(P-HJT)实现效率新突破:在掺镓P型全尺寸单晶硅片上,将硅异质结电池转换效率推高至26.12%。“这是迄今为止P型硅电池效率的最高纪录,进一步验证了低成本硅异质结量产技术的可行性。”隆基绿能创始人、总裁李振国表示。

摘要： 近年来,PERC工艺叠加激光SE选择性发射极技术和碱背面抛光技术已然成为新增PERC产线的标准配置。但激光的高频脉冲会使SE重掺杂区的PSG(磷硅玻璃)层遭到一定程度的破坏,造成后续碱抛工艺中使用的化学药液会腐蚀没有保护的重掺杂区,最终导致电池片效率降低。通过对比两种不同的碱抛前氧化方式在激光光斑宽度、方阻以及电池性能方面的差异,选取更适合产线的前氧化工艺方式,从而实现碱抛和SE两种工艺对电池效率的正向叠加提升。

摘要： 随着太阳能利用技术的飞速发展,染料敏化太阳能电池的研究也取得了长足的进步.在对染料敏化太阳能电池结构分析和机理描述的基础上,对高性能染料敏化太阳能电池的光敏剂结构、光阳极组成、电解质成分以及对电极材料等的要求进行了探讨.同时,阐述了染料敏化太阳能电池常用表征参数,短路电流和开路电压越大,转化效率越高,电池性能越好.重点分析了染料敏化剂结构对DSSC性能的影响,相比而言,金属类敏化剂效率高,非金属类敏化剂成本低,发展潜力更好;共敏化和辅助敏化是提高染料敏化太阳能电池性能的主要途径.

摘要： 靠近铸锭坩埚的多晶硅片因坩埚杂质扩散以及杂质分凝到头部等影响,在电池制作过程中会导致硅片从尾部到头部出现效率衰减情况.本文主要通过抑制硅锭侧部杂质扩散和形核长晶,将头尾衰减区域提高,从而达到提升硅片整体效率的目的.结果显示,硅块少子寿命的"花纹"比例(位错)均值明显程下降趋势,平均下降了2.54％.从硅锭底部至头部的硅片制作成电池的转换效率衰减趋势降低,平均效率提升约0.1％.

摘要： 国际四大光伏银浆企业贺利氏、杜邦、三星SDI、台湾硕禾电子一度主控国内的光伏银浆市场。随着国产银浆研发周期缩短、产品迭代速度加快,能不断满足电池企业对电池效率的提升需求。国产银浆的市占率不断提高,2020年光伏用银浆的国产化率达到60%以上,光伏用银粉的国产化率也达到了55%。

摘要： 二氧化钛(TiO2)作为一种重要的间接带隙n型半导体材料,由于其性质无毒、成本低廉,以及较合适的光学禁带宽度等各方面优良的特性已经被广泛应用于太阳能电池领域中.本文主要针对TiO2在太阳能电池领域中的应用现状进行分析,讨论了应用TiO2的太阳能电池中普遍存在的影响电池效率的问题,为改良此类太阳能电池的研究提供一定的理论依据.

摘要： 6月3日,工业和信息化部公开发布《光伏制造行业规范条件(2020年本)》(征求意见稿),在明确严格控制光伏制造项目扩大产能之外,还对电池效率指标提出了要求。对于新建及改扩建企业及项目,产品需满足:多晶硅电池和单晶硅电池(双面电池按正面效率计算)的平均光电转换效率分别不低于20%和23%,多晶硅组件和单晶硅组件(双面电池按正面效率计算)的平均光电转换效率分别不低于17.8%和20%。

摘要： 本文通过对多晶硅铸造全熔工艺异质形核理论的研究,选择优异的形核剂并制备良好的形核层,依靠涂层工艺的创新及铸锭工艺优化,确保全熔工艺下涂层内异质形核的可形核数,减小润湿角.结果显示,SiO2异质形核全熔工艺的多晶硅锭平均少子寿命达7.02μs,硅锭出材率达到66.21％,比半熔工艺硅片的电池光电转换效率略高.

摘要： 介绍了电池效率验证，优化代表块及结果，结论，PL设备检测(型号QS-W2)主要参数为Q值,Q=f(impure,defects)，根据硅片指定类型的缺陷设定Q值，对硅片质量进行评估。.预估电池效率=产线单片最高效率－1×Q。

摘要： PL成像原理:模拟太阳光照射硅片或电池片,并用专用的镜头采集光致发光来获得样本的PL成像.优点:PL技术可用于跟踪生产工艺,找到影响电池效率的步骤可在电池生产中的任意步骤进行测量所有测试对电池均无接触、无损害.

摘要： 氧化硅是一种很好的钝化材料，可以应用于背钝化电池,电池效率提升明显，去BSF电池相比，效率可提高1.2%以上；氧化硅PERC电池制备工艺方案简单，对设备要求较低；针对填充因子较低的问题，后续可采用SE及多主栅技术，以提升电池的接触特性，提升电池效率。

摘要： 介绍了多晶硅电池效率的提升促进了其在民用市场上的应用.2006年以来单/多晶市场份额占比金刚线切割的引入乃是大势所趋!金刚线切割多晶硅片在电池端的问题:由于表面过于光滑且缺陷减少,造成常规酸制绒困难。

摘要： 介绍了太阳电池不均匀特性，光束诱导电流成像，电致发光成像，光致发光成像，小结高效太阳电池效率的快速发展面积过大而导致不均匀。

摘要： 介绍了晶硅电池效率与金属化技术，高效晶硅电池金属化问题N型双面电池PERC电池SHJ电池，总结和展望，晶硅电池效率与金属化技术。

摘要： 介绍了光衰原理及表现，单、多晶衰减差异因素，光衰与恢复，降低衰减的措施，光衰原理及表现光衰原理及表现:光照促使太阳能电池基体中生成高活性复合中心——硼氧复合体缺陷,作为少数载流子寿命的"杀手",使电池效率降低.

摘要： 目录P型硅PERC电池N型硅PERT电池英利N-PERT技术电池技术发展方向P型硅PERC电池产业化高效太阳电池太阳电池高光电转换效率、低制造成本,是可产业化的前提.以目前190um厚度硅片看，背表面复合速率对电池效率有很大影响，优异的背表面钝化可使电池效率明显提升。硅片扩散长度越长（少子寿命越高），效率提升越明显，单晶硅电池可提升0.8-1%，多晶硅电池可提升0.4-0.5%。

摘要： 研究发现各种寿命片和电池片在光照之后少子寿命和电池效率均有明显的衰减，且光照前90min衰减速率最快在270min时衰减逐渐达到饱和。高效背钝化PERC电池相较于单晶电池效率衰减更快，1710min时效率衰减达到了4.25%。研究认为光照后少子寿命的降低导致了晶硅电池效率的衰减，氧化铝氮化硅叠层的背钝化效果的大幅衰减是高效背钝化PERC电池效率衰减严重的主要原因，引起晶硅太阳能电池光衰的其它原因有待进一步研究。

摘要： 本征薄层异质结HIT(Heterojunction with Intrinsic Thin Layer)电池结合了非晶硅和单晶硅的特性，具有低温制备工艺，转换效率高，高温特性优异等特点。本文从HIT太阳能电池的结构和原理出发，探讨其制备工艺。研究其发展历程，讨论提高HIT太阳能电池效率的有效途径。

摘要： 本发明是一种太阳能电池的制造方法，具有：准备至少在第一主表面具有介电体膜的半导体基板的步骤、部分地去除该半导体基板的介电体膜的步骤、沿着介电体膜部分地被去除的领域形成电极的步骤的太阳能电池的制造方法，其特征是具有对于实施部分地去除介电体膜的步骤与形成电极的步骤之后的半导体基板，测定介电体膜部分地被去除的领域的位置与形成的电极的位置的相对的位置关系的步骤，基于被测定的位置关系，对于新准备的至少在第一主表面具有介电体膜的半导体基板，在调整部分地去除介电体膜的领域的位置后部分地去除介电体膜。由此，提供一种可以减低部分地去除介电体膜的领域与沿着该领域被形成的电极的位置偏移，且使太阳能电池的制造产出率提升的太阳能电池的制造方法。

摘要： 本发明是一种太阳能电池，其是于具有第一导电型的半导体基板的第一主表面上，拥有具有第一导电型的基极层、及邻接于基极层且具有与第一导电型相反的导电型的第二导电型的射极层，至少于基极层上具有基极集电电极的太阳能电池，其中基极集电电极的一部分亦配置于射极层上，此射极层邻接于配置有基极集电电极的基极层。由此，提供廉价且光电变换效率高的太阳能电池。

摘要： 本发明是一种太阳能电池胞，其特征为在半导体基板的第一主表面上具有指状电极，以至少前述指状电极的表面不露出的方式以包含绝缘材料的材料包覆，前述包含绝缘材料的材料是不会加水分解者或是在加水分解时不会产生羧酸者。由此，提供即便使用EVA，也抑制随时间经过的光电变换效率的降低的太阳能电池胞以及使用其的太阳能电池模块。

摘要： 本发明是一种太阳能电池，在有第一导电型的半导体基板的第一主表面，具有有前述第一导电型的基极层，及邻接在前述基极层、有与前述第一导电型相反的导电型即第二导电型的射极层，且具有与前述基极层电性地连接的基极电极、及与前述射极层电性地连接的射极电极的太阳能电池，其特征在于，在前述第一主表面上，具有接在前述基极层及前述射极层的介电体膜；具有被配置成覆盖前述射极电极，而且位于前述介电体膜上、至少在前述基极层上有间隙的第一绝缘膜；具有至少位于前述第一绝缘膜上的基极用汇流条电极；前述第一绝缘膜的间隙的距离为40μm以上(W+110)μm以下(但是，W为间隙方向的基极层的宽幅)。由此，可以抑制绝缘材料的消耗，而且使基极用汇流条电极与基极电极的电性接触保持良好，同时可以使基极用汇流条电极与射极领域因接触所造成的并联电阻降低轻微，且使太阳能电池特性提升。

摘要： 本发明是一种太阳能电池的制造方法，其特征是具有：准备在至少一方的主表面上具有通过烧成电极前驱体而形成的电极、具有PN结的未满100°C的半导体硅基板的步骤，与将前述半导体硅基板在100°C以上450°C以下进行退火处理的步骤。由此，提供一种可以抑制只在室温·大气中放置着就使太阳能电池的输出降低这种劣化现象的制造太阳能电池的方法。

摘要： 本发明是一种太阳能电池胞，其特征为在半导体基板的第一主表面上具有指状电极，以至少前述指状电极的表面不露出的方式以包含绝缘材料的材料包覆，前述包含绝缘材料的材料是不会加水分解者或是在加水分解时不会产生羧酸者。由此，提供即便使用EVA，也抑制随时间经过的光电变换效率的降低的太阳能电池胞以及使用其的太阳能电池模块。

摘要： 本发明是一种太阳能电池，在有第一导电型的半导体基板的第一主表面，具有有前述第一导电型的基极层，及邻接在前述基极层、有与前述第一导电型相反的导电型即第二导电型的射极层，且具有与前述基极层电性地连接的基极电极、及与前述射极层电性地连接的射极电极的太阳能电池，其特征在于，在前述第一主表面上，具有接在前述基极层及前述射极层的介电体膜；具有被配置成覆盖前述射极电极，而且位于前述介电体膜上、至少在前述基极层上有间隙的第一绝缘膜；具有至少位于前述第一绝缘膜上的基极用汇流条电极；前述第一绝缘膜的间隙的距离为40μm以上(W+110)μm以下(但是，W为间隙方向的基极层的宽幅)。由此，可以抑制绝缘材料的消耗，而且使基极用汇流条电极与基极电极的电性接触保持良好，同时可以使基极用汇流条电极与射极领域因接触所造成的并联电阻降低轻微，且使太阳能电池特性提升。

摘要： 本发明是一种太阳能电池的制造方法，具有：在具有第一导电型的半导体基板的两主表面形成凹凸的步骤，在半导体基板的第一主表面，形成基底层的步骤，在基底层上形成扩散屏蔽的步骤，将扩散屏蔽图案状地除去的步骤，在除去第一主表面的扩散屏蔽的处所，形成射极层的步骤，除去残存的扩散屏蔽的步骤，于第一主表面上形成介电体膜的步骤，于基底层上形成基底电极的步骤，以及在前述射极层上形成射极电极的步骤。由此，提供削减工序数目同时呈现高的光电变换效率的太阳能电池的制造方法。

摘要： 本发明是一种太阳能电池的制造方法，其特征是具有：准备在至少一方的主表面上具有通过烧成电极前驱体而形成的电极、具有PN结的未满100°C的半导体硅基板的步骤，与将前述半导体硅基板在100°C以上450°C以下进行退火处理的步骤。由此，提供一种可以抑制只在室温·大气中放置着就使太阳能电池的输出降低这种劣化现象的制造太阳能电池的方法。

摘要： 本发明为一种太阳能电池的制造方法，其是使用单结晶硅基板制造单结晶硅太阳能电池的太阳能电池的制造方法，并且包含将单结晶硅基板在800°C以上1200°C以下热处理的高温热处理步骤，该高温热处理步骤具有：将单结晶硅基板装填至热处理装置的搬运步骤；将单结晶硅基板加热的加热步骤；将单结晶硅基板保持在800°C以上1200°C以下的既定温度的保温步骤；及将单结晶硅基板冷却的冷却步骤，在高温热处理步骤之中，将通过搬运步骤及加热步骤使单结晶硅基板的温度成为400°C以上650°C以下的时间定为5分钟以内。由此可提供一种太阳能电池的制造方法，可制造出光电转换效率高、基板面内特性均匀的太阳能电池。