电子芯片

摘要： 日本规定自2022年6月起,宠物店必须为售出的宠物安装微型电子芯片,并登记宠物和饲养人的名字、住址、电话等信息。这种芯片为直径2毫米,长1厘米左右的圆柱形电子元件,兽医可以在猫、狗等动物的脖子到肩胛骨之间进行注射安装。在宠物丢失或被遗弃时,只需识别宠物体内芯片的识别码,就能找到主人。宠物芯片真的管用吗?

摘要： 近日,中国科学院金属研究所科研团队发明了一种具有新信号处理行为的光控二极管,相关研究成果在线发表于《国家科学评论》(National Science Review)。未来集成电路的发展将呈现出多元化发展趋势,其中光电芯片可实现光传输及信息处理功能。通过与现代电子芯片技术的底层融合,支撑未来大容量、低功耗、集成化与智能化信息芯片技术的发展需求。二极管作为一种重要的基本电学元件,在集成电路、大功率驱动、光学成像等领域具有重要应用,其结构和功能也十分丰富。

摘要： 英国牛津大学研究人员开发了一种使用光的偏振来实现最大化信息存储密度的设备。新研究使用多个偏振通道展开了并行处理,计算密度比传统电子芯片提高了几个数量级。自1958年第一块集成电路发明以来,将更多晶体管封装到特定尺寸的电子芯片中,一直是实现最大化计算密度的首选方法。然而,人工智能和机器学习需要专门的硬件突破现有计算的界限,因此电子工程领域面临的主要问题是如何将更多功能打包到单个晶体管中。

摘要： 原油价格下调,氧化锌价格下跌超7.8%7月初来看,原油价格关联着各种经济活动,当前原油价格在110美元上下浮动,国内油价已经涨至历史最高位,不得不说网上对于油价的定价机制是有不同声音的。国内来看北方部分地区出现旱涝,南方多地进入汛期和广东部分地区出现洪涝灾害。经济形势的不明朗,对于陶瓷相关行业的影响在逐步地显现出来。从部分媒体公布的数据来看,5月份的出口出现好转,国内部分行业进入复苏。特别是新能源汽车和电子行业相关的,包括国内电子芯片相关的增长和出口方面的数据非常好。

摘要： 话题的由来先从一件案子、一本书稿说起。一件案子,是犬被盗案。犬主李某报案称,他一年前被盗走的犬,发现在刘某家,怀疑刘某是盗窃嫌疑人。公安机关询问时,刘某谎称是从市场上购来的犬。因事隔一年多,犬的体型外貌变化较大,刘某、李某各执一词,公安机关难以判断此犬就是李某被盗的犬。幸亏,李某的犬来自专业养犬场,他的犬有《犬籍证》,植入了电子芯片标识,可以通过芯片号进行身份信息查证。

摘要： 本团队研发的高频高能微型超级电容器是一种采用均匀液滴喷射3D打印技术构筑的具有立体结构的新型微型超级电容器;在材料选择、器件制备及其构型方面实现了创新,为小型化高密度集成电子产品提供了储能基础。

摘要： 前段时间因“禁食狗肉”登上热搜的深圳,在宠物领域又出台了一项新政策。近期,深圳开始督促犬主人主动为犬只注射电子芯片,并且规定,从2020年10月开始,未注射芯片将被视为无证养犬。11月开始,将全面强化执法力度,不定期开展统一执法行动,对未注射芯片的严格执法处罚。

摘要： 新加坡对虐待宠物行为制定了严厉的惩罚措施。规定虐待行为一旦被认定,宠物主人将被处以最高1.5万新元罚款或最长18个月监禁,或二者并罚。在新加坡,宠物饲养受到严格监管。—旦出现违法违规行为,主人不仅会被处以罚款或监禁,还会失去养宠资格。新加坡有专门的政府部门对宠物饲养进行具体规定和管理。2000年4月,新加坡农粮兽医局成立。该机构在2007年出台规定,要求宠物犬必须植入电子芯片。

摘要： 上海快递外卖电动车安装专用电子号牌上海市人大常委会审议并表决通过《上海市非机动车安全管理条例》。条例明确规定,对用于快递、外卖等网约配送活动的电动自行车,必须使用公安机关核发的内嵌电子芯片专用号牌。快递、外卖电动自行车使用核发的专用号牌后,通过RFID技术等非现场执法方式,便可查处相关交通违法。

摘要： 介绍了电子芯片塑封注射模的设计,分别从浇注系统、内模结构、模板、内模和模板之间的定位配合及各部件装配运动关系等方面进行阐述,在满足产品质量要求的条件下,使模具结构更加稳定可靠,便于加工、装配和后续维护。

摘要： 对电子芯片在FC-72工质中浸没喷射沸腾换热进行了实验研究.通过干腐蚀技术在硅片表面加工出交错排列的30μm×60μm,50μm×60μm,50μm×120μm,30μm×120μm,(宽×高)的柱状微结构,硅片尺寸为10mm×10mm×0.5mm,过冷度为35K,喷射速度Vj分别为0.5、1、1.5m/s.喷嘴数目分别为1个,4个和9个,直径分别为3mm,1.5mm和1mm.喷嘴出口到芯片表面的距离分别为3mm,6mm和9mm.实验表明,交错排列柱状微结构的换热效果要好于光滑芯片,临界热流密度随着喷射速度的增加而增加.在雷诺数及其他工况相同的情况下,不同喷嘴数目对换热的影响不同,当n=4时,所有芯片的壁面温度最低,临界热流密度最高,其次是n=9,换热效果最差的是n=1.在雷诺数及其他工况相同的情况下,所有芯片的换热性能在喷射距离s=3mm时最好,其壁温最低,临界热流密度最高,随着喷射距离的增加,其壁面温度逐渐升高,临界热流密度逐渐减小.

摘要： 对电子芯片在FC-72工质中浸没喷射沸腾换热进行了实验研究。通过干腐蚀技术在硅片表面加工出50μm×60μm,50μm×120μm(宽×高)的柱状微结构,硅片尺寸为10mm×10mm×0.5mm,过冷度分别为25、35K,喷射速度Vj分别为0.5、1、1.5m/s.实验表明,临界热流密度随着喷射速度和过冷度的增加而增加,增加过冷度和喷射速度可减小气泡脱离时的尺寸,增加气泡脱离频率,因此提高了临界热流密度并且降低了壁面温度。此外,在单相对流换热区对流换热占据主导地位,热流密度随着壁面过热度线性增加;在核态沸腾换热区,对流换热与核态沸腾换热同时影响着换热过程。当喷射速度较小时,核态沸腾区曲线的斜率比单相对流区曲线的斜率大的多,显示出浸没喷射沸腾的优良换热性能。

摘要： 随着计算机与互联网、电子商务、通信设备、各种数字视频音频等电子产品的需求不断增长,对应芯片的复杂度也不断增大,并且都已过渡到了超大规模的芯片.在芯片开发过程中,仿真验证占了整个开发过程的很大比重.基于CPU仿真过程中不能够在CPU软件中实现打印的问题,设计了一种实现标准C语言库中printf函数功能的方案,给出了硬件部分与软件部分具体的实现方法,并指出了此功能对提高芯片开发人员debug(排除故障)效率的重要性.

摘要： 随着计算机与互联网、电子商务、通信设备、各种数字视频音频等电子产品的需求不断增长,对应芯片的复杂度也不断增大,并且都已过渡到了超大规模的芯片.在芯片开发过程中,仿真验证占了整个开发过程的很大比重.基于CPU仿真过程中不能够在CPU软件中实现打印的问题,设计了一种实现标准C语言库中printf函数功能的方案,给出了硬件部分与软件部分具体的实现方法,并指出了此功能对提高芯片开发人员debug(排除故障)效率的重要性.

摘要： 随着计算机与互联网、电子商务、通信设备、各种数字视频音频等电子产品的需求不断增长,对应芯片的复杂度也不断增大,并且都已过渡到了超大规模的芯片.在芯片开发过程中,仿真验证占了整个开发过程的很大比重.基于CPU仿真过程中不能够在CPU软件中实现打印的问题,设计了一种实现标准C语言库中printf函数功能的方案,给出了硬件部分与软件部分具体的实现方法,并指出了此功能对提高芯片开发人员debug(排除故障)效率的重要性.

摘要： 随着计算机与互联网、电子商务、通信设备、各种数字视频音频等电子产品的需求不断增长,对应芯片的复杂度也不断增大,并且都已过渡到了超大规模的芯片.在芯片开发过程中,仿真验证占了整个开发过程的很大比重.基于CPU仿真过程中不能够在CPU软件中实现打印的问题,设计了一种实现标准C语言库中printf函数功能的方案,给出了硬件部分与软件部分具体的实现方法,并指出了此功能对提高芯片开发人员debug(排除故障)效率的重要性.

摘要： 针对双列直插式封装8管脚和四方扁平式封装144管脚两种封装形式进行了湿热可靠性及失效模式分析,对两种封装体进行了一系列的可靠性实验,通过切片分析,发现四方扁平式封装144管脚出现了分层现象,而双列直插式封装8管脚没有出现明显变化.对影响塑封表面贴片安装的集成电路受湿气影响导致分层的主要原理进行了详细分析.对改进封装可靠性提出了改善措施.

摘要： 针对双列直插式封装8管脚和四方扁平式封装144管脚两种封装形式进行了湿热可靠性及失效模式分析,对两种封装体进行了一系列的可靠性实验,通过切片分析,发现四方扁平式封装144管脚出现了分层现象,而双列直插式封装8管脚没有出现明显变化.对影响塑封表面贴片安装的集成电路受湿气影响导致分层的主要原理进行了详细分析.对改进封装可靠性提出了改善措施.

摘要： 针对双列直插式封装8管脚和四方扁平式封装144管脚两种封装形式进行了湿热可靠性及失效模式分析,对两种封装体进行了一系列的可靠性实验,通过切片分析,发现四方扁平式封装144管脚出现了分层现象,而双列直插式封装8管脚没有出现明显变化.对影响塑封表面贴片安装的集成电路受湿气影响导致分层的主要原理进行了详细分析.对改进封装可靠性提出了改善措施.

摘要： 针对双列直插式封装8管脚和四方扁平式封装144管脚两种封装形式进行了湿热可靠性及失效模式分析,对两种封装体进行了一系列的可靠性实验,通过切片分析,发现四方扁平式封装144管脚出现了分层现象,而双列直插式封装8管脚没有出现明显变化.对影响塑封表面贴片安装的集成电路受湿气影响导致分层的主要原理进行了详细分析.对改进封装可靠性提出了改善措施.

摘要： 本发明公开了一种光电子半导体芯片，包括：半导体本体(1)，其包括半导体层序列，该半导体层序列适于从其正面(2)发射第一波长范围的电磁辐射；在半导体本体(1)的正面(2)的至少一个第一部分区域(5)上的、带有第一波长转换材料(7)的第一波长转换层(6)，该第一波长转换材料将第一波长范围的辐射转换为与第一波长范围不同的第二波长范围的辐射，其中正面(2)的至少一个第二部分区域(8)没有第一波长转换层(6)。此外还描述了一种具有这样的半导体本体的光电子器件以及一种用于制造半导体芯片的方法。

摘要： 一种光电子半导体芯片(100)，包括基本体，所述基本体具有载体(3)和设置在载体(3)的上侧(30)上的半导体层序列(1)，所述半导体层序列在正常运行中发射或吸收电磁辐射。此外，半导体芯片(100)包括两个设置在半导体层序列(1)上并且背离载体(3)的接触面(20，21)，经由所述接触面能够电接触半导体层序列(1)。此外，半导体芯片(100)具有两个接触元件(40，41)，所述接触元件施加在接触面(20，21)上并且与所述接触面导电连接。基本体的载体(3)包括横向于上侧(30)伸展的侧面(32)和与上侧(30)相对置的下侧(31)。接触元件(40，41)构成为印制导线，所述印制导线从接触面(20，21)开始经过基本体的棱边引导直至载体(3)的侧面(32)上。

摘要： 芯片型电子部件配置装置(1)具备：对准构件(10)，其具有供芯片型电子部件(C)嵌入并通过的对准孔(11)，与印刷基板(B)平行配置；以及杆(41)，其按压芯片型电子部件(C)，使芯片型电子部件(C)通过对准孔(11)并载置于印刷基板(B)。对准孔(11)具有：内侧面(12)，其供芯片型电子部件(C)嵌入；以及孔斜面，其朝向内侧面(12)引导芯片型电子部件(C)。

摘要： 本发明公开了一种光电子半导体芯片，包括：半导体本体(1)，其包括半导体层序列，该半导体层序列适于从其正面(2)发射第一波长范围的电磁辐射；在半导体本体(1)的正面(2)的至少一个第一部分区域(5)上的、带有第一波长转换材料(7)的第一波长转换层(6)，该第一波长转换材料将第一波长范围的辐射转换为与第一波长范围不同的第二波长范围的辐射，其中正面(2)的至少一个第二部分区域(8)没有第一波长转换层(6)。此外还描述了一种具有这样的半导体本体的光电子器件以及一种用于制造半导体芯片的方法。

摘要： 本发明公开了一种电子标签的芯片、电子标签、电子标签系统及芯片的识别方法。所述芯片包括：多个状态位焊盘；导电结构，所述导电结构覆盖所述多个状态位焊盘；其中，至少一个状态位焊盘与所述导电结构之间设置有可腐蚀绝缘层，其余所述状态位焊盘与所述导电结构接触；检测电路，所述检测电路与所述状态位焊盘电连接，用于检测所述状态位焊盘之间的电连接状态并作为状态信息；所述芯片的所述状态信息能够被读取设备获取。本发明实施例能够提高电子标签芯片的防转移性能。

摘要： 一种光电子半导体芯片(100)，包括基本体，所述基本体具有载体(3)和设置在载体(3)的上侧(30)上的半导体层序列(1)，所述半导体层序列在正常运行中发射或吸收电磁辐射。此外，半导体芯片(100)包括两个设置在半导体层序列(1)上并且背离载体(3)的接触面(20，21)，经由所述接触面能够电接触半导体层序列(1)。此外，半导体芯片(100)具有两个接触元件(40，41)，所述接触元件施加在接触面(20，21)上并且与所述接触面导电连接。基本体的载体(3)包括横向于上侧(30)伸展的侧面(32)和与上侧(30)相对置的下侧(31)。接触元件(40，41)构成为印制导线，所述印制导线从接触面(20，21)开始经过基本体的棱边引导直至载体(3)的侧面(32)上。

摘要： 本发明说明了一种光电子半导体芯片(20)，具有：第一区域(21)，其掺杂有第一掺杂物；第二区域(22)，其掺杂有第二掺杂物；第一区域(21)和第二区域(22)之间的激活区域(23)；第一接触层(24)，其具有导电材料并且覆盖第一区域(21)；绝缘层(25)，其覆盖第一接触层(24)并且具有第一开口(26)；以及第二接触层(27)，其具有导电材料并且其覆盖绝缘层(25)和第一开口(26)，其中，第一开口(26)完全贯穿绝缘层(25)，并且第二接触层(27)具有第二开口(28)和/或分别在第一开口(26)中在第二接触层(27)和绝缘层(25)之间布置具有导电材料的第三接触层(29)。本发明还说明了一种用于制造光电子半导体芯片(20)的方法。

摘要： 在一个实施方式中，方法用于制造光电子半导体芯片(1)并且包括：A)在生长衬底(2)上沿着生长方向(G)生长AlInGaAsP半导体层序列(3)，其中半导体层序列(3)包括用于产生辐射的有源区(33)，并且有源区(33)由多个、彼此交替的量子阱层(61)和势垒层(62)组成；B)产生结构化的掩模层(5、34)；C)在至少一个混匀区域(51)中借助于将混匀辅助材料(55)穿过掩模层(5、34)的开口(50)施加到有源区(33)中来局部地混匀量子阱层(61)和势垒层(62)；并且D)将半导体层序列(3)分割成用于半导体芯片(1)的子区域(39)，其中势垒层(62)在步骤A)中由[(AlxGa1‑x)yIn1‑y]zP1‑z生长，其中x≥0.5。

摘要： 本发明提供了一种电子芯片、电子芯片的检测方法及电子设备。其中，该电子芯片内设置有特征信号发生器，特征信号发生器与电子芯片上的指定输入引脚连接；指定输入引脚用于接收外部的预设功能信号，将预设功能信号发送给电子芯片内的控制器，以触发控制器执行预设功能信号对应的动作；特征信号发生器用于在工作状态下，切换指定输入引脚为输出引脚，通过指定输入引脚输出预设的特征信号。通过本发明，可以标识电子芯片的归属权，提升电子芯片应用的安全性和规范性。

摘要： 本发明涉及雷管制造技术，具体涉及一种模块化电子芯片及应用该电子芯片的电子雷管。模块化电子芯片包括设置在电路板上的电子芯片和两个长条电极，电极输入端与雷管外部起爆信号元件连接，输出端与桥丝连接，桥丝上固定有药头，电极中部设有由电绝缘材料构成的密封件，它将电极及所在部位的电路板完全包容固连成一体，其外周面与套装的雷管管壳的内孔表面和/或雷管管壳内金属帽的内腔表面匹配，卡口后紧密配合，使药头在密封空间内。本发明的电子雷管，其燃烧产生的能量被限制在较小的空间内，燃烧后产生的能量增大，能够更迅速地点燃激发药，并通过形成的高速运动飞片，迅速实现雷管的起爆；燃烧能量的增大有利于提高激发起爆雷管的起爆可靠性。