电子电气设备

摘要： 碳化硅(SiC)是第三代半导体材料,在功率半导体领域具有广阔市场空间。功率半导体在电子电气产业中不可或缺,其直接影响电子电气设备的性能与成本。与传统的Si MOSFET相比,相同功率等级的SiC MOSFET在工作频率、高温特性、稳定性等方面得到提高,能耗得到降低,是一种新型MOSFET产品。

摘要： 英力士苯领宣布,推出新款聚苯乙烯材料Styrolution PS ECO 260 MR85。它采用了机械回收消费后废弃物,现已在亚洲生产并销售。该材料由英力士苯领中国佛山工厂生产,可提供标准黑色和灰色,面向亚洲的区域客户进行销售。英力士苯领方面表示,Styrolution PS ECO 260 MR85含85%的回收消费后废弃电子电气设备(WEEE),具有出色的机械性能、产品均一稳定以及高流动性,使其成为家电与电子行业应用设计的首选,可像新料一样直接使用。

摘要： 目前,随着我国经济水平的不断提高,我国的科学技术研究也取得了非常大的突破,这不仅对我国电子电气设备的运用提供了非常好的条件,也为我国相关行业的发展奠定了基础。不过,我国的电子电气设备技术不够完善,仍有很大的改进空间,比如噪音干扰等。在对电子电器设备的技术进行完善时,噪音的干扰隔离技术是重中之重,因此,对现有设备中噪音的干扰隔离技术进行完善,才能提高电子电气设备的运行效果,来满足人们在使用电子电气设备时的体验感。除此之外,现有的电子电气设备要想发展,就必须先对电路隔离技术进行研究,电略隔离技术的运用不仅可以降低噪音,而且还可以使得电子电气设备的电磁兼容性得到很大的提升。综上所述,本文主要以电子电气设备中所应用的隔离技术进行展开讨论,从而达到提升现有电子电气设备运行的效率与稳定性。

摘要： 欧盟RoHS指令(the restriction of the use of certain hazardous substances in electrical and electronic equipment)即关于在电子电气设备中限制使用某些有害物质的指令,其管控的产品几乎涉及所有的电子电气设备(豁免的除外),要求产品中的有害物质低于限量要求;投放欧盟市场且属于欧盟R o H S指令管控范围内的产品,必须符合其管控要求,否则可能因违规而被通报,2022年已有数十种电子电气设备因有害物质超标不符合欧盟R o H S指令而被要求产品召回,撤出市场,禁止销售。

摘要： 电磁兼容性是判断电子电气设备安全性能强弱的关键指示标准,也就是设备或者系统在电磁环境之中可以正常运行,并且不对这一环境之中任何事物造成无法承受的电磁骚扰能力。电路隔离技术是应用隔离元器件等降低电子电气设备噪音以及提升电子电气设备兼容性的关键技术。合理应用电路隔离技术,可以降低噪音干扰等影响,实现电子电气设备的电磁兼容性满足相应的规范,提高系统的实际运行成效。

摘要： 随着科学技术的发展,人类社会已进入信息时代,大量的电子电气设备如电视、广播发射台、无线电台站、雷达导航、移动通信、工业、医疗、商用和军用的电磁辐射设备及各种家用电器等,都会产生不同频率.不同强度的电磁辐射,21世纪的电磁环境已经日益严重。由此系统、设备间的电磁兼容(EMC)问题越来越成为人们关注的热点。电磁兼容符合性测试主要包括电磁传导骚扰(CE)、电磁传导抗扰度(CS)、电磁辐射骚扰(RE)和电磁辐射抗扰度(RS)四个方面的测试,这些测试对试验场地和试验环境都有一定的要求。

摘要： GB/T 28046.2标准的目的是通过增强车辆上的电子电气设备对预期使用环境的承受能力,以避免在未来使用中出现电气安全问题而造成不良后果.GB/T 28046.2-2019《道路车辆电气及电子设备的环境条件和试验第2部分:电气负荷》新版标准已于近期实施.阐述了GB/T 28046.2-2019与GB/T 28046.2-2011标准的差异和变化内容,以期为相关工作人员更好地掌握新版标准的变化,从而更好地开展电子电气设备的环境试验提供一定的指导.

摘要： 随着我国科技领域的全面发展,电子电气设备在许多领域都实现了广泛应用,同时也促进了各行各业的发展。而在现阶段我国电子电气设备的实际应用中,经常会受到噪声的干扰,只有加强噪音干扰隔离技术水平,才能够提高电子电气设备电路的运行效率,保障电气设备的正常工作。因此,电路隔离技术在电子电气设备中有着广泛的应用,通过电路隔离技术能够有效的阻止噪声干扰,提高电子电气设备的电磁兼容性。为此,本文针对电子电气设备中电路隔离技术的实际应用进行分析,深入探讨多种电路隔离技术的应用效果,促进我国电子电气设备的可靠运行。

摘要： 随着我国科技领域的全面发展,电子电气设备在许多领域都实现了广泛应用,同时也促进了各行各业的发展.而在现阶段我国电子电气设备的实际应用中,经常会受到噪声的干扰,只有加强噪音干扰隔离技术水平,才能够提高电子电气设备电路的运行效率,保障电气设备的正常工作.因此,电路隔离技术在电子电气设备中有着广泛的应用,通过电路隔离技术能够有效的阻止噪声干扰,提高电子电气设备的电磁兼容性.为此,本文针对电子电气设备中电路隔离技术的实际应用进行分析,深入探讨多种电路隔离技术的应用效果,促进我国电子电气设备的可靠运行.

摘要： 本文重点分析电气电子设备的隔离技术以及隔离技术在电气电子设备中的应用实践,以供相关部门参考。

摘要： 本文介绍了电子电气设备的电磁兼容设计基本方法,对电磁辐射发射的实质进行分析,通过电磁兼容实验室中实际的案例,对在特定产品中磁兼容整改中的屏蔽、滤波和接地常用的措施进行了详细介绍,总结出针对特定产品的有效设计方法.

摘要： 加速溶剂萃取(ASE)是近年发展起来的一种在较高的温度和压力条件下，采用有机溶剂萃取固休样品和半固体样品的前处理方居，该方法具有操作简单、使用方法、萃取速度快、有机溶剂用量少、回收率高、容易实现自动化等优点。本文建立了ASE-GC-MS测定电子电气设备样品中PBDEs的方法，优化了ASE萃取条件和GC-MS分析条件。

摘要： 2011年5月27日，欧盟理事会就RoHS修订案发表最终决定，正式通过了欧洲议会在2010年11月RoHS更新草案的投票结果，修改后的RoHS指令将覆盖更多的电子电气设备。RoHS 2.0将于欧盟官方公报上公布后第20天生效，届时欧盟成员国必须在18个月内将指令转换为本国法律。欧盟理事会的评审结果将更多的产品纳入了RoHS指令的管控范围，协调其在整个欧盟保持一致，包括扩大现行RoHS指令的管控范围，将所有的电子电气设备都纳入RoHS指令的管控范围，包括线缆和设备零件等。

摘要： 为了顺利地进入国际市场,电子电气出口企业必须应对相应的环保法规.介绍了欧盟指令,也称"双绿指令".提出了应对两指令应该从绿色供应链、替代品研究、检测技术等几个方面着手,帮助企业尽快地跨越欧盟的绿色贸易壁垒,争取占领欧盟市场的先机.

摘要： 本文首先简单介绍了2002年颁布的WEEE指令的出台背景及指令的修订历史。其次，本文系统阐述了近3年来欧洲议会和理事会针对2008年WEEE指令修订提案所进行的讨论程序和主要修订内容。

摘要： 本文首先简单介绍了2002年颁布的WEEE指令的出台背景及指令的修订历史。其次，本文系统阐述了近3年来欧洲议会和理事会针对2008年WEEE指令修订提案所进行的讨论程序和主要修订内容。

摘要： 本文首先简单介绍了2002年颁布的WEEE指令的出台背景及指令的修订历史。其次，本文系统阐述了近3年来欧洲议会和理事会针对2008年WEEE指令修订提案所进行的讨论程序和主要修订内容。

摘要： 本文首先简单介绍了2002年颁布的WEEE指令的出台背景及指令的修订历史。其次，本文系统阐述了近3年来欧洲议会和理事会针对2008年WEEE指令修订提案所进行的讨论程序和主要修订内容。

摘要： 介绍了时域有限差分(FDTD)方法的基本原理,提出了基于环路法(CP)法的三维细孔缝仿真算法(TSF).使用相同的细孔缝模型对细化网格的FDTD和亚网格TSF两种方法进行比较,结果吻合较好.最后利用该细孔缝算法对屏蔽机箱进行数值仿真。

摘要： 介绍了时域有限差分(FDTD)方法的基本原理,提出了基于环路法(CP)法的三维细孔缝仿真算法(TSF).使用相同的细孔缝模型对细化网格的FDTD和亚网格TSF两种方法进行比较,结果吻合较好.最后利用该细孔缝算法对屏蔽机箱进行数值仿真。

摘要： 本发明的特征在于，包含0.15质量％以上且小于0.35质量％范围内的Mg，且剩余部分由Cu及不可避免的杂质构成，导电率大于75％IACS，并且根据在与轧制方向正交的方向上进行了拉伸试验时的强度TSTD和在与轧制方向平行的方向上进行了拉伸试验时的强度TSLD计算出的强度比TSTD/TSLD大于0.9且小于1.1。也可以还包含0.0005质量％以上且小于0.01质量％范围内的P。

摘要： 本发明的特征在于，包含0.1质量％以上且小于0.5质量％范围内的Mg，且剩余部分由Cu及不可避免的杂质构成，在拉伸试验中，将由真应力σt与真应变εt定义的dσt/dεt设为纵轴，将真应变εt设为横轴时，具有所述dσt/dεt的斜率为正的应变区域。

摘要： 本发明提供一种可在短时间内判别电子/电气设备部件屑中的部件屑的组成的电子/电气设备部件屑的组成解析装置、电子/电气设备部件屑的组成解析方法及使用它们的电子/电气设备部件屑的处理方法。电子/电气设备部件屑的组成解析装置，具备：分类数据存储单元(111)，其存储用于从拍摄由多个部件种类构成的电子/电气设备部件屑而得的图像中提取多个部件种类的图像并按照多个部件种类的每种进行分类的分类数据；分类单元(101)，其基于分类数据从拍摄电子/电气设备部件屑而得的图像中提取多个部件种类的图像并按照多个部件种类的每种进行分类；及解析单元(103)，其对由分类单元(101)分类的多个部件种类的每种的面积、个数、平均粒径及重量比率的至少任一者进行解析。

摘要： 本发明提供一种电子电气设备用铜合金、电子电气设备用铜合金薄板、电子电气设备用铜合金的制造方法、电子电气设备用导电元件以及端子，在所述铜合金中，以质量%计，含有超过2.0%且36.5%以下的Zn、0.1%以上且0.9%以下的Sn、0.05%以上且不到1.0%的Ni、0.001%以上且不到0.10%的Fe以及0.005%以上且0.10%以下的P，剩余部分包括Cu及不可避免杂质，并且，作为这些元素的含量的相互比率，以原子比计，满足0.002≤Fe/Ni＜1.5、3＜（Ni+Fe）/P＜15、0.3＜Sn/（Ni+Fe）＜5，并且含有Cu、Zn及Sn的α相的晶粒的平均粒径为0.1～50μm，且包括含有Fe和/或Ni以及P的析出物。

摘要： 该电子电气设备用铜合金含有Mg：100质量ppm以上且400质量ppm以下、Ag：5质量ppm以上且20质量ppm以下及P：小于5质量ppm，剩余部分由Cu及不可避免的杂质构成，将构成晶界三重点的三个晶界全部为特殊晶界的J3与所有晶界三重点的比例设为NF

摘要： 该电子电气设备用铜合金以质量％计包含Mg：0.15％以上且小于0.35％及P：0.0005％以上且小于0.01％，剩余部分由Cu及不可避免的杂质构成，Mg的含量〔Mg〕与P的含量〔P〕以质量比计满足〔Mg〕+20×〔P〕＜0.5的关系，不可避免的杂质中，H量为10质量ppm以下，O量为100质量ppm以下，S量为50质量ppm以下，C量为10质量ppm以下，晶界三重点的三个晶界全部为特殊晶界的J3与所有晶界三重点的比例NFJ3及晶界三重点的两个晶界为特殊晶界且一个晶界为随机晶界的J2与所有晶界三重点的比例NFJ2满足0.20＜(NFJ2/(1‑NFJ3))0.5≤0.45。

摘要： 本发明的电子电气设备用铜合金的特征在于，含有0.15质量％以上且小于0.35质量％的范围内的Mg和0.0005质量％以上且小于0.01质量％的范围内的P，剩余部分由Cu及不可避免的杂质构成，导电率超过75％IACS，并且，在扫描型电子显微镜观察中，粒径0.1μm以上的含有Mg和P的化合物的平均个数为0.5个/μm2以下。

摘要： 本发明所涉及的电子电气设备用铜合金含有超过2.0质量％且36.5质量％以下的Zn、0.1质量％以上且0.9质量％以下的Sn、0.05质量％以上且小于1.0质量％的Ni、0.5质量ppm以上且小于10质量ppm的Fe、0.001质量％以上且小于0.10质量％的Co、0.001质量％以上且0.10质量％以下的P，剩余部分由Cu及不可避免的杂质构成，而且作为这些元素的含量的相互比率，以原子比计，满足0.002≤Fe/Ni＜1.5、3＜(Ni+Fe)/P＜15、0.3＜Sn/(Ni+Fe)＜5，并且包括含有选自Fe、Co及Ni中的至少一种元素以及P的析出物。

摘要： 本发明提供一种电子电气设备用铜合金、电子电气设备用铜合金薄板、电子电气设备用铜合金的制造方法、电子电气设备用导电元件以及端子，在所述铜合金中，以质量%计，含有超过2.0%且36.5%以下的Zn、0.1%以上且0.9%以下的Sn、0.05%以上且不到1.0%的Ni、0.001%以上且不到0.10%的Fe以及0.005%以上且0.10%以下的P，剩余部分包括Cu及不可避免杂质，并且，作为这些元素的含量的相互比率，以原子比计，满足0.002≤Fe/Ni＜1.5、3＜（Ni+Fe）/P＜15、0.3＜Sn/（Ni+Fe）＜5，并且含有Cu、Zn及Sn的α相的晶粒的平均粒径为0.1～50μm，且包括含有Fe和/或Ni以及P的析出物。

摘要： 该电子电气设备用铜合金含有Mg：100质量ppm以上且400质量ppm以下、Ag：5质量ppm以上且20质量ppm以下及P：小于5质量ppm，剩余部分由Cu及不可避免的杂质构成，将构成晶界三重点的三个晶界全部为特殊晶界的J3与所有晶界三重点的比例设为NFJ3，将构成晶界三重点的两个晶界为特殊晶界且一个晶界为随机晶界的J2与所有晶界三重点的比例设为NFJ2时，0.22＜(NFJ2/(1‑NFJ3))0.5≤0.45成立。