电子束蒸发

摘要： 本实验分别采用射频磁控溅射法和电子束蒸发法在普通玻璃衬底上制备ZnO薄膜样品,并对样品的外观形貌、微观形貌及结构、光电性能进行测试和表征。测试结果表明,磁控溅射制备的薄膜呈透明状,薄膜平整致密,晶粒比较大,缺陷浓度比较少,薄膜中晶粒沿ZnO(002)晶面择优取向生长,薄膜可见光区透过率达88.74%,但薄膜导电性能比较弱,且薄膜生长速率也比较小。而电子束蒸发制备的ZnO薄膜呈棕黄色,薄膜晶粒比较小,缺陷浓度比较大,薄膜中晶粒沿ZnO(102)晶面择优取向生长,薄膜在可见光区的透过率只有29.16%,但薄膜导电性能和生长速率大大超过磁控溅射的薄膜样品。另外,磁控溅射的薄膜样品纯度比较高,而电子束蒸发制备的样品中容易混入坩埚成分的杂质。

摘要： 目的研究离子源偏压和沉积温度的变化对硫化锌薄膜光学性能和结晶性能的影响规律。方法采用电子束蒸发技术,在K9玻璃基片上制备了硫化锌薄膜。采用分光光度计测试了薄膜的光学性能,利用光谱反演法得出薄膜的折射率和消光系数随波长的变化规律。采用X射线衍射法测试薄膜的结晶状态。结果随着离子源偏压的增加,薄膜折射率逐渐减小,但变化幅度不大,当离子源偏压为160 V时,1000 nm波长处的薄膜折射率达到最小值2.210。开启加热之后,薄膜折射率显著提高,且随着沉积温度的升高,薄膜折射率逐渐增大,沉积温度为210°C时,1000 nm波长处薄膜折射率达到最大值2.312。两种工艺参数下制备的薄膜,其消光系数均很小。单纯的离子源辅助沉积时,薄膜生长择优取向是(220)晶向,而基底加热状态下沉积的薄膜生长择优取向是(111)晶向。随着离子源偏压增加,薄膜(220)峰的衍射强度降低。沉积温度越高,薄膜(111)峰的衍射强度越大。结论硫化锌薄膜的光学特性对沉积温度的变化更为敏感,离子源偏压和沉积温度的改变均能显著影响硫化锌薄膜的结晶状态。

摘要： 为了减少短波蓝光对人眼的伤害,同时确保蓝光对人体节律的有益调节,精确控制400～500 nm的透射斜率在蓝光防护中尤为重要.本文提出非线性玻尔兹曼函数拟合长波通薄膜的方法,分别通过非线性及线性光谱目标值优化得到膜系结构(Z1)和(Z2).通过对比(Z1)和(Z2)薄膜的光谱和导纳图,分析可知经非线性目标值优化后的薄膜具有可控的斜率和更好的通带光谱性能.采用电子束蒸发离子束辅助沉积方法制备了14层蓝光防护薄膜,其光谱性能满足新国标GB/T38120—2019的技术要求.结果表明,所制备的单面光学多层薄膜在紫外385～415 nm的平均透过率小于3.2％,高能蓝光415～445 nm的平均透过率小于30.88％,有益蓝光445～475 nm的透过率大于81.9％,在剩余可见光波段的透过率大于95.5％.该方法为蓝光防护提供了一个新的解决方案,对于视觉防护、移动终端、眼镜、电脑桌面、移动数字屏幕等有潜在应用价值.

摘要： 为了研究衬底温度对硒化锌薄膜微观结构和光学特性的影响,采用电子束蒸发技术在K9玻璃基底上制备了单层的硒化锌薄膜。通过研究薄膜的X射线衍射谱、透射光谱特性、表面形貌及粗糙度,分析了不同衬底温度下薄膜微观晶体结构和光学特性的变化规律。实验结果表明:在20~200°C的衬底温度范围内制备的ZnSe薄膜均为具有(111)晶面择优取向的纳米晶薄膜,随着衬底温度升高,基片上原子获得的动能增加,导致薄膜的晶粒尺寸变大、内应力和位错密度降低;同样在不同衬底温度下,薄膜的光学特性也不尽相同,随着衬底温度的升高,折射率和消光系数减小、光学带隙增加、薄膜的表面粗糙度降低。分析表明折射率下降是薄膜中空隙部分所占比例增加所致,而消光系数的下降是薄膜结晶度提高,内部缺陷减少造成的。

摘要： 为了制备光电性能高的氧化铟锡(I T O)薄膜,利用电子束和射频离子源辅助沉积技术,在玻璃基底上制备了ITO透明半导体薄膜,从ITO薄膜的半导体物理学理论出发,研究分析了未使用离子源辅助沉积ITO薄膜的光电性能,以及使用离子源辅助沉积之后,ITO薄膜厚度、离子源气体比例、离子源能量强度对ITO薄膜光学性能和电学性能的影响.最终以电压1200 V、氧气/氩气比例3:1的离子源工艺,制备了厚度为20 nm,电阻率为5.34×10-3Ω·cm,透过率为91.42％,光电性能良好的ITO透明导电膜.

摘要： 结合自身实验条件采用电子束蒸发(EBE)、离子束溅射(IBS)和原子层沉积(ALD)三种工艺制备了HfO2薄膜,对其进行退火实验,采用1064 nm Nd:YAG激光测定了即时沉积和退火后各HfO2薄膜的抗激光损伤能力.研究发现,ALD HfO2薄膜的激光损伤阈值最高,EBE HfO2薄膜次之,IBS HfO2薄膜的损伤阈值最低;300°C退火对各工艺薄膜抗激光损伤能力的影响均为负面,500°C退火则会显著降低ALD HfO2薄膜的抗激光损伤能力.

摘要： 在可见光及近红外光波段(400-1100 nm),选用Ti3O5、SiO2、MgF2三种镀膜材料,构成10层膜系结构,利用Willey减反射膜经验公式,计算得到理论的平均反射率为0.46％,其优化后为0.5％.进一步优化膜层结构、离子源辅助镀膜和电子束蒸发装置,在低折射率基板K9玻璃表面制备10层结构的超宽带减反射膜.实测结果表明,减反射膜在400-1100 nm波段的平均反射率为0.56％,满足宽波段增透膜的高透过性需求;环测表明:薄膜牢固度、机械强度、抗恶劣环境性能优越,连续生产的光学及表面性能稳定,达到民用、军用影像系统对于可见至近红外波段高透过性的要求.

摘要： 半球谐振子金属化是半球谐振陀螺研制过程中的重要环节,针对半球表面薄膜制备均匀性难以实现的问题,提出了一种将薄膜沉积实验和光学模拟相结合的方法.本文采用电子束蒸发技术在半球上沉积Au薄膜,过渡层金属为Cr,利用台阶仪测量球面上不同位点的薄膜厚度,将平面上的膜厚等效为半球曲面上的膜厚,研究球面薄膜的均匀性,得出了如下结论:在半球内外表面上薄膜的膜厚逐渐减小,外球面上球顶处膜厚为唇沿处的6.1倍,而内球面上球顶处膜厚为唇沿处的3.26倍;同时对薄膜沉积均匀性进行了光学模拟,将半球探测器上辐照度等效为实验中沉积所得到的薄膜厚度,计算得出的半球探测器上辐照度分布与实验测量结果一致性较好,可为半球谐振子纳米薄膜的均匀性制备提供理论基础.

摘要： 本文主要介绍SiO2-Al2O3混合透明阻隔膜的制备方法和性能。

摘要： 利用电子束蒸发技术以不同的沉积方式并经高温退火处理制备FeSi2薄膜，用XRD、FESEM和AFM手段对薄膜样品进行了表征，主要探讨了不同的蒸发沉积方式对薄膜结构的影响。结果表明直接蒸发FeSi2源以及蒸发Fe与Si源沉积Si／Fe／Si三层膜这两种方式得不到结晶质量较好的FeSi2材料，交替沉秘Fe、Si多层薄膜并经过900°C退火处理后样品出现了FeSi2相。

摘要： 用放电等离子体烧结技术（SPS）制备Si:Co靶，并用电子束蒸发技术制备了Si:Co稀磁半导体薄膜。薄膜分别在200 oC、300 oC、400 oC下退火10分钟，利用交变梯度磁强计分别测量退火前后各组样品的磁性，结果显示，在300 oC下退火的样品磁性最强，200 oC下退火的磁性次之，未退火的磁性最弱。实验中还对样品进行了XRD测量，结果表明样品为非晶态。实验说明，电子束蒸发是制备硅基稀磁半导体的有效方法。

摘要： 聚醚醚酮(PEEK)材料具有出色的力学性能和良好的生物相容性,且因其与天然牙颜色相近,具有作为美学种植修复材料的潜力.值得注意的是,其弹性模量与人体骨组织较为匹配,可有效减少应力遮挡造成的骨吸收和骨萎缩论文采用电子束蒸发技术(EBE)对PEEK进行表面改性，以提高其骨整合效果，为新型高分子种植体材料在口腔领域的运用提供新思路。

摘要： 实现硅基光互连现在亟待解决的问题是获得与当今集成电路制造工艺兼容的高效硅基光源.掺铒硅基材料由于其发光峰位于1.54μm光通信波段而备受瞩目.同时为了达到足够的光增益,足够高的铒浓度是必要的.于是铒含量高达1022cm-3的硅酸铒材料便受到了广泛的关注.本文通过电子束蒸发(EBE)制备了掺有不同铒含量的二氧化硅薄膜。表1列出了各个薄膜中的铒含量。由于Er203和Si02混合靶材中Er203和Si02的熔点相差较大，薄膜呈现出明显的分层结构。经过1100°C以上的热处理，薄膜中铒浓度较高的薄层形成了硅酸铒结晶。

摘要： 高温下仍能保持低电阻率、高可靠性的金属引线电极是抗恶劣环境的MEMS压力传感器芯体的重要组成部分.高温环境金属电极层与层之间的相互反应和扩散会导致电极电阻率升高甚至导致彻底的接触失效.本文提出了以TiN作为阻挡层的材料隔离型引线电极制作方法,在蓝宝石(SOS)压力芯片上设计了以TiN作为阻挡层的多层金属电极(Ti/TiN/Al),通过电子束蒸发和磁控溅射方法进行了样品制作.通过对样品的测试,证明多层金属电极(Ti/TiN/Al)在400°C环境下能够保持正常工作,伏安特性曲线线性度良好.

摘要： 采用真空电子束蒸发法制备TiO2/SiO2 双层减反射膜,实现宽波段范围内的低反射率,以满足砷化镓三结太阳电池对入射光的需求.主要研究了基片温度、电子束流和充氧量对TiO2、SiO2 单层膜性能(膜层厚度、折射率)的影响.研究过程中,按照三因素两水平的正交实验进行,用分光光度计对TiO2、SiO2 薄膜样品的折射率进行测试.实验结果显示,两种氧化物介质膜的折射率均随基片温度和束流的升高而增加,随氧压的升高而降低,工艺参数对TiO2 膜性能影响较大.

摘要： 采用电子束反应蒸发金属铪、APS 离子辅助反应蒸发氧化铪、RF 离子辅助反应蒸发氧化铪三种方式制备了单层HfO2 薄膜,对样品的光学性能、结构特性以及抗激光损伤特性进行了研究。结果表明，离子辅助使氧化铪薄膜更为致密。电子束蒸发氧化铪薄膜为非晶态，离子辅助制备氧化铪薄膜为晶态。选择合适的离子辅助工艺，有利于降低薄膜的缺陷吸收，提高氧化铪薄膜的抗损伤性能。

摘要： 采用电子束蒸发倾斜角沉积镀膜方法在硅片和石英片基底上制备单层纳米柱状二氧化硅减反射薄膜。通过改变工艺参数,获得了纳米柱状薄膜,降低了表面反射.基底材料对表面反射影响较大.硅片基底的纳米薄膜在770nm处反射率达到最低,为11.86％;石英基底纳米薄膜在1100nm处反射率最低,为3.23％.

摘要： 我们使用电子束蒸发交替蒸镀多层的碲、镍亚层，经过热处理制备出了碲镍化合物。研究了不同碲、镍原子比的薄膜经过不同温度退火的结构。发现退火温度比较低时候，除了存在非晶态的物质外，还有晶态Te，NiTe，NiTe2。随着退火温度的升高晶态碲单质消失。将NiTeχ薄膜用作CdTe多晶薄膜太阳的背接触层，二极管因子减小，载流子浓度增加，太阳电池器件性能得到明显改善，转换效率大幅度提高。

摘要： 采用电子束蒸发的方法在锗衬底上制备了超薄HfO2薄膜，并进行了氮气中的干/湿法退火。采用XPS和椭偏仪测试分析了退火前后样品的化学组成分布与光学性质。发现在生长的HfO2薄膜中以GeOx的形式混入了大量的Ge，并使得退火后HfO2转变为锗酸铪。干/湿法退火使得GeOx的氧化态提高，尤其在湿法退火时，Ge被完全氧化为GeO2。随着退火时间增加，干法退火的HfO2变化不大，而湿法退火的样品的表面则逐渐被新生成的GeO2覆盖。由此推断混入HfO2薄膜的GeOx来自于裸露的Ge衬底在一定温度下生成的气态GeO。

摘要： 超高真空系统中的电子束蒸发源，包括棒状金属源材料即金属源棒、正高压电源、遮板(8)和生长速率计(9)的组合体、离子收集片(7)、灯丝(5)、定位孔柱(4)、金属源棒(3)外围为冷却水罩(6)，灯丝支架的金属柱(1)以及线性驱动器(2)，正高压电源施加金属源棒正高压，阴极灯丝发射的热电子；金属源棒被热电子轰击加热到足够高的温度后以非常低的速率发射出金属源原子束成为蒸发源，蒸发源上设有一个遮板(8)，在停止蒸发的时候遮挡蒸发束，遮板上设有一个同心孔，在遮板打开薄膜生长的时候让蒸发束通过；定位孔柱来活络限定源棒在轴向的进动，并使源棒在调整位置的时候也始终在蒸发源竖直中心上，蒸发源发射路径上有一个离子收集片。

摘要： 本发明公开了一种超高真空电子束蒸发器、电子束镀膜装置，其中，包括：超高真空金属密封法兰、设置在所述超高真空金属密封法兰第一侧的升降机构、设置在所述超高真空金属密封法兰第二侧的水冷屏蔽桶、位于所述水冷屏蔽桶内并依次排列的材料承载坩埚、电子发射器以及蒸发离子流检测器；所述升降机构通过高压聚焦电极杆与所述材料承载坩埚连接，并用于调整所述材料承载坩埚与所述电子发射器之间的间距；所述电子发射器与所述超高真空金属密封法兰连接，所述蒸发离子流检测器与所述水冷屏蔽桶连接。本申请通过采用水冷屏蔽桶，避免蒸镀过程中对其他部件造成干扰或影响，有利于蒸镀中对蒸发速率的控制。

摘要： 本发明公开了一种带阀门隔离蒸发室与卷绕室的电子束蒸发镀膜设备，包括真空容器，真空容器内设有卷绕室和蒸发室，在蒸发室上活动设有隔断蒸发室与卷绕室的阀盖板。本发明提供一种带阀门隔离蒸发室与卷绕室的电子束蒸发镀膜设备，通过阀盖板盖在蒸发室上，可保持蒸发室内的真空环境，可单独预熔，不影响卷绕室内收放卷材，节省生产时间，提高生产效率。

摘要： 超高真空系统中的电子束蒸发源，包括棒状金属源材料即金属源棒、正高压电源、遮板(8)和生长速率计(9)的组合体、离子收集片(7)、灯丝(5)、定位孔柱(4)、金属源棒(3)外围为冷却水罩(6)，灯丝支架的金属柱(1)以及线性驱动器(2)，正高压电源施加金属源棒正高压，阴极灯丝发射的热电子；金属源棒被热电子轰击加热到足够高的温度后以非常低的速率发射出金属源原子束成为蒸发源，蒸发源上设有一个遮板(8)，在停止蒸发的时候遮挡蒸发束，遮板上设有一个同心孔，在遮板打开薄膜生长的时候让蒸发束通过；定位孔柱来活络限定源棒在轴向的进动，并使源棒在调整位置的时候也始终在蒸发源竖直中心上，蒸发源发射路径上有一个离子收集片。

摘要： 本发明公开了一种聚焦电子束蒸发源及蒸发镀膜装置，蒸发源包括：电子束产生装置：用于产生大束流平行电子束；电子束传输装置：用于使所述大束流平行电子束加速后聚集为汇聚束，并传输到电子束最小束斑位置；蒸发材料输送装置：用于在接收到电子束检测装置的检测信号后将丝状蒸发材料输送到所述电子束最小束斑位置；至少一个电子束检测装置：用于检测经过电子束最小束斑位置之后的发散束。本发明的蒸发源可以根据蒸发速率的不同调整电子束产生装置的功率，进而改变电子束的功率密度；蒸发镀膜装置能保证薄膜生长速率高、均匀性好。

摘要： 本发明涉及一种电子束蒸发台坩埚组件的清理方法，属于半导体加工技术领域。操作步骤如下：(1)涂层制作：在使用坩埚上方放置档板，使用氮化硼喷剂在档板上方进行喷涂一层氮化硼，使氮化硼喷剂均匀的分布在坩埚侧壁上，喷涂完成后将档板取走；(2)坩埚使用：蒸镀金属；(3)坩埚侧壁清理。本发明在坩埚侧壁上喷涂氮化硼喷剂，使坩埚侧壁和金属层之间粘附程度较低，方便积聚大量金属层，清理去除操作方便，且氮化硼喷剂涂层能够耐受住1000摄氏度以上的高温环境，保证坩埚内蒸发源能够正常熔化同时，坩埚侧壁上的材料不会发生熔化而流入坩埚内，保证坩埚的正常蒸镀使用。

摘要： 本实用新型公开了一种蒸发坩埚及电子束蒸发卷绕镀膜设备，一种蒸发钳锅，包括底座和设于底座的锅体，底座设有驱动机构和水冷盖板，该驱动机构连接有转臂和转轴，驱动机构驱动转轴转动，转轴带动转臂转动，转臂与水冷盖板连接、带动水冷盖板绕转轴运动，使水冷盖板与底座分开或盖在底座上。一种电子束蒸发镀膜设备，包括上述的蒸发钳锅。本实用新型提供一种蒸发钳锅及电子束蒸发卷绕镀膜设备，蒸发钳锅在镀膜结束后盖上水冷盖板，可快速阻断钳锅温度对镀膜基材的影响，简化常规镀膜设备的边跑膜边降温的操作，提高生产效率。

摘要： 本实用新型属涉及半导体设备技术领域，尤其涉及一种电子束蒸发台蒸发工艺腔体，现提出如下方案，其包括；它包含腔体、基座、固定销、耳板、支撑杆、冷泵抽气管道；所述的腔体外的底部固定有数个基座；所述的腔体内的左右两侧均插设固定有数个固定销，固定销的尾端设于腔体的外侧；所述的腔体外的左右两侧均固定有数个耳板，固定销的尾端固定于耳板上，耳板上设有数个一号螺孔；所述的腔体内的下侧固定有数个支撑杆；所述的腔体的顶部设有进气管口，进气管口设于腔体的外侧，腔体的右侧设有冷泵抽气口；可以实现工艺腔体内的高真空密封性，腔体的单位体积小，且硅片装载数量大；而且冷泵抽速快，操作维护方便。

摘要： 超高真空系统中的电子束蒸发源，包括棒状金属源材料即金属源棒、正高压电源、遮板(8)和生长速率计(9)的组合体、离子收集片(7)、灯丝(5)、定位孔柱(4)、金属源棒(3)外围为冷却水罩(6)，灯丝支架的金属柱(1)以及线性驱动器(2)，正高压电源施加金属源棒正高压，阴极灯丝发射的热电子；金属源棒被热电子轰击加热到足够高的温度后以非常低的速率发射出金属源原子束成为蒸发源，蒸发源上设有一个遮板(8)，在停止蒸发的时候遮挡蒸发束，遮板上设有一个同心孔，在遮板打开薄膜生长的时候让蒸发束通过；定位孔柱来活络限定源棒在轴向的进动，并使源棒在调整位置的时候也始终在蒸发源竖直中心上，蒸发源发射路径上有一个离子收集片。

摘要： 本实用新型涉及一种用于电子束蒸发镀膜的新结构蒸发材料。在块状蒸发材料直接被电子束加热的端面加工一个具有一定尺寸和形状的凹槽，在使用时，将片状或者颗粒状同材质蒸发料放入凹槽内一起熔融蒸发，可以有效较少和避免传统锥台蒸发料在蒸发起始时发生的熔体飞溅，和蒸发过程中的熔体外溢。该实用新型可以应用于目前常用的所有材质的蒸发材料，有利于提高蒸发镀膜质量。