生产测试
生产测试的相关文献在1983年到2023年内共计674篇,主要集中在无线电电子学、电信技术、自动化技术、计算机技术、石油、天然气工业
等领域,其中期刊论文183篇、会议论文4篇、专利文献1301194篇;相关期刊94种,包括油气井测试、电子产品世界、电子测试等;
相关会议4种,包括2011电声技术国际研讨会、第九届计算机工程与工艺全国学术年会、2002年第三届国际煤层气论坛等;生产测试的相关文献由1094位作者贡献,包括不公告发明人、白浪、刘伟等。
生产测试—发文量
专利文献>
论文:1301194篇
占比:99.99%
总计:1301381篇
生产测试
-研究学者
- 不公告发明人
- 白浪
- 刘伟
- 朱杰
- 李会斌
- 李子考
- 王强
- 邹龙
- 陈海滨
- 鲁霖
- 傅英
- 刘昊
- 周童
- 夏华
- 张俊
- 张磊
- 张自训
- 房鸿利
- 方晨
- 曾佳豪
- 朱伟
- 朱洪光
- 李海军
- 李西京
- 林宏华
- 王成玉
- 王玉
- 王琢玉
- 王超
- 祝贺
- 罗欢
- 蒋旭峰
- 赵宏丽
- 赵永飞
- 阙金伟
- 陈铭邦
- 陈阵
- 马威
- J·K·雷纳德斯
- P·K·拉马拉普
- S·S·马尔希
- V·斯里尼瓦桑
- 丁德甫
- 严伟军
- 任龙
- 伊强
- 何川
- 何延龙
- 何旭忠
- 何浪
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白云翔
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摘要:
水平井的产量、经济效益都明显优于直井,但其监测技术仍处于初级发展阶段,存在井下数据采集困难、增产措施实施缺乏可靠依据等问题。本文结合国内外油气田水平井生产实践,介绍水平井找水、剖面测试、砾石充填和测试设备输送等关键技术,总结合理的水平井测试设备组合,并结合实例优化水平井测试工艺。
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摘要:
近日,罗德与施瓦茨公司(以下简称R&S公司)和华为公司共同宣布调试完成LTE-V2X模块DA2300以及路边单元RSU5210生产测试方案。该模块支持最新的3GPP R14PC5通信模式,工作在5.8/5.9GHz band46D和band47。华为RSU是全球首款支持Uu口以及PC5通信模式的路边单元。不久之前,华为公司使用R&S.CMW500宽带无线通信测试仪以及R&S.SMBV100A矢量信号发生器完成LTEV2X(简称V2X)模块DA2300(搭载巴龙765芯片)以及RSU的研发测试。这次使用R&S.CMW100无线通信生产测试仪v06版本和R&S.SMBV100A矢量信号发生器进行了V2X模块以及RSU的生产测试。
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刘斯迪
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摘要:
连续油管水平井生产测试技术中,要求生产系统和测试系统在油井井身结构中并存;在油井正常生产情况下,将测试仪输送到水平井段,对水平井段的分段产出情况、主力产出层段等数据进行准确监测.由于水平井井身结构复杂,常规技术根本无法满足测试需求.通过双管双悬挂测试井口、连续油管注入头支架的合理设计、精确计算和现场试验,验证了技术的可靠性.
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王魁1
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摘要:
针对武器装备生产测试深度及覆盖程度不足、生产中潜在故障难以充分暴露的现实问题,提出了测试参数体系分析技术。通过分析产品各级测试及其关联关系,建立并完善产品的测试参数体系,为研制、生产及使用提供规范、合理的测试方案,有利于简化测试、提高测试效率。
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任强
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摘要:
采用井口泵注缓蚀剂防腐、连续油管输送存储式FSI生产测试工艺,攻克了高含硫水平气井测试防腐措施、连续油管选材、井控设备与工具配套以及地面流程工艺配合等技术难题.该技术在普光成功应用,首次成功测得高含硫水平井产气剖面,掌握了气井产出情况,为气田合理开发提供依据,也为同类型水平井产剖测试提供了借鉴手段.
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摘要:
近日,由广州众彩数码科技有限公司(以下简称“广州众彩”)研发的新型纳米无水印花材料研发成功,并完成了生产测试。经SGS检测,应用此材料的印花产品各项指标均符合GB 18401—2016《国家纺织产品基本安全技术规范》的要求。该新型纳米无水化印花材料包括无水化印花处理剂和无水化纳米印花墨水。经过无水化印花处理剂处理的面料即可使用无水化纳米印花墨水进行直喷数码印花,面料烘干后即可交付,大幅简化了印花工艺流程(面料预处理→低温或常温烘干→直喷印花→烘干→交付),不再需要蒸化、水洗等高耗能、高污染的后处理工序,节约了大量的生产耗材,印花成本大幅降低,且实现了无污染排放。由该新型纳米无水化印花材料加工的面料适用范围广,目前除化纤长丝面料外都可使用此印花材料进行无水化印花。
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高军
- 《NCIS2002第十二届全国信息存储学术会议》
| 2002年
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摘要:
Flash Memory以轻巧,高存储密度,低功耗,可重复擦写的特性,在嵌入式系统和消费类电子中获得了广泛应用.随着ASIC设计进入系统级芯片(System-On-Chip)时代,通过IP复用的方式,在一个芯片上可以集成越来越多的器件.与一般的RAM和ROM不同,Flash Memory必须先擦除以后才能改写,同时擦除和改写需要比较长的时间,有一定的擦除次数限制.针对Flash Memory的特点,本文分析了系统级芯片内嵌Flash Memory设计需考虑的一些问题.通过一个集成PAGER控制芯片设计实例,从逻辑设计的角度,讨论了写和擦除的屏蔽、在线编程(ISP)、数据保护、生产测试等,希望对内嵌Flash Memory设计有一定的借鉴意义.
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