珞巴族

摘要： 西藏歌舞艺术历史悠久,种类繁多,珞巴族歌舞作为西藏众多歌舞种的一支,在历史发展过程中,逐渐形成自己独具特色的民族文化特征。在日益重视传统文化传承保护与现代文化严重冲击的当下,积极、科学、正确地研究珞巴族歌舞艺术生存、发展、弘扬,不仅可以丰富其歌舞艺术内容,最重要的是如何在当下社会大环境中得到更加有效的传承、保护及发展。

摘要： 珞巴族是中国56个民族中极具个性的少数民族之一,主要生活在我国西藏东南部丛林地区。在长期发展过程中,受特殊地理环境和生产生活方式的影响,形成了自己独特的民族文化,其中民间音乐作为一种特殊的文化载体,承载着珞巴族诸多民族文化信息。“夹英”是珞巴族民间音乐中最具代表性的民歌之一,也是珞巴族文化的重要组成部分。对“夹英”音乐本体的曲式结构、节奏特性、调式调性、旋律线条等内容进行深入研究,有利于揭示民间音乐“夹英”形成文化个性的元素和社会功能。

摘要： 西藏少数民族民居建筑艺术面临着文化交融迭代、自我演化等重大机遇。以文化人类学视域探寻其保护与更新策略,建构与文化人类学“民族文化起源—民族文化发展与演变—民族文化生产与再生产”紧密耦合的“民族文化溯源—民居建筑艺术特征及价值求证—民居建筑艺术文化物化及符号化”三个层次递进的少数民族民居建筑艺术保护、更新的策略与路径,并以隆子县斗玉珞巴族村民居建筑更新为典型案例。

摘要： 位于西藏东部的林芝市,是一个以藏族为主体,汉族、门巴族、珞巴族、回族、怒族、独龙族、纳西族等35个民族和睦相处的多民族聚居区。近年来,林芝市把民族团结进步事业作为基础性事业来抓,深入推进各民族交往交流交融,各民族在这片美丽富饶的土地上共同绘就和谐林芝的大美画卷。

摘要： 文章从关注现代化进程中珞巴族传统体育面临的困境出发,认为在现代文明的进程中,珞巴族群众的生产生活方式、文化观念发生了变化,昔日的狩猎观念已不存在,造成了珞巴族传统体育的弱化与变迁。提出珞巴族传统体育的传承路径应从重视非遗保护、与旅游业、与民俗节庆相结合以及全民健身发展与学校教育等方面入手。

摘要： 2021年1月,西藏民族大学陈立明教授的著作《西藏民族关系研究——以藏门珞民族关系为中心》由中国社会科学出版社出版,该书系作者主持的国家社科基金项目结项成果,全书共计49万余字。藏族、门巴族和珞巴族以及僜人和夏尔巴人,是世居于西藏高原的古老民族和族群。藏门珞从遥远的古代起就有着紧密的政治、经济和文化联系,他们共同创造了光辉灿烂的西藏文化,为缔造、开发和保卫祖国西南边疆做出了重大贡献。该书根据大量的历史文献和田野调查材料,从政治、经济和文化等方面系统全面研究了藏族和门巴族、珞巴族以及僜人和夏尔巴人的关系,梳理和解析了藏门珞民族关系的丰富内涵,将补充和丰富我国民族关系史的内容。

摘要： 随着现代文明的快速发展和城镇化建设的加快,珞巴族民族文化尤其是传统体育文化在现代生活中受到冲击而改变,这种改变意味着珞巴族传统体育文化已日渐式微.只有充分认识珞巴族体育传统文化的重要性,加强对珞巴族体育文化的认知,挖掘其自身特性,才能服务于西藏地区的乡村文化建设,丰富珞巴族群众文化娱乐内容,弘扬民族文化.

摘要： 一、概述墨脱(Medog),意为“隐秘的莲花”。墨脱县是西藏自治区林芝地区下属的一个平凡的小县城。它是全国最后一个通公路的县城,直到2013年才正式通车。我校以“和而不同,同则不继”为办学理念,在我校就读的学生涵盖了汉族、藏族、彝族、门巴族和珞巴族,在一个融合多民族学生的校园里,培养多民族学生之间团结协作显得尤为重要。而科学课程的基本理念的第一点就是.

摘要： 珞巴族属于无文字民族,历史上民族文化的传承主要依赖世世代代的口耳相传,由此产生了大量的口述文献.这些口述文献不仅是研究珞巴族的“活化石”,也是传承和延续珞巴族民族记忆最有效的方式之一.综合分析当前对珞巴族口述文献收集与整理的现状与问题,需通过加强领导、重视对口述文献的普查,上下联动、全面收集口述文献,多方合力、共同推进口述文献的保护,加强培训、打造专业化团队,加快数字化传承与保护的进程等措施加快珞巴族口述文献的收集与保护.

摘要： 藏族、门巴族和珞巴族是生活在西藏的古老民族，从遥远的古代起，藏族、门巴族和珞巴族就有着密切的交往，在政治、经济和文化上有着紧密的联系。这种交往和联系，促进了藏族、门巴族和珞巴族社会和文化的发展，他们共同为开拓和建设祖国西南边疆作出了历史性的贡献。

摘要： 一种芳香族聚酯，作为构成单元，其包含：(A)下述式(a)所表示的重复单元、(B)芳香族二羧酸来源的重复单元、(C)选自芳香族二胺及具有羟基的芳香族胺中的芳香族胺来源的重复单元、和(D)芳香族二醇来源的重复单元；相对于(A)至(D)的重复单元的合计，(A)的重复单元的含有率为10摩尔％以上且小于20摩尔％，(B)的重复单元的含有率超过40摩尔％且为45摩尔％以下，(C)的重复单元和(D)的重复单元的合计含有率超过40摩尔％且为45摩尔％以下，(D)的重复单元的含有率超过0摩尔％且小于15摩尔％。‑O‑Ar1‑CO‑ (a)式中，Ar1表示1,4‑亚苯基、2,6‑亚萘基或4,4’‑亚联苯基；Ar1所表示的基团中的至少一个氢原子任选分别独立地被卤素原子、烷基或芳基取代。

摘要： 本发明提供使氮化铬层面内的三棱锥形状的氮化铬微晶所占的面积比率提高的III族氮化物半导体元件制造用基板的制造方法。该III族氮化物半导体元件制造用基板的制造方法的特征在于，其具备：成膜工序，在生长用基底基板上形成铬层；氮化工序，通过在规定的条件下氮化该铬层，从而形成氮化铬层；晶体层生长工序，在该氮化铬层上外延生长至少一层III族氮化物半导体层，其中，前述铬层通过溅射法以溅射粒子射程区域的成膜速度为

摘要： 本发明提供使氮化铬层面内的三棱锥形状的氮化铬微晶所占的面积比率提高的III族氮化物半导体元件制造用基板的制造方法。该III族氮化物半导体元件制造用基板的制造方法的特征在于，其具备：成膜工序，在生长用基底基板上形成铬层；氮化工序，通过在规定的条件下氮化该铬层，从而形成氮化铬层；晶体层生长工序，在该氮化铬层上外延生长至少一层III族氮化物半导体层，其中，前述铬层通过溅射法以溅射粒子射程区域的成膜速度为

摘要： 公开不仅在生长温度为1050°C下或低于1050°C的AlGaN、GaN或GaInN的情况下，而且在生长温度高并且具有高的Al组成的Al

摘要： 本发明提供一种催化活性的降低得以抑制、能高效地制造芳香族烃的芳香族烃制造用催化剂结构体以及具备该芳香族烃制造用催化剂结构体的芳香族烃制造装置。本发明的芳香族烃制造用催化剂结构体的特征在于，具备：多孔质结构的载体，由沸石型化合物构成；以及至少一种催化剂物质，存在于所述载体内，所述载体具有相互连通的通道，所述催化剂物质为金属微粒，存在于所述载体的至少所述通道。

摘要： 一种芳香族聚酯，作为构成单元，其包含：(A)下述式(a)所表示的重复单元、(B)芳香族二羧酸来源的重复单元、(C)选自芳香族二胺及具有羟基的芳香族胺中的芳香族胺来源的重复单元、和(D)芳香族二醇来源的重复单元；相对于(A)至(D)的重复单元的合计，(A)的重复单元的含有率为10摩尔％以上且小于20摩尔％，(B)的重复单元的含有率超过40摩尔％且为45摩尔％以下，(C)的重复单元和(D)的重复单元的合计含有率超过40摩尔％且为45摩尔％以下，(D)的重复单元的含有率超过0摩尔％且小于15摩尔％。‑O‑Ar1‑CO‑ (a)式中，Ar1表示1,4‑亚苯基、2,6‑亚萘基或4,4’‑亚联苯基；Ar1所表示的基团中的至少一个氢原子任选分别独立地被卤素原子、烷基或芳基取代。

摘要： 本发明提供使氮化铬层面内的三棱锥形状的氮化铬微晶所占的面积比率提高的III族氮化物半导体元件制造用基板的制造方法。该III族氮化物半导体元件制造用基板的制造方法的特征在于，其具备：成膜工序，在生长用基底基板上形成铬层；氮化工序，通过在规定的条件下氮化该铬层，从而形成氮化铬层；晶体层生长工序，在该氮化铬层上外延生长至少一层III族氮化物半导体层，其中，前述铬层通过溅射法以溅射粒子射程区域的成膜速度为

摘要： 本发明提供使氮化铬层面内的三棱锥形状的氮化铬微晶所占的面积比率提高的III族氮化物半导体元件制造用基板的制造方法。该III族氮化物半导体元件制造用基板的制造方法的特征在于，其具备：成膜工序，在生长用基底基板上形成铬层；氮化工序，通过在规定的条件下氮化该铬层，从而形成氮化铬层；晶体层生长工序，在该氮化铬层上外延生长至少一层III族氮化物半导体层，其中，前述铬层通过溅射法以溅射粒子射程区域的成膜速度为

摘要： 公开不仅在生长温度为1050°C下或低于1050°C的AlGaN、GaN或GaInN的情况下，而且在生长温度高并且具有高的Al组成的Al

摘要： 提供第III族氮化物半导体用外延基板、第III族氮化物半导体元件和第III族氮化物半导体用自立基板，其产生不仅用于具有1050°C以下生长温度的材料如AlGaN、GaN和GaInN、而且用于具有高生长温度的高铝Al