溶度积常数

摘要： 难溶电解质在水中存在溶解平衡。利用电导率传感器测量难溶电解质PbI;悬浊液的稀释过程,论证溶解平衡的存在并获得溶度积常数。通过对比实验,测量溶液的电导率证明难溶电解质也存在溶解平衡的同离子效应和溶度积常数的温度效应。

摘要： 《普通高中化学课程标准(2017年版2020年修订)》明确要求:认识难溶电解质在水溶液中存在沉淀溶解平衡,了解沉淀的生成、溶解与转化。溶度积常数(K_(sp))的应用是教学的难点之一,它可以有效地解决难溶电解质溶解性大小的比较、分析等温条件下沉淀溶解平衡移动方向、判断平衡状态时溶液中各微粒浓度的定量关系、调控沉淀完全时的pH范围、多重平衡常数融合等问题。

摘要： 化学学科核心素养要求考生:“认识化学变化有一定限度,是可以调控的。能多角度、动态地分析化学反应,运用化学反应原理解决实际问题。”平衡常数是定量研究可逆反应平衡移动的重要手段,对研究物质在可逆反应中的行为起着重要的作用。从近几年高考考纲要求与高考试题呈现情况来看,沉淀溶解平衡在高考中的要求逐年提高。溶度积常数可以对变化观念与平衡思想和数学运算能力进行双重考查,考题灵活多变、常考常新,现将考题中常考考点整理如下。

摘要： 化学是一门以实验为基础的学科,化学实验是实现教学目标的重要方法和途径。新课标要求在内容选择上精心设计学生必做实验,同时适当增加数字化实验、定量实验和创新实践活动等,让学生在实验探究活动中学习科学方法,认识科学探究过程,体会、认识技术手段的创新对化学科学的重要价值[1]。难溶电解质在水溶液中存在的溶解平衡是一个重要的化学平衡。笔者利用电导率传感器进行实验探究,引导学生论证溶解平衡的存在,体验溶度积常数的获得,判断溶解平衡的移动。

摘要： 溶度积常数见于人教版高中化学教材选修4《化学反应原理》第65页的"科学视野",虽然课本只作简要介绍,但纵观近年高考试题,溶度积常数俨然成为考查热点,且最新考试大纲中指出:理解溶度积(Ksp)的含义,能进行相关的计算.本文将从溶度积常数考查的类型进行阐述,以待高三复习时快速解决溶度积相关问题.

摘要： 溶度积常数见于人教版高中化学教材选修4《化学反应原理》第65页的"科学视野",虽然课本只作简要介绍,但纵观近年高考试题,溶度积常数俨然成为考查热点,且最新考试大纲中指出:理解溶度积(Ksp)的含义,能进行相关的计算.本文将从溶度积常数考查的类型进行阐述,以待高三复习时快速解决溶度积相关问题.

摘要： 本发明提供了一种具有多孔结构的超低介电常数的层间介质的淀积方法，其适用于各层金属间以及第一层金属与硅之间的介质材料的淀积，包括以下步骤：在金属层或者硅片上淀积一层刻蚀停止层；淀积一层第一层超低介电常数薄膜；利用紫外光线照射或热处理所述第一超低介电常数薄膜，得到第一多孔材料层；淀积一层第二层超低介电常数薄膜；对硅片进行光刻，在硅片上刻蚀出集成电路的沟道；对硅片进行化学机械抛光，使所述第二超低介电常数薄膜露出；对硅片进行紫外光线照射，形成第二多孔材料层。本发明的多孔材料的层间介质的淀积方法，通过增设一层可以防止化学机械抛光过程中的化学试剂渗入多孔材料的孔隙，而引起的介电常数升高等问题。

摘要： 本发明公开一种低介电常数氧化硅薄膜的化学气相淀积方法，该氮化硅薄膜生长在位于淀积室中的衬底上。其过程包括：将衬底清洗后放在工艺室中；对工艺室抽真空；设定工艺条件；将硅源气体与氧化源气体先混合后再通入工艺室，利用电子回旋共振效应产生等离子体，并在衬底上淀积氧化硅薄膜，该工艺条件是：硅源气体流量为5～50标准状态毫升每分钟，氧化源气体流量为50～150标准状态毫升每分钟；工艺室压力为1.0帕～4.0帕；微波功率为1000瓦～3500瓦；衬底温度为室温～100°C；衬底转动速率为60转/每分钟。本发明在100°C以下低温下均匀淀积介电常数接近3.2的氧化硅薄膜，具有介电常数低，淀积速率高、工艺温度低、大面积均匀的优点，可用于集成电路互连介质或某些光学器件材料的制作。

摘要： 本发明公开了一种在GaAs基材料上原位淀积高介电常数Al2O3和金属膜的方法。采用EB真空蒸发，用高纯Al2O3颗粒和金属作蒸发源材料，在一台EB蒸发台内先后完成高介电常数Al2O3膜和金属膜的两种膜蒸发淀积，具体过程为：对GaAs基材料的基片进行清洗；在清洗干净的GaAs基片上光刻图形；将光刻后的片子装入EB的反应室中，对其抽真空达预定值，用氩离子活化GaAs基片表面；再设定源材的密度D和Z系数，置高压为10KV，根据源材的不同加上不同蒸发电流；分别进行Al2O3膜的蒸发和金属膜的蒸发淀积；当膜厚达到要求值后速将电流减为0，取出片子将蒸发到片子上的Al2O3/金属，或金属/Al2O3进行剥离。本发明不仅降低了成本，而且工艺简单，膜质量好，可用于GaAs基器件和IC的大量生产。

摘要： 本发明公开了一种GaN基化合物材料上原位淀积高介电常数Al2O3和金属膜的方法。采用电子束真空蒸发、在GaN基化合物材料上用4N以上高纯度Al2O3颗粒和高纯金属膜作蒸发源，其工艺过程是：先清洗片子和光刻蒸发窗口；然后将片子装入电子束蒸发台的反应室中，室温下先蒸发Al2O3薄膜，后蒸发金属膜，或先蒸发金属膜，后蒸发Al2O3；蒸发时抽真空在1.8×10-3Pa以上，用氩离子轰击基片；最后，设定Al2O3和待蒸发金属的密度和系数，将电子束高压置10kv，电子束电流根据所蒸发材料的要求加上不同的值，待膜厚达到预定值后，迅速将电流减为0，取出片子进行剥离。本发明具有使用设备少、成本低、环境污染少，工艺简单、生成膜质量好、可用于GaN基微电子器件和IC的批量生产。

摘要： 本发明公开了一种在磷化铟材料上原位淀积高介电常数三氧化二铝和金属膜的方法。采用EB真空蒸发，用99.99%以上高纯度三氧化二铝颗粒和金属作蒸发材料，其具体过程是：先清洗片子，进行光刻，蒸发窗口；然后将基片装入EB蒸发台的钟罩内，抽真空至1.8×10-3Pa以上；用Ar离子活化InP片子表面，并设定三氧化二铝和金属的密度系数，将蒸发电压置10KV，根据所蒸材料加上不同值的蒸发电流，分别进行Al2O3膜的蒸发和金属膜的蒸发淀积，待膜厚达到预定值后速将电流减为0，最后将片子上的三氧化二铝和金属通过剥离方法留下所需部分。本发明只需一台设备，降低了成本，减少了环境污染，工艺简单，生成膜质量好，可用于InP基器件和IC的量产。

摘要： 本发明涉及一种用于汽相淀积低介电绝缘层的方法，更具体地，涉及一种可显著改善汽相淀积速度同时保持低介电绝缘层性能的用于汽相淀积低介电绝缘层的方法，从而解决寄生电容问题以获得高开口率结构，而当通过CVD或PECVD法汽相淀积绝缘层以形成用于半导体装置的保护层时，利用硅烷气体可以缩短加工时间。

摘要： 本发明提供一种溶度积驱动电解液中稀土元素富集及定量的方法，属于分析化学理化检验技术领域，具体步骤为：稀土钢电解样品除去夹杂物后，蒸干有机溶剂后补少量盐酸，定容后，作为待测液待分取测定；分取部分待测液于的玻璃烧杯中，添加溶解在水中的抗坏血酸，搅拌溶解后，加入的钇溶液作为富集的载体；然后加入相应溶液并调节pH值为3；将溶液静置10分钟以上后，将沉淀物离心，并将分离的沉淀物用硝酸溶解，定容后待光谱测定用；配制好的浓度系列标准溶液按仪器的设定条件，测定时以含不含稀土元素的样品作为仪器的试剂空白，以浓度为横坐标，原子发射强度为纵坐标绘制工作曲线；仪器依据工作曲线计算出被测元素的质量浓度。

摘要： 本发明提供了一种具有多孔结构的超低介电常数的层间介质的淀积方法，其适用于各层金属间以及第一层金属与硅之间的介质材料的淀积，包括以下步骤：在金属层或者硅片上淀积一层刻蚀停止层；淀积一层第一层超低介电常数薄膜；利用紫外光线照射或热处理所述第一超低介电常数薄膜，得到第一多孔材料层；淀积一层第二层超低介电常数薄膜；对硅片进行光刻，在硅片上刻蚀出集成电路的沟道；对硅片进行化学机械抛光，使所述第二超低介电常数薄膜露出；对硅片进行紫外光线照射，形成第二多孔材料层。本发明的多孔材料的层间介质的淀积方法，通过增设一层可以防止化学机械抛光过程中的化学试剂渗入多孔材料的孔隙，而引起的介电常数升高等问题。

摘要： 本发明公开一种低介电常数氧化硅薄膜的化学气相淀积方法，该氮化硅薄膜生长在位于淀积室中的衬底上。其过程包括：将衬底清洗后放在工艺室中；对工艺室抽真空；设定工艺条件；将硅源气体与氧化源气体先混合后再通入工艺室，利用电子回旋共振效应产生等离子体，并在衬底上淀积氧化硅薄膜，该工艺条件是：硅源气体流量为5～50标准状态毫升每分钟，氧化源气体流量为50～150标准状态毫升每分钟；工艺室压力为1.0帕～4.0帕；微波功率为1000瓦～3500瓦；衬底温度为室温～100°C；衬底转动速率为60转/每分钟。本发明在100°C以下低温下均匀淀积介电常数接近3.2的氧化硅薄膜，具有介电常数低，淀积速率高、工艺温度低、大面积均匀的优点，可用于集成电路互连介质或某些光学器件材料的制作。

摘要： 本发明公开了一种GaN基化合物材料上原位淀积高介电常数Al2O3和金属膜的方法。采用电子束真空蒸发、在GaN基化合物材料上用4N以上高纯度Al2O3颗粒和高纯金属膜作蒸发源，其工艺过程是：先清洗片子和光刻蒸发窗口；然后将片子装入电子束蒸发台的反应室中，室温下先蒸发Al2O3薄膜，后蒸发金属膜，或先蒸发金属膜，后蒸发Al2O3；蒸发时抽真空在1.8×10－3Pa以上，用氩离子轰击基片；最后，设定Al2O3和待蒸发金属的密度和系数，将电子束高压置10kv，电子束电流根据所蒸发材料的要求加上不同的值，待膜厚达到预定值后，迅速将电流减为0，取出片子进行剥离。本发明具有使用设备少、成本低、环境污染少，工艺简单、生成膜质量好、可用于GaN基微电子器件和IC的批量生产。