溅射

摘要： 使用脉冲直流电源、金属Bi和V靶材,在氩气和氧气气氛保护下,通过反应磁控溅射法在不同基板上沉积纳米多孔BiVO;薄膜,然后在空气中进行后退火处理,形成具有光敏性的单斜白钨矿晶体。研究总压力和基底对薄膜晶体结构、形貌、显微组织、光学和光催化性能的影响。结果表明,在石英玻璃基底上沉积的单斜白钨矿结构于250°C开始结晶,薄膜在600°C时达到稳定。即使在较高的溅射压力(>2 Pa)下,薄膜的形貌也相当致密,且嵌有纳米孔。以石英玻璃为基体沉积的薄膜,在4.5 Pa条件下具有最高的孔隙率(52%),最低的能带隙(2.44 eV),且具有最高的在可见光照射下降解罗丹明-B的光催化活性(7h后为26%)。在硅基底上沉积的薄膜表现出最高的光活性(7 h后为53%)。薄膜在UV-Vis吸收光谱中缺乏蓝移,表明光解过程中以发色团裂解为主。

摘要： 阐述物理气相淀积PVD是异质结HJT太阳能电池片生产工艺中的关键设备,它由6个模块组成,包括真空模块、溅射模块、加热模块、传动模块、冷却模块和自动控制模块。为了实现控制设备,开发了一套PVD自动控制系统,由上位机和下位机组成。开发过程采用原型化方法,不断探索,设计出了最终的系统。探讨在建立系统后,进行演化升级的设计与研究过程。

摘要： 金属材料薄膜的光学常数会随膜层厚度发生变化,从而导致薄膜的光谱特性也发生变化。在制备工艺中,不论是热蒸发工艺还是溅射工艺,Ni80Cr20(简称镍铬)薄膜在较“薄”和较“厚”的时候光谱中性度都较差,并且其光谱特性趋势相反。理论计算结果表明,增加镍铬合金中Cr(铬)的比份可以提高“薄”膜的中性度,而“厚”膜则需要提高Ni(镍)的比份。针对光谱特性相反的“薄”膜和“厚”膜,分别提出了“有意分馏”和增加镍的比例的方法来改善光谱的中性度。试验结果表明:为改善膜层的中性度,低密度时可采用“有意分馏”的热蒸发工艺来提高膜层中铬的含量;而高密度时则可以镀制纯镍。“有意分馏”的热蒸发工艺可将光谱中性度提升至1.8%;纯镍工艺可将OD4的光谱中性度提升至4.6%。所提出的改进的镀膜工艺是有效的,并为光谱检测、光纤通讯、摄影摄像等应用领域的衰减片制备工艺的改进提供了参考。

摘要： 采用溅射法制备了n型碲化镉薄膜。研究了不同沉积时间制备的n型碲化镉薄膜的形貌、结构和光学性质,以及薄膜厚度和退火工艺对n型碲化镉薄膜光电化学特性的影响。实验结果表明,溅射时间为25 min的碲化镉薄膜具有较好的PEC性能。退火工艺可以提高沉积的n型碲化镉薄膜的光电化学性能。当用饱和氯化镉溶液涂覆碲化镉薄膜并在真空中400°C退火时,n型碲化镉薄膜的光电化学性能最佳,光电流达到301μA/cm^(2)。

摘要： 针对目前溅射薄膜压力传感器由于芯片尺寸较大,导致封装尺寸难以小型化、轻量化问题,利用周边固支小挠度理论,结合ANSYS有限元仿真分析软件,进行小尺寸压力芯片的设计,然后采用研磨抛光和离子束溅射沉积等技术研制出压力芯片,并进行封装,形成更小尺寸的压力传感器。通过对传感器性能测试,静态测试精度达到0.058%,测试精度高,而在高低温下的输出漂移优于典型的薄膜压力传感器指标,且通过在长时间工作情况下的零点输出监测情况,证明传感器具有良好的工作稳定性。

摘要： 针对目标磁控溅射台通孔结构侧壁覆盖能力差、镀膜均匀性差(8％左右)的问题进行设备优化改造;通过结构优化,其在高深宽比结构上的镀膜能力显著提升;同时将各类金属镀膜的均匀性指标提升至3.5％左右,提高金属薄膜性能可靠性,满足了工艺上各种高深宽比加工工艺的要求.

摘要： 钼金属具有熔点高、导电导热性好、热膨胀系数低、耐腐蚀性能强及环境友好等优点,利用钼金属加工制备的溅射靶材已广泛应用于电子器件、太阳能电池及玻璃镀膜等领域.随着平面显示器行业和光伏行业的快速发展,钼溅射靶材的需求量越来越大,但目前对被溅射之后的靶材的基础性能研究很少.本文针对溅射后的钼靶材的基础性能做了研究并对其再应用开发进行了总结和讨论.

摘要： 在高温薄膜式热流传感器结构中,热阻层台阶的高度是影响热流传感器输出的重要因素.在热阻层的制备工艺中,需要精准控制台阶的高度和整体薄膜的厚度.目前常用的制备方法为溅射-湿法腐蚀和溅射-湿法腐蚀-溅射两种方法.选用电绝缘性高、硬度高、热导率低的SiO2作为热阻层材料,分析了限制热阻层台阶高度的因素,确定了高台阶的高度低于6μm,低台阶的高度高于500 nm.研究了两种热阻层台阶的制备方法的适用条件,分析了两种方法的优缺点,发现溅射-湿法腐蚀仅适用于基底粗糙度较低的薄膜,溅射-湿法腐蚀-溅射的方法不受粗糙度的限制,但需加宽掩膜板以防止侧蚀损坏薄膜.

摘要： 主要介绍了VO2薄膜的微、宏观相变机理,阐述了溅射法制备VO2薄膜的优势及影响薄膜性能的一些因素,指出了今后VO2薄膜的研究重点.

摘要： 溅射技术现已应用于印制电路板工业中.已有溅射/电镀法制备的二层型挠性覆铜板产品问世.溅射技术还可制备半加成法中的铜籽晶层.作为物理气相沉积技术,溅射无环境污染,是一项环保技术.

摘要： 本文采用溅射法在LTCC基板上沉积金属层,从而克服了LTCC基板微带线耐焊性差及附着力差的缺点,实践效果较好.

摘要： 本文采用分子动力学模拟方法研究了入射角度对Ar+与SiC样品表面相互作用的影响。rn 由模拟结果可知,入射角度对样品原子溅射影响很大。随着入射角度的增加,Si和C原子的溅射量先增加后减小。而且相同入射角度下,Si原子溅射阈值比C原子小,Si原子的溅射量大于C原子的溅射量。初始样品在Ar+以不同角度轰击2000次后的形貌各异。产物中主要以Si和C原子为主,有少量的Si类和C类产物。入射角度对产物Si原子的角度分布影响不是很大,而对产物C原子的角度分布有较小的影响。入射角度对产物Si和C原子的能量分布影响较小,大多原子集中在0至20ev范围内。

摘要： 物理气相沉积(PVD)技术制备的CrN涂层能够很好地提高各种工、模具和机械部件的抗氧化、耐腐蚀和摩擦学性能.溅射和阴极弧源方法的PVD技术在金属离化率的提高及大颗粒的排除等方面有了很大的改进,被广泛用于制备CrN涂层.本文概括了CrN涂层的不同PVD制备技术,讨论了氮气分压、基体偏压及过渡层等沉积参数对CrN涂层制备的影响,综述了CrN涂层的抗氧化、腐蚀性能和摩擦磨损特性.

摘要： 本文运用反应射频溅射的方法进行了TiN薄膜的制备,通过改变关键工艺参数,如氩气氮气比、气体压力等,研究工艺参数对TiN薄膜特性的影响.论文还研究了不同退火工艺条件对薄膜应力的影响,可以实现薄膜低温退火.论文还对TiN的刻蚀和抗腐蚀特性进行了研究,对比了多种湿法对TiN的刻蚀情况,得出常温下TiN具有良好的抗腐蚀特性,并得到干法和湿法刻蚀速率.为TiN材料的MEMS应用打下了基础.

摘要： 本论文采用双离子束溅射沉积技术制备了非晶的Si-SiO2薄膜,XPS的测试表明Si是以单原子或低价氧化物的形态存在于薄膜内;在波长为240nm紫外光的激发下,室温及1000°C退火后Si-SiO2薄膜的PL谱图显示样品中存在峰位分别处于320nm,410nm,560nm,630nm四个相互分离的峰,其发光机制分别为来自中性氧空位缺陷(≡Si-O-O-Si≡2)、双配位硅悬挂键(O-Si-O)、非桥氧空位中心以及其他缺陷所形成的发光中心.

摘要： 本文采用射频磁控溅射法在Si衬底上制备了具有良好C轴取向的附有和没有ITO缓冲层的ZnO薄膜。文章探讨了氧偏压的影响,着重研究了ITO缓冲层对ZnO薄膜紫外荧光的作用。研究发现，ZnO薄膜紫外荧光的峰强随激发功率的增大而增强,并且峰位发生红移,峰强随测量次数大幅增强.分析了产生这些现象的原因。

摘要： 在NaF溶液中的研究结果表明，微晶化使铝在NaF溶液中形成的钝化膜的稳定性变差。对两种材料来说，F有着双重作用，一方面增大F的浓度能促进钝化膜的形成，同时也使得钝化膜更易发生点蚀。当溶液本体中的F的浓度能使铝的阳极行为呈现活化．钝化行为时(≥0.03mol/L)，此时微晶铝的钝化膜为n型半导体膜，而粗晶铝的为p型半导体膜，微晶化使得铝在NaF溶液体系中的半导体类型发生逆转。在Cl-和F-共同存在的溶液中的研究结果表明，Cl-和F-相互竞争作用来影响微晶铝的钝化膜的半导体类型，当Cl-的浓度小于F-的浓度时，F-的作用占主导，钝化膜为n型半导体膜;当Cl-的浓度和F的浓度相当或大于F-的浓度时，Cl-的影响占主导，从而使半导体类型发生逆转，表现为p型。

摘要： 在NaF溶液中的研究结果表明，微晶化使铝在NaF溶液中形成的钝化膜的稳定性变差。对两种材料来说，F有着双重作用，一方面增大F的浓度能促进钝化膜的形成，同时也使得钝化膜更易发生点蚀。当溶液本体中的F的浓度能使铝的阳极行为呈现活化．钝化行为时(≥0.03mol/L)，此时微晶铝的钝化膜为n型半导体膜，而粗晶铝的为p型半导体膜，微晶化使得铝在NaF溶液体系中的半导体类型发生逆转。在Cl-和F-共同存在的溶液中的研究结果表明，Cl-和F-相互竞争作用来影响微晶铝的钝化膜的半导体类型，当Cl-的浓度小于F-的浓度时，F-的作用占主导，钝化膜为n型半导体膜;当Cl-的浓度和F的浓度相当或大于F-的浓度时，Cl-的影响占主导，从而使半导体类型发生逆转，表现为p型。

摘要： 本发明提供溅射靶的加工方法，其是对包含溅射面、前述溅射面的相反侧的相对面、和前述溅射面与前述相对面之间的外周面的溅射靶进行加工的方法，所述溅射靶的加工方法具备：将前述溅射靶的前述溅射面或前述相对面设置于固定台，从而将前述溅射靶固定于前述固定台的工序；和，一边使切削工具沿前述溅射靶的前述外周面的周向旋转，一边利用前述切削工具切削前述溅射靶的前述外周面的工序。

摘要： 本发明提供可以降低突发的粒子的发生、实现膜质和薄膜制造效率提高的溅射靶制造方法。本发明的溅射靶的制造方法是磁控管溅射装置用溅射靶的制造方法，其特征在于，准备靶本体，喷射处理所述靶本体表面的非腐蚀区域，超声波洗涤所述非腐蚀区域，蚀刻或者用洗涤液喷洗所述超声波洗涤过的所述非腐蚀区域，再次超声波洗涤所述非腐蚀区域。

摘要： 本发明提供一种可抑制靶材的机械强度降低并且能够与背衬部件接合的溅射靶部件，和具备这样的溅射靶部件的溅射靶装配体，以及溅射靶部件的制造方法。该溅射靶部件，具有：由氧化物陶瓷烧结体构成的靶材，在所述靶材的至少一侧表面上依次具有由In－Ni合金构成的基底层和含有50质量％以上的铟的接合层。

摘要： 提供一种溅射靶部件，其适于得到具有高功函数以及波长633nm下的折射率1.9～2.1等特性的溅射膜。所述溅射靶部件，由Ga、In、O以及不可避免的杂质形成，Ga/In的原子比为0.90以上且为1.11以下，在EPMA的面分析中，与全部晶相相比(Ga，In)2O3相的面积比率为90％以上。

摘要： 本发明提供一种溅射阴极以及使用该溅射阴极的溅射装置，其可以在包括平板状的被成膜体在内的各种被成膜体上以足够高的成膜速度且低冲击力进行成膜，而且溅射靶的使用效率高。溅射阴极具有溅射靶(10)，所述溅射靶(10)的横截面形状具有管状的形状，且具有彼此相对的一对长边部，所述溅射靶(10)的侵蚀面朝向内侧，并且，沿所述溅射靶(10)设置有磁路，一对长边部由具有圆柱形状的旋转靶(11，12)构成。旋转靶构成为在内部设置有磁路，而且使冷却水流动。磁路平行于旋转靶的中心轴线设置，并且，具有长方形的横截面形状，且横截面形状具有垂直于旋转靶的半径方向的长边。

摘要： 本发明提供一种用于溅射设备的可旋转靶材座装置，其中该靶材座装置适于在该靶材座装置上接收实体靶材圆柱，该可旋转靶材座装置包含：靶材座圆柱(4)，该靶材座圆柱(4)具有侧面(3)、中间部(12)、第一末端区(7)及与该第一末端区相对的第二末端区(9)，其中该第一末端区及该第二末端区至少之一具有基本上等于或小于该中间部的外径的最大外径。

摘要： 本发明提供溅射靶的加工方法，其是对包含溅射面、前述溅射面的相反侧的相对面、和前述溅射面与前述相对面之间的外周面的溅射靶进行加工的方法，所述溅射靶的加工方法具备：将前述溅射靶的前述溅射面或前述相对面设置于固定台，从而将前述溅射靶固定于前述固定台的工序；和，一边使切削工具沿前述溅射靶的前述外周面的周向旋转，一边利用前述切削工具切削前述溅射靶的前述外周面的工序。

摘要： 本发明提供可以降低突发的粒子的发生、实现膜质和薄膜制造效率提高的溅射靶制造方法。本发明的溅射靶的制造方法是磁控管溅射装置用溅射靶的制造方法，其特征在于，准备靶本体，喷射处理所述靶本体表面的非腐蚀区域，超声波洗涤所述非腐蚀区域，蚀刻或者用洗涤液喷洗所述超声波洗涤过的所述非腐蚀区域，再次超声波洗涤所述非腐蚀区域。

摘要： 本发明提供一种溅射阴极以及使用该溅射阴极的溅射装置，其可以在包括平板状的被成膜体在内的各种被成膜体上以足够高的成膜速度且低冲击力进行成膜，而且溅射靶的使用效率高。溅射阴极具有溅射靶(10)，所述溅射靶(10)的横截面形状具有管状的形状，且具有彼此相对的一对长边部，所述溅射靶(10)的侵蚀面朝向内侧，并且，沿所述溅射靶(10)设置有磁路，一对长边部由具有圆柱形状的旋转靶(11，12)构成。旋转靶构成为在内部设置有磁路，而且使冷却水流动。磁路平行于旋转靶的中心轴线设置，并且，具有长方形的横截面形状，且横截面形状具有垂直于旋转靶的半径方向的长边。

摘要： 描述了溅射沉积源(100)。所述溅射沉积源包括：第一溅射电极(110)；以及电源组件(130)，所述电源组件用于向所述第一溅射电极供应电流。所述电源组件包括具有由公共护套(133)包围的多个绝缘芯(132)的线缆(131)。所述线缆可以可选地进一步包括屏蔽布置(140)。另外，描述了一种溅射沉积设备(200)，所述溅射沉积设备包括两个相邻溅射电极，所述两个相邻溅射电极可经由包括多个绝缘芯的线缆供应交流电。