CMP

摘要： 基于PI隔离介质的厚膜金属互连工艺,是一种使用新型低K值材料作为隔离介质,并采用电化学沉积作为主要金属生长方式的金属厚膜互联技术,这种技术将有效解决丝网印刷工艺中的导电层图形分辨率低、导电层厚度不易控制、不易制备高熔点金属厚膜导电层等问题,并且利用新型隔离材料将有效减小工艺中产生的寄生电容.

摘要： 通过APC(Advance Process Control)的建模和研磨实验,研究了APC的闭环控制(Close Loop Control)和开环控制(Open Loop Control)在DSTI CMP(Direct STI CMP)制程中的应用。比较了固定时间、终点监测和闭环APC控制下的氮化硅去除量及晶圆片间差异分布。进一步分析了在双研磨液工艺中一步式研磨自动化过程的开环控制。

摘要： 通过APC(Advance Process Control)的建模和研磨实验,研究了APC的闭环控制(Close Loop Control)和开环控制(Open Loop Control)在DSTI CMP(Direct STI CMP)制程中的应用.比较了固定时间、终点监测和闭环APC控制下的氮化硅去除量及晶圆片间差异分布.进一步分析了在双研磨液工艺中一步式研磨自动化过程的开环控制.

摘要： 更加明晰的农地权利结构和更加完善的权益保障有助于提高农民教育投资意愿、促进城乡要素再配置,从而改善农民的数量结构、提高农民科技文化素质.使用省际面板数据,运用CMP和动态面板等方法实证检验的结果表明,家庭联产承包责任制改革、农地"三权分置"改革均显著促进农村人力资本积累;作用机制检验显示,两次农地产权制度改革主要通过提高土地禀赋的保障程度、扩大城镇人力资本溢出等途径影响农村人力资本积累.应继续深化农地产权制度改革、促进土地流转和新型农业经营主体培育,完善乡村人才振兴政策,促进智力回流和人才引进,实现农村人力资本水平进一步提升.

摘要： 本文从全球及中国角度,对化学机械抛光方法专利的申请态势及国内外重要申请人的关键技术构成进行了分析,并针对磨削方法、测量与指示和磨具修整这三大分支和各二级技术分支的布局与发展情况进行了分析.最后结合我国化学机械抛光乃至半导体制造工业的发展现状给出了总结与建议.

摘要： 水资源是关系农村社会经济发展、农民增收的重要因素.本文从协调政府与农民关于增效与增收的目标出发,以2017年中国环渤海设施蔬菜主产地蔬菜专业村357个蔬菜种植户调研数据为例,运用联立方程组模型及条件混合过程(CMP)、倾向得分匹配方法(PSM)与工具变量分位数(IVQR)方法,对滴灌技术推广的约束因素与增效增收能力进行分析,探索促进中国农业可持续发展的路径.研究结果表明:①水资源稀缺程度较高的蔬菜主产地,种植年限较短,但家庭资本充裕且对节水知识了解程度越高的蔬菜种植户更倾向于采用滴灌技术;②滴灌技术具有明显的增效增收作用,蔬菜种植户采用滴灌技术后,每吨灌溉水产出可增加17.16 kg蔬菜,增收45.90元,具有推广的长效动力;③滴灌技术的产出与经济效应存在“马太效应”,对于生产条件好的农户而言,滴灌技术的产出与经济效应更加明显;④技术供给层面的灌溉制度设计不健全、设备工程设计与质量较差、培训与售后服务不足,农户技术应用层面的专业知识与技术缺乏、与现代农业对接能力弱,以及政府层面的补贴不够科学、到位是影响农户滴灌技术采用积极性的重要因素,需要加以注意,此外,灌溉水价的适当提高,将有助于加快田间节水技术的推广.

摘要： 分析了CMP设备技术、设备供应商及投资要点.

摘要： 使用了四种非离子表面活性剂分别添加到以SiO3水溶胶为磨料、H2O2为氧化剂的碱性铜抛光液中进行抛光试验。结果表明：所选用的非离子表面活性剂对材料去除率的影响不大，当烷基酚聚氧乙烯醚在质量分数为0.25﹪时，抛光表面质量提高，表面粗糙度由Ra=13．54(A)下降到了Ra=8．976(A)，同时有效地减轻了铜抛光表面的划痕和腐蚀，其原因是聚氧乙烯链可以通过醚键与水分子形成氢键，因而在聚氧乙烯周围形成一层溶剂化的水膜保护了被吸附表面。

摘要： 使用了四种非离子表面活性剂分别添加到以SiO3水溶胶为磨料、H2O2为氧化剂的碱性铜抛光液中进行抛光试验。结果表明：所选用的非离子表面活性剂对材料去除率的影响不大，当烷基酚聚氧乙烯醚在质量分数为0.25﹪时，抛光表面质量提高，表面粗糙度由Ra=13．54(A)下降到了Ra=8．976(A)，同时有效地减轻了铜抛光表面的划痕和腐蚀，其原因是聚氧乙烯链可以通过醚键与水分子形成氢键，因而在聚氧乙烯周围形成一层溶剂化的水膜保护了被吸附表面。

摘要： 使用了四种非离子表面活性剂分别添加到以SiO3水溶胶为磨料、H2O2为氧化剂的碱性铜抛光液中进行抛光试验。结果表明：所选用的非离子表面活性剂对材料去除率的影响不大，当烷基酚聚氧乙烯醚在质量分数为0.25﹪时，抛光表面质量提高，表面粗糙度由Ra=13．54(A)下降到了Ra=8．976(A)，同时有效地减轻了铜抛光表面的划痕和腐蚀，其原因是聚氧乙烯链可以通过醚键与水分子形成氢键，因而在聚氧乙烯周围形成一层溶剂化的水膜保护了被吸附表面。

摘要： 使用了四种非离子表面活性剂分别添加到以SiO3水溶胶为磨料、H2O2为氧化剂的碱性铜抛光液中进行抛光试验。结果表明：所选用的非离子表面活性剂对材料去除率的影响不大，当烷基酚聚氧乙烯醚在质量分数为0.25﹪时，抛光表面质量提高，表面粗糙度由Ra=13．54(A)下降到了Ra=8．976(A)，同时有效地减轻了铜抛光表面的划痕和腐蚀，其原因是聚氧乙烯链可以通过醚键与水分子形成氢键，因而在聚氧乙烯周围形成一层溶剂化的水膜保护了被吸附表面。

摘要： 同时多线程(SMT)处理器技术是当前微处理器体系结构的研究热点之一,而单芯片多处理器(CMP)也广泛应用于商用处理器中。为了将SMT处理器技术应用于CMP体系结构中,我们在威斯康星大学的超标量体系结构模拟器Opal的基础上,加入对SMT技术的支持,并且利用C++面向对象技术实现多核处理器的模拟。本文介绍了威斯康星大学开发的模拟器GEMS的组成和结构,它包括体系结构模拟器Opal和存储系统模拟器Ruby等,以及我们在Opal模拟器基础上加入SMT技术的主要设计思想和实现方法。

摘要： 同时多线程(SMT)处理器技术是当前微处理器体系结构的研究热点之一,而单芯片多处理器(CMP)也广泛应用于商用处理器中。为了将SMT处理器技术应用于CMP体系结构中,我们在威斯康星大学的超标量体系结构模拟器Opal的基础上,加入对SMT技术的支持,并且利用C++面向对象技术实现多核处理器的模拟。本文介绍了威斯康星大学开发的模拟器GEMS的组成和结构,它包括体系结构模拟器Opal和存储系统模拟器Ruby等,以及我们在Opal模拟器基础上加入SMT技术的主要设计思想和实现方法。

摘要： 同时多线程(SMT)处理器技术是当前微处理器体系结构的研究热点之一,而单芯片多处理器(CMP)也广泛应用于商用处理器中。为了将SMT处理器技术应用于CMP体系结构中,我们在威斯康星大学的超标量体系结构模拟器Opal的基础上,加入对SMT技术的支持,并且利用C++面向对象技术实现多核处理器的模拟。本文介绍了威斯康星大学开发的模拟器GEMS的组成和结构,它包括体系结构模拟器Opal和存储系统模拟器Ruby等,以及我们在Opal模拟器基础上加入SMT技术的主要设计思想和实现方法。

摘要： 同时多线程(SMT)处理器技术是当前微处理器体系结构的研究热点之一,而单芯片多处理器(CMP)也广泛应用于商用处理器中。为了将SMT处理器技术应用于CMP体系结构中,我们在威斯康星大学的超标量体系结构模拟器Opal的基础上,加入对SMT技术的支持,并且利用C++面向对象技术实现多核处理器的模拟。本文介绍了威斯康星大学开发的模拟器GEMS的组成和结构,它包括体系结构模拟器Opal和存储系统模拟器Ruby等,以及我们在Opal模拟器基础上加入SMT技术的主要设计思想和实现方法。

摘要： 同时多线程(SMT)处理器技术是当前微处理器体系结构的研究热点之一,而单芯片多处理器(CMP)也广泛应用于商用处理器中。为了将SMT处理器技术应用于CMP体系结构中,我们在威斯康星大学的超标量体系结构模拟器Opal的基础上,加入对SMT技术的支持,并且利用C++面向对象技术实现多核处理器的模拟。本文介绍了威斯康星大学开发的模拟器GEMS的组成和结构,它包括体系结构模拟器Opal和存储系统模拟器Ruby等,以及我们在Opal模拟器基础上加入SMT技术的主要设计思想和实现方法。

摘要： 通过对镍磷基板的化学性质分析,讨论了其动力学过程,指出化学反应过程是最慢的过程,是CMP的控制过程,分析了浆料在硬盘基板CMP中的重要性,指出浆料的化学成份是化学作用的关键,研制了新型碱性浆料,研究了碱性浆料下镍磷基板CMP机理,通过络合胺化剂的强络合作用实现了碱性浆料下的高凹凸选择性,获得了较高的去除速率；选用小粒径、低硬度的二氧化硅水溶胶磨料实现了较低的表面粗糙度。

摘要： 本发明揭示一种能够在抑制半导体基板表面的划痕的同时，得到稳定的CMP调节器特性的CMP调节器。第1形态的CMP调节器是通过具备支撑部件、及设置于前述支撑部件的面上的多个硬质磨粒，且前述多个硬质磨粒被规则地排列在前述支撑部件的面上而形成的。第二形态的CMP调节器是通过具备支撑部件、及设置于前述支撑部件的面上的多个硬质磨粒，且前述多个硬质磨粒被规则地、且以自前述支撑部件的内侧至外侧密度逐渐减小的方式被排列在前述支撑部件的面上而形成的。

摘要： 本发明能够确保适当高的研磨速率并且减少研磨时的划伤；本发明提供满足以下(A)～(C)的CMP用二氧化硅、使用CMP用二氧化硅的水性分散液、以及CMP用二氧化硅的制造方法，(A)BET比表面积为40m

摘要： 本发明揭示一种能够在抑制半导体基板表面的划痕的同时，得到稳定的CMP调节器特性的CMP调节器。第1形态的CMP调节器是通过具备支撑部件、及设置于前述支撑部件的面上的多个硬质磨粒，且前述多个硬质磨粒被规则地排列在前述支撑部件的面上而形成的。第二形态的CMP调节器是通过具备支撑部件、及设置于前述支撑部件的面上的多个硬质磨粒，且前述多个硬质磨粒被规则地、且以自前述支撑部件的内侧至外侧密度逐渐减小的方式被排列在前述支撑部件的面上而形成的。

摘要： 本发明提供了一种CMP研磨垫及CMP研磨装置，该CMP研磨垫包括一个圆盘状的研磨垫。还包括设置在研磨表面上的多个圆环形沟槽，多个圆环形沟槽呈同心圆状由研磨垫的中心向研磨垫的边缘依次排布。研磨表面划分为N个研磨区。该N个研磨区包括位于研磨垫中心处且呈圆形第一研磨区，还包括呈同心圆状由研磨垫的中心向边缘依次排布的第二研磨区至第N研磨区。第二研磨区至第N研磨区中的每个研磨区上均穿设有连通该研磨区上任意相邻的两个圆环形沟槽的通孔。通过在第二研磨区至第N研磨区中的每个研磨区上均穿设有通孔，调节不同研磨区中研磨液的量，改善CMP工序中晶圆表面成膜图形的均匀性，提高良率。

摘要： 本发明涉及一种CMP后清洗过程的干燥装置及方法、CMP后清洗装置及方法，属于半导体元器件制造技术领域，解决了现有技术中CMP后清洗过程中顶升装置与晶圆接触的部位异丙醇无法彻底干燥、产生聚集的问题。本发明的CMP后清洗过程干燥装置，包括加热装置，位于异丙醇喷射杆上方，平齐于晶圆顶升装置的最高位置；加热装置用于对异丙醇喷射干燥后的晶圆与顶升装置接触的区域和晶圆下边缘进行干燥。实现了对晶圆的彻底干燥，有效防止了异丙醇聚集和颗粒的产生。

摘要： 一种用于CMP保持环粘接面的加工方法，涉及半导体加工技术领域，其采用喷砂工艺对CMP保持环的粘接面进行处理，使粘接面的粗糙度达到7.0～7.2μm。该处理方法操作简单方便，快速高效，能够使保持环的粘接面达到适宜的粗糙度，从而保证粘结的强度。一种CMP保持环的制备方法，其包括上述用于CMP保持环粘接面的加工方法，其能够快速高效地用于制备保持环，并保证保持环具有足够的粘接强度。

摘要： 本发明公开了一种分体式窗口CMP抛光垫的制备方法，包括对基材雕刻沟槽和一个放置窗口材料的窗口孔洞，然后将基材和衬底通过背胶贴合，再用衬底冲压模具在基材的窗口孔洞位置将衬底冲压出一个衬底孔洞，同时形成窗口支撑块，再用冲压机和窗口材料冲压模具对窗口材料进行冲压，得到成型的窗口材料，之后在窗口支撑块上涂抹一层底涂剂，最后将成型的窗口材料放在窗口孔洞位置，贴于窗口支撑块上；及一种利用此法制备的CMP抛光垫。相较于切片一体化窗口，该后期贴合窗口的方式，使得在制造过程中材料之间不会相互影响，可以解决固化后基材的密度分布不均匀的问题，降低由于温度不均匀而导致拉伸强度的波动，还可有效的降低基材报废率，节约生产成本。

摘要： 本文提供化学机械抛光(CMP)设备及用于制造CMP设备的方法。CMP设备可包括抛光衬垫、抛光头保持环及抛光头膜等等，且可经由诸如三维(3D)打印工艺的增材制造工艺制造CMP设备。CMP设备可包括整合于其中的无线通信设备组件。制造CMP设备的方法包括将无线通信设备3D打印至抛光衬垫中且使抛光衬垫打印有经配置以接收预成型无线通信设备的凹部。

摘要： 本发明公开了一种CMP终点的确定方法、确定系统和CMP系统，该确定方法包括：获取驱动所述抛光盘的电机负载率随时间变化的数据、所述摆臂的摆动角度随时间变化的数据和所述抛光头相对于所述抛光盘中心的摆动距离随时间变化的数据；进而根据以上数据得到归一化摩擦力矩随时间变化的数据；根据归一化摩擦力矩随时间变化的数据得到所述归一化摩擦力矩随时间变化的曲线；根据曲线确定抛光终点。本发明具有如下优点：不需要复杂的滤波计算，计算量小，能够更加实时准确确定抛光终点，进而提升抛光后的成品质量。

摘要： 本实用新型公开了一种自带冲水的CMP抛光装置抛光头，包括连接管、连接盘、负压管、陶瓷盘和喷淋装置；连接管连接在连接盘顶部；连接盘底部非中心位置设有两个以上的负压出口，负压管位于连接管内，负压管底部分支为两路上的负压分路、分别通向各负压出口；陶瓷盘为环状结构，陶瓷盘通过负压吸附在连接盘底部；喷淋装置包括输水管和第一升降机构，输水管位于连接管内侧，输水管的底部设有喷嘴，喷嘴穿出连接盘、但不超出陶瓷盘底部，第一升降机构与输水管连接、并驱动输水管相对连接管上下移动。上述装置实现了衬底在抛光的机械作用结束时，化学反应也能瞬间结束，最大限度的保留了衬底在抛光过程中形成的高质量表面状态；同时降低了后期处理的难度。