氢化非晶硅

摘要： 由于触控侦测阶段的保持电荷损失和驱动晶体管的阈值电压漂移,传统的栅极驱动电路用于高触控侦测率的内嵌式(in-cell)电容触控屏时存在稳定性不佳的问题.本文提出了一种具有两级预充电结构的栅极驱动电路,可有效地减少触控侦测阶段的保持电荷损失量,并抑制驱动晶体管的阈值电压漂移.仿真结果表明,传统栅极驱动电路和新栅极驱动电路的邻近级输出波形延迟时间的差异分别是9.3％和1.6％.在关键晶体管的阈值电压正向漂移10 V后,传统栅极驱动电路和新栅极驱动电路输出波形延迟时间的增加比率分别为120％和2.4％.因此,本文提出的新型栅极驱动电路具有较好的稳定性,适用于高触控侦测率的in-cell电容触控屏.

摘要： 2020年3月31日,荷兰埃因霍芬理工大学(Eindhoven University of Technology)的研究人员宣布发现了一种可转换的光学材料——氢化非晶硅,能够加快光子集成电路的研发和生产。研究项目负责人Oded Raz表示,这是第一个可编程的光子电路,研发人员可以对光子材料本身进行编程和重新设置,并且它不需要任何电力还保持自身的编程状态,这将在一定程度上帮助工程师加速开发光子器件。

摘要： a-Si∶H薄膜作为钝化层,在提高硅异质结太阳能电池效率方面发挥关键作用,工业化生产中通常采用PECVD法制备制备a-Si∶H薄膜。在本文中,首先对关键工艺参数如沉积温度进行了优化,并在160°C下获得了最佳的钝化效果。接着,通过傅里叶变换红外光谱法对a-Si∶H薄膜的微结构进行表征,以探索其钝化机理:低温下制备的a-Si∶H薄膜氢浓度高并有微空洞,从而影响钝化效果;高温下制备的a-Si∶H薄膜消除了微空洞而明显改善钝化质量。但是,过高的沉积温度又会导致a-Si∶H薄膜中微空位的产生从而影响钝化效果。此外,对比了两种典型后退火工艺对钝化效果的影响:一种是基于200°C退火10min,一种是基于450°C退火30s,并对相关钝化机理进行了研究。结果表明,第二种退火方式明显改善样品的钝化效果,主要原因是该退火消除了低温沉积样品中的微空洞和高温沉积样品中的微空位。最后,通过透射电镜研究了退火后的a-Si∶H/c-Si界面微结构,并未观察到影响钝化效果的外延生长。

摘要： 采用等离子束源化学气相沉积(CVD)设备制备氢化非晶硅薄膜。使用台阶仪、UV-Vis-NIR分光光度计、X线衍射仪(XRD)及扫描电子显微镜(SEM)等手段表征样品。分析了该设备沉积的薄膜均匀度,并比较了本设备与普通电子束蒸发设备制备的薄膜表面形貌。实验结果表明,当设备功率为300 W,硅烷/氢气流量比为15∶10,设备腔室气压为7×10-5 MPa,上、下线圈电流比为6∶2时,薄膜沉积速率最大。

摘要： 针对非对称双栅结构的非晶硅薄膜晶体管，根据高斯定理建立了表面势与背电势随栅压变化的隐含关联方程组，通过求解一维泊松方程推导了前、背栅压独立偏置条件下统一的沟道电势模型。该模型所需参数可由实验直接提取，数值拟合量少，在特定条件下可简化为对称双栅模型。在此基础上，文中利用数学变换及Lambert W函数提出了表面势与栅压隐含方程的近似求解方法。数值模拟结果显示，该方法具有良好的数值收敛特性，可直接用于器件仿真软件的初值设定，有效提升了模型自洽解的运算效率。%On the basis of the Gauss’s law, two sets of implicit potential equations describing the changes of surface potential and back one with gate voltage are established for asymmetrical dual gate a-Si:TFT thin film transistors. Then, a unified channel potential model with two independent gates is constructed by solving 1-D Poisson equa-tions.This model can be simplified to a symmetric dual gate model under given conditions.In addition, most of relevant parameters can be physically extracted from real experimental data and only few fitting parameters are in-volved.On this basis, a novel scheme for the approximation of surface potentials is proposed by means of mathe-matical transformation and by using the Lambert W function.Numerical results show that the proposed scheme is of better convergence and the approximation of those potentials can be directly used to set the initial values of simulation tools, which effectively improves the computation efficiency of self-consistent solutions to the constructed model.

摘要： 采用PECVD法在低沉积速率(＜1(A)/s)条件下制备非晶硅,双面钝化n型Cz硅片(40 mm×40 mm),钝化最好的硅片平均少子寿命值为889μs,局部最高近1600μs,用准稳态光电导法测试的平均伪开路电压iVoc达722 mV.对FTIR测试结果分析表明:非晶硅薄膜中的SiH2与SiH键的相对数量对钝化效果具有重要影响.

摘要： 运用分子动力学方法模拟了不同基底温度下在硅(100)表面沉积生长氢化非晶硅薄膜的过程。Si-H体系的原子间相互作用采用Murty-Tersoff势计算。结果得到:随着基底温度的升高,a-Si∶H薄膜表面粗糙度降低,内部致密度提高,H原子、Si-H键和悬挂键密度均减少。进一步分析发现,粗糙度和致密度随基底温度变化的原因是基底温度升高增大了表面原子的扩散能力;而H原子和Si-H键等含量随基底温度升高而下降是因为高温下Si-H弱键更易断键导致。悬挂键密度随基底温度升高而降低则主要是由于内部原子的晶化率增大引起。

摘要： 研究了优等化离子体化气相学沉积法(PECVD)在太阳能级n型直拉单晶(Cz)硅衬底上沉积i-a-Si:H薄膜工艺,得到较好的钝化效果.分析了气体流量和温度、气压等工艺参数对薄膜沉积和硅片钝化效果的影响.通过优化参数,钝化后在太阳能级n型Cz硅片(40×40mm)平均少子寿命值在800μs以上,局部在1500μs以上,得到了钝化后平均表面复合速率S＜9.4cm/s的优良钝化效果；若硅片τbulk为2ms,则S＜5.6cm/s.

摘要： 非晶硅薄膜材料在光伏太阳能电池领域有着广泛的应用。本文采用等离子增强化学气相沉积(PECVD)技术，在玻璃(CorningEagle2000TM)衬底上以硅烷（SiH4）和氢气(H2)为气源制备出均匀的300nm左右的本征氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜，利用简化反射-传输测试仪（mini-RT）、双电子束光传导测试仪（DBP）等测试手段系统研究了不同反应气体浓度下衬底温度对制备非晶硅薄膜光学特性的影响。研究参数包括吸收系数、禁带宽度、乌巴赫能量、折射率、缺陷密度等。结果表明，PECVD法制备的氢化非晶硅薄膜具有器件级光学特性，可以应用于薄膜太阳能电池的吸收层及其他光伏或光电子器件中。

摘要： Fourier红外透射(FTIR)谱技术和透射-反射光谱实验是研究氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜中氢含量和光学带隙等微结构最有效的手段.样品用微波电子回旋共振化学气相沉积(MWECR CVD)方法制备,通过合理的基线把FTIR透过率谱转换成吸收谱,得到薄膜的氢含量及组态信息,并分析其与衬低温度、氢稀释比以及光学带隙的对应关系.

摘要： 本文介绍了对本征氢化非晶硅材料进行恒定光电导测量,然后通过计算得到材料的吸收特性曲线。从而分析材料的缺陷态密度等性能。文中针对薄膜制备过程,对沉积压强、衬底温度不同的材料的性能进行了分析,优化得到了制备太阳电池所需的最佳工艺参数。最后结合其他测量方法对与材料采用相同制备工艺的太阳电池的性能进行了具体分析。

摘要： 本文在采用“化学退火”方法制备优质稳定的a-Si:H的基础上,发展了一种“不间断生长/退火”技术,在沉积过程中,用大量原子态的氢不间断地对生长表面进行所谓“化学退火”处理,并掺入微量的硼进行补偿,以控制费米能级的位置,显著改善了材料的光电性质和稳定性,同时也增大了生长速率.

摘要： 采用射频磁控溅射的方法制备a-Si:H薄膜，由红外、可见和紫外光谱以及拉曼谱标识。在不同溅射功率下制备a-Si：H薄膜。通过红外谱研究了单氢键SiH含量随溅射功率的变化，发现溅射功率为400W到450W之间时单氢键SiH含量较高。测量了a-Si：H薄膜的紫外-可见透射和反射光谱，由Tauc作图法推算出a-Si:H薄膜的光学带隙。

摘要： 采用射频磁控溅射的方法制备a-Si:H薄膜，由红外、可见和紫外光谱以及拉曼谱标识。在不同溅射功率下制备a-Si：H薄膜。通过红外谱研究了单氢键SiH含量随溅射功率的变化，发现溅射功率为400W到450W之间时单氢键SiH含量较高。测量了a-Si：H薄膜的紫外-可见透射和反射光谱，由Tauc作图法推算出a-Si:H薄膜的光学带隙。

摘要： 采用射频磁控溅射的方法制备a-Si:H薄膜，由红外、可见和紫外光谱以及拉曼谱标识。在不同溅射功率下制备a-Si：H薄膜。通过红外谱研究了单氢键SiH含量随溅射功率的变化，发现溅射功率为400W到450W之间时单氢键SiH含量较高。测量了a-Si：H薄膜的紫外-可见透射和反射光谱，由Tauc作图法推算出a-Si:H薄膜的光学带隙。

摘要： 采用射频磁控溅射的方法制备a-Si:H薄膜，由红外、可见和紫外光谱以及拉曼谱标识。在不同溅射功率下制备a-Si：H薄膜。通过红外谱研究了单氢键SiH含量随溅射功率的变化，发现溅射功率为400W到450W之间时单氢键SiH含量较高。测量了a-Si：H薄膜的紫外-可见透射和反射光谱，由Tauc作图法推算出a-Si:H薄膜的光学带隙。

摘要： 采用射频磁控溅射的方法制备a-Si:H薄膜，由红外、可见和紫外光谱以及拉曼谱标识。在不同溅射功率下制备a-Si：H薄膜。通过红外谱研究了单氢键SiH含量随溅射功率的变化，发现溅射功率为400W到450W之间时单氢键SiH含量较高。测量了a-Si：H薄膜的紫外-可见透射和反射光谱，由Tauc作图法推算出a-Si:H薄膜的光学带隙。

摘要： 应用微波电子回旋共振化学气相沉积(MWECR CVD)方法,在较高速率下沉积了a-Si:H薄膜,用FTIR红外谱仪研究a-Si:H薄膜的结构特性与衬底温度、氢稀释比、光学带隙的对应关系,并对2000cm附近的特征吸收峰用高斯函数进行了拟合分析,获得了沉积高质量a-Si:H薄膜的最佳工艺条件.

摘要： 本发明涉及一种零件，其包括金属基底、涂覆基底的ta‑C型或甚至a‑C型的无氢化非晶碳涂层，以及基于铬(Cr)、碳(C)和硅(Si)的子层；子层位于金属基底和非晶碳涂层之间，在子层上施加非晶碳涂层，其中，子层在其与非晶碳涂层的界面处具有以下原子比：硅含量与铬含量的比率(Si/Cr)为0.35至0.60，并且碳含量与硅含量的比率(C/Si)为2.5至3.5。

摘要： 本发明提供一种非晶薄膜的后氢化处理方法及硅异质结太阳电池制备方法，后氢化处理方法包括：提供一待处理非晶薄膜，并将其置于一设置有热丝的反应腔室中；向反应腔室中通入反应气体，热丝催化分解反应气体至少产生氢原子，并对待处理非晶薄膜进行热辐射，从而使得氢原子扩散至所述待处理非晶薄膜内，以实现对待处理非晶薄膜的后氢化处理。本发明的非晶薄膜的后氢化处理方法，通过在热丝热辐射条件下，使得原子氢在处理非晶薄膜的过程中扩散到薄膜内，减少薄膜内的悬挂键等缺陷态密度，本发明的后氢化处理方法可以应用到非晶硅/晶体硅异质结太阳电池中，如其窗口材料中，能够显著提高窗口层的钝化性能及透光性能，提高太阳电池的光电转换效率。

摘要： 本发明涉及制备氢化非晶含硅复合胶体以及用氢化非晶含硅复合层包封物质的方法，以及含硅复合胶体和用含硅复合层包封的物质及其用途。根据本发明，对溶解在至少一种有机和/或无机溶剂中的氢硅烷或氢硅烷衍生物或不同氢硅烷和/或氢硅烷衍生物的混合物或在无溶剂的情况下已呈液体形式存在的至少一种氢硅烷或氢硅烷衍生物或不同氢硅烷和/或氢硅烷衍生物的混合物进行空化。由此产生氢化非晶含硅复合胶体。

摘要： 本发明涉及一种零件，其包括金属基底、涂覆基底的ta‑C型或甚至a‑C型的无氢化非晶碳涂层，以及基于铬(Cr)、碳(C)和硅(Si)的子层；子层位于金属基底和非晶碳涂层之间，在子层上施加非晶碳涂层，其中，子层在其与非晶碳涂层的界面处具有以下原子比：硅含量与铬含量的比率(Si/Cr)为0.35至0.60，并且碳含量与硅含量的比率(C/Si)为2.5至3.5。

摘要： 本发明涉及一种零件，其包括金属基底、涂覆基底的a‑C:H型的氢化非晶碳涂层，以及基于铬(Cr)、碳(C)和硅(Si)的子层；子层位于金属基底和非晶碳涂层之间，在子层上施加非晶碳涂层，其中，子层在其与非晶碳涂层的界面处具有以下原子比：硅含量与铬含量的比率(Si/Cr)为0.35至0.60，并且碳含量与硅含量的比率(C/Si)为2.5至3.5。

摘要： 形成光伏器件的半导体材料的方法包括：提供含氢化非晶硅的材料的表面，和将含氢化非晶硅的材料在含氘气氛中退火。将来自含氘气氛的氘穿过含氢化非晶硅的材料的表面引入含氢化非晶硅的材料的晶格中。在一些实施方案中，引入含氢化非晶硅的材料的晶格中的氘提高含氢化非晶硅的材料的稳定性。

摘要： 本发明公开了一种掺氧氢化非晶硅薄膜高效钝化晶硅异质结太阳能电池用硅片的方法。使用等离子体辅助化学气相沉积的方法，采用SiH4、CO2和H2作为气源进行掺氧氢化非晶硅薄膜沉积以钝化晶硅表面。可使得钝化后硅片表面的复合速率降低到10cm/s以下，甚至低于1cm/s；implied？Voc超过730mV；并且相比于单纯的氢化非晶硅薄膜钝化，掺氧薄膜的钝化效果随工艺参数变化波动较为平缓，有利于大面积及连续生产中降低生产工艺的控制精度，降低成本。

摘要： 形成光伏器件的半导体材料的方法包括：提供含氢化非晶硅的材料的表面，和将含氢化非晶硅的材料在含氘气氛中退火。将来自含氘气氛的氘穿过含氢化非晶硅的材料的表面引入含氢化非晶硅的材料的晶格中。在一些实施方案中，引入含氢化非晶硅的材料的晶格中的氘提高含氢化非晶硅的材料的稳定性。

摘要： 本发明公开了一种掺氧氢化非晶硅薄膜高效钝化晶硅异质结太阳能电池用硅片的方法。使用等离子体辅助化学气相沉积的方法，采用SiH4、CO2和H2作为气源进行掺氧氢化非晶硅薄膜沉积以钝化晶硅表面。可使得钝化后硅片表面的复合速率降低到10cm/s以下，甚至低于1cm/s；impliedVoc超过730mV；并且相比于单纯的氢化非晶硅薄膜钝化，掺氧薄膜的钝化效果随工艺参数变化波动较为平缓，有利于大面积及连续生产中降低生产工艺的控制精度，降低成本。

摘要： 本实用新型公开了一种氢化非晶硅光学薄膜生产用旋转平台，包括旋转平台和反应板，所述反应板设于旋转平台上方，且反应板与旋转平台匹配设置，所述旋转平台下方设置有连接板，所述连接板上侧壁对称设置有伸缩外管，且旋转平台下侧壁固定连接有与伸缩外管匹配的伸缩内管，所述伸缩外管与伸缩内管竖直滑动连接，所述连接板与旋转平台之间还通过高度调节装置连接。本实用新型通过在伸缩内管上设置刻度线与高度调节装置配合在一切，可以清楚的反应旋转平台上升的高度，从而快速根据不同需求控制伸缩内管的伸缩量，大大的提高了调节效率，同时又保证了反应的原子和原子团能够均匀的排列在旋转平台上的膜层上，确保光学薄膜成型厚度均匀。