束缚态

摘要： 作为凝聚态物理中一类新奇准粒子态,Majorana零能模(Majorana zero mode)由于可用来实现拓扑量子计算而成为当前的研究热点.理论预言,Majorana零能模可作为特殊的束缚态出现在一些拓扑超导体的磁通涡旋中.但实际超导体磁通中还可能存在其他低能束缚态或杂质态,这给Majorana零能模的辨别和具体应用带来了困难.目前实验上寻找合适的拓扑超导体系、分辨出清晰的Majorana零能模仍然是十分迫切的.本文主要介绍最近利用高能量分辨的扫描隧道显微镜,对电子掺杂铁硒类超导体(Li,Fe)OHFeSe和单层FeSe/SrTiO3磁通态进行的研究.实验上在前者的自由磁通中观测到清晰的零能模,并进一步测量到Majorana零能模的重要特征—量子化电导.而在后者磁通中只发现常规Caroli-de Gennes-Matricon(CdGM)束缚态,反映出s波对称性的特征.这系列实验既为Majorana零能模物性的进一步研究提供了合适平台,也为澄清铁基超导体中拓扑超导电性的来源提供了线索.

摘要： 主要对量子力学一维有限深方势阱中运动粒子的束缚态存在条件进行讨论.通过求解定态薛定谔方程,得到粒子运动满足的超越方程,借助于M athem atica软件求解该超越方程得到粒子的能级结构,对粒子束缚态存在条件进行分析.结果表明,对于在一维有限深对称方势阱中运动的粒子,总会有束缚态的存在,和势阱的宽度、深度及粒子的质量无关.而在半壁有限深势阱中运动的粒子,出现束缚态是有条件的.并且分别给出了在两种势阱中粒子存在多个束缚态需要满足的条件.

摘要： 利用一维光子晶体和二维等离子体光子晶体构建了一种基于束缚态的可调窄带滤波器,滤波器的工作频率位于两个光子晶体的共同禁带内.使用COMSOL Multiphysics有限元仿真软件研究了一维光子晶体的几何参数和等离子体参数对滤波器性能的影响.研究发现两个禁带的中心频率和深度越接近,则滤波器的峰值透射率越大,且中心频率占主导作用.另一方面,滤波器的工作频率与等离子体密度成正比,与碰撞频率成反比.滤波器品质因子和峰值透射率随等离子体密度的增大先增大后减小,随碰撞频率的增加而减小.最后,随着等离子体碰撞频率的增加,峰值透射率和品质因子没有发生显著下降,这表明滤波器对等离子体损耗有一定抵抗力.我们相信这项工作有助于一些新型等离子体光子晶体滤波器的研究.

摘要： 在相对论重离子碰撞早期,会产生一个极强的磁场.初始碰撞产生的粲偶素会受到磁场的影响,进而携带磁场的信息.本文利用磁场下的两体薛定谔方程研究磁场对粲偶素的影响.利用角动量展开的方法,数值计算了不同磁场强度下粲夸克偶素的能谱.采取的方案是把三维波函数展开成不同轨道角动量以及自旋态的叠加,实际计算过程中发现,当n≤2,l≤7时能很好地满足精确度.进一步,哈密顿量可以写成H=H0+(qB)2H1+qBPps,⊥H2形式,其中H0,H1,H2不依赖于B和Pps,⊥,因此只要计算出H0,H1,H2就能求出任意B和Pps,⊥下的哈密顿量.这样的数值方法在保证计算精度的同时显著减少了计算量.计算结果表明随着磁场和总动量的增加,粲偶素的质量增大,在磁场强度为20m2π,总动量为1.8 GeV时,质量的增加量为20％.

摘要： 通过求解δ函数势场在极限条件时的定态薛定谔方程,给出了束缚态波函数的跃变条件及系数变换矩阵,进而讨论了周期性δ函数势场的束缚态能级.研究结果表明:通过代数解法能够较便捷地给出δ函数势场中粒子的束缚态波函数的跃变条件及系数变换矩阵及周期性δ函数势场的束缚态能级.

摘要： 从北京大学物理学院量子材料科学中心王健教授团队获悉,他们和美国波士顿学院汪自强教授等合作,首次在二维铁基高温超导体中一维原子链缺陷两端发现了马约拉纳零能模,为最终实现拓扑量子计算奠定了重要基础。近年来,研制超越经典计算机运算能力的量子计算机,已成为国际前沿焦点和各国实现量子超越的核心方向。

摘要： 波导量子电动力学是实现量子网络的理想方案之一,而自发辐射导致的退相干是阻碍其发展的主要因素.该文以矩形波导为例,研究在受限空间中二能级原子的自发辐射特性.通过利用Lippmann-Schwinger方程和不含时薛定谔方程推导出矩形波导与二能级原子耦合系统的本征散射态和本征束缚态,进而求得时间演化算符和原子的自发辐射动力学.研究表明,原子的自发辐射特性主要由原子与矩形波导的失谐量和耦合强度决定.与自由空间相比,矩形波导具有非线性色散关系,由此诱导的束缚态会导致稳态相干现象.该研究为在波导量子电动力学系统中实现量子网络提供了重要的理论指导.

摘要： 采用[CCSD(T)]-F12a/aug-cc-pVTZ方法,同时在基组中引入中心键函数(3s3p2d1f1g)构建了He-H2S复合物的高精度六维势能面.除分子间振动坐标,同时考虑了H2S分子内的v1对称伸缩振动Q1正则模、v2弯曲振动Q2正则模和v3反对称伸缩振动Q3正则模三种振动模式.将计算得到的六维势能面在Q1,Q2和Q3方向上分别做积分得到H2S单体分别处于振动基态、v2和v3激发态下的He-H2S的三个振动平均势能面.计算结果表明,每个平均势能面都有一个T形全局极小值、一个平面局部极小值、两个平面内鞍点和一个平面外鞍点.全局极小值的几何构型位于R=3.46 A,θ=109.9°和Φ=0.0°,势阱深度为35.301 cm^-1.在径向部分采用离散变量表象法和角度部分采用有限基组表象法并结合Lanczos循环算法计算了He-H2S的振转能级和束缚态.计算发现He-(par a-H2S)在H2S的v2和v3区域的带心位移分别为0.025 cm^-1和0.031 cm^-1,而He-(ortho-H2S)的带心位移分别为0.041 cm^-1和0.060 cm^-1,都表现为蓝移.

摘要： Ga(In)AsN材料是一种新颖的半导体材料,对其进行适当的n型掺杂后其能带可调,宽度可调范围为0.8-1.4 eV,并且与Ge、GaAs衬底材料晶格匹配.这种独特的性能为新型光电器件的研发和应用提供了一个不可取代的候选材料.通过低温(T=10K)光致发光方法研究了激发功率密度对GaInNAs/GaAs单层子阱结构光致发光(PL)性能的影响.

摘要： 应用玻色化技术和自治量子理论,研究了Spin-Peierls系统CuGeO低能元激发性质,计算了CuGeO的单磁激发三重态和双磁子束缚单态的激发能隙,结果表明,能隙随二聚化或阻挫作用的增加而增大,而链间耦合作用总是使能隙降低,随着二聚化作用增加,当阻挫作用较小时,双磁子束缚能增加,而当阻挫作用较大时,束缚能减小,处在临界阻挫作用下的弱二聚化系统,束缚能与二聚化作用间存在简单的指数关系.

摘要： 应用玻色化技术和自治量子理论,研究了Spin-Peierls系统CuGeO低能元激发性质,计算了CuGeO的单磁激发三重态和双磁子束缚单态的激发能隙,结果表明,能隙随二聚化或阻挫作用的增加而增大,而链间耦合作用总是使能隙降低,随着二聚化作用增加,当阻挫作用较小时,双磁子束缚能增加,而当阻挫作用较大时,束缚能减小,处在临界阻挫作用下的弱二聚化系统,束缚能与二聚化作用间存在简单的指数关系.

摘要： 应用玻色化技术和自治量子理论,研究了Spin-Peierls系统CuGeO低能元激发性质,计算了CuGeO的单磁激发三重态和双磁子束缚单态的激发能隙,结果表明,能隙随二聚化或阻挫作用的增加而增大,而链间耦合作用总是使能隙降低,随着二聚化作用增加,当阻挫作用较小时,双磁子束缚能增加,而当阻挫作用较大时,束缚能减小,处在临界阻挫作用下的弱二聚化系统,束缚能与二聚化作用间存在简单的指数关系.

摘要： 应用玻色化技术和自治量子理论,研究了Spin-Peierls系统CuGeO低能元激发性质,计算了CuGeO的单磁激发三重态和双磁子束缚单态的激发能隙,结果表明,能隙随二聚化或阻挫作用的增加而增大,而链间耦合作用总是使能隙降低,随着二聚化作用增加,当阻挫作用较小时,双磁子束缚能增加,而当阻挫作用较大时,束缚能减小,处在临界阻挫作用下的弱二聚化系统,束缚能与二聚化作用间存在简单的指数关系.

摘要： 在高密度激发下（10[**]W／cm）观察到77K时GaP∶N中自由激子发光。当激发功率密度增加NN，束缚激子发光强度反而下降，主要是由激子的湮灭和Auger过程等造成的。温度猝灭结果表明NN，束缚激子热离化过程不是单一的。研究了不同温度（11K～155K）和不同激发密度（10～10[**]W／cm）范围内GaP∶N的发光光谱。掺N浓度约为7×10[**]/cm[*-3*]。（本刊录）

摘要： 在高密度激发下（10[**]W／cm）观察到77K时GaP∶N中自由激子发光。当激发功率密度增加NN，束缚激子发光强度反而下降，主要是由激子的湮灭和Auger过程等造成的。温度猝灭结果表明NN，束缚激子热离化过程不是单一的。研究了不同温度（11K～155K）和不同激发密度（10～10[**]W／cm）范围内GaP∶N的发光光谱。掺N浓度约为7×10[**]/cm[*-3*]。（本刊录）

摘要： 在高密度激发下（10[**]W／cm）观察到77K时GaP∶N中自由激子发光。当激发功率密度增加NN，束缚激子发光强度反而下降，主要是由激子的湮灭和Auger过程等造成的。温度猝灭结果表明NN，束缚激子热离化过程不是单一的。研究了不同温度（11K～155K）和不同激发密度（10～10[**]W／cm）范围内GaP∶N的发光光谱。掺N浓度约为7×10[**]/cm[*-3*]。（本刊录）

摘要： 在高密度激发下（10[**]W／cm）观察到77K时GaP∶N中自由激子发光。当激发功率密度增加NN，束缚激子发光强度反而下降，主要是由激子的湮灭和Auger过程等造成的。温度猝灭结果表明NN，束缚激子热离化过程不是单一的。研究了不同温度（11K～155K）和不同激发密度（10～10[**]W／cm）范围内GaP∶N的发光光谱。掺N浓度约为7×10[**]/cm[*-3*]。（本刊录）

摘要： 在高密度激发下（10[**]W／cm）观察到77K时GaP∶N中自由激子发光。当激发功率密度增加NN，束缚激子发光强度反而下降，主要是由激子的湮灭和Auger过程等造成的。温度猝灭结果表明NN，束缚激子热离化过程不是单一的。研究了不同温度（11K～155K）和不同激发密度（10～10[**]W／cm）范围内GaP∶N的发光光谱。掺N浓度约为7×10[**]/cm[*-3*]。（本刊录）

摘要： 在高密度激发下（10[**]W／cm）观察到77K时GaP∶N中自由激子发光。当激发功率密度增加NN，束缚激子发光强度反而下降，主要是由激子的湮灭和Auger过程等造成的。温度猝灭结果表明NN，束缚激子热离化过程不是单一的。研究了不同温度（11K～155K）和不同激发密度（10～10[**]W／cm）范围内GaP∶N的发光光谱。掺N浓度约为7×10[**]/cm[*-3*]。（本刊录）

摘要： 本发明属于超表面技术领域，具体为一种具有双连续谱束缚态特性的超构表面。本发明超构表面是由圆盘或者圆环及C型开口环组成的单元经周期延拓形成的阵列，材料为金；该结构下有一层金膜作为反射层；金属膜下面是作为整体结构的支撑层。其中，所述圆盘或者圆环包含在C型开口环内，并紧贴C型开口环内壁；记圆盘或者圆环的外半径为R，C型开口环开口对应弧度为θ，C型开口环的宽度为r，C型开口环的厚度为h,金膜的厚度为t，单元延拓的周期为P；本发明超构表面结构具有很多的调控自由度，以实现Q值、共振波长、共振模式的调节。

摘要： 本发明涉及一种基于光子晶体平板支持的准连续体束缚态的磁场传感器，属于光子晶体传感器技术领域。本发明首次将打破对称结构的光子晶体平板与磁流薄膜结合，通过垂直入射方式激发对称保护型准连续体束缚态模式，用于磁场强度传感。光子晶体平板采用方形纳米孔，微弱打破纳米孔的对称性，并采用非悬浮结构，制备难度低且结构稳定。激发出的准连续体束缚态模式品质因子高达2×104，同时相对较大的纳米孔结构增强了光与磁流薄膜相互作用，实现了88nm/T的磁场灵敏度。此外，准连续体束缚态的谐振幅度高达0.97，可有效抵抗环境噪声的干扰。本发明与其他类型光子晶体磁场传感器相比同时具备高品质因子、高灵敏度以及大谐振幅度的优良传感性能，适用于在复杂环境下进行高精度的磁场传感。

摘要： 本发明公开了一种基于对称保护型连续体束缚态的太赫兹传感器，由多个单元结构呈周期性排布构成，多个单元结构的结构相同，均包括融合石英构成的衬底，衬底上表面设置有N型掺杂硅所构成的微结构柱A和微结构柱B。本发明可以提高检测的灵敏度，同时克服金属太赫兹传感器易被氧化、高欧姆损耗、结构复杂的问题。

摘要： 本发明涉及一种考虑冰含量的彗星准束缚态尘埃动力学建模方法。该方法根据彗核引力、太阳引力、太阳光压力、气体作用力和升华反冲力建立彗星尘埃动力学模型，引入了尘埃表面冰覆盖率系数，可以实现对尘埃表面冰含量的分析，具体为：步骤一：建立尘埃表面温度模型；步骤二：建立彗星轨道坐标系；步骤三：建立准束缚态尘埃动力学方程。本发明在逃逸态尘埃动力学模型的基础上，额外考虑了气体作用力和升华反冲力，建立了准束缚态尘埃的动力学模型，通过该模型可求解准束缚态尘埃的运动。同时由于尘埃表面冰覆盖率决定了尘埃受到的升华反冲力，故该模型的求解可反映尘埃的冰含量。

摘要： 本发明公开了一种基于连续域束缚态的光栅结构，包括基底和安装在基底上的光栅层，所述光栅层包括一个条形波导以及在条形波导两侧对称设置的子光栅，所述子光栅激发辐射模式，通过调整条形波导的宽度在侧向辐射模式之间形成相消干涉，用于建立连续域束缚态。本发明通过设计光栅结构并调整条形波导的宽度，在子光栅之间建立衍射受限的连续域束缚态，抑制光的侧向发射，从而抑制光栅之间的串扰，进而可以减小光学相控阵的阵列间距，增大相位调谐的光束扫描范围。

摘要： 本发明公开了一种基于连续体束缚态的表面拉曼增强传感结构，包括生物连接介质层、周期性一维光栅阵列层、生物配体层、生物受体层；所述周期性一维光栅阵列分布在所述生物连接介质衬底层之上；所述生物配体层只附着在所述生物连接介质层之上并根据待检测物的大小调控生物配体层的厚度；所述生物受体层只与所述生物配体层特异性免疫结合。使表面拉曼增强因子最为理想、待检测物质刚好可以位于近场增强最强烈的区域，以此显著提高待测受体对局域近场的利用率，以此来满足不同待测样品的定制化表面拉曼增强的需求，从而提高传感灵敏度实现生物分子的定制化高性能传感。

摘要： 本发明涉及超材料技术领域，具体涉及一种基于准连续域束缚态的高Q值折射率传感器及其制备方法。包括基底层和位于基底层上的全介质超表面结构阵列，全介质超表面结构阵列由若干个全介质超表面单元周期性排列形成，全介质超表面单元为方形块结构，方形块结构在沿x方向的一侧面上设有缺口，各方形块结构上设置的缺口的位置、朝向、形状和大小均相同，设有缺口的全介质超表面单元用于在沿x方向偏振的平面波正入射时，激发沿z方向的磁偶极矩，形成准连续域中的束缚态，并利用所述准连续域中的束缚态形成高Q值的谐振腔。本发明通过破坏结构在x方向的对称性，使连续域束缚态转为准连续域束缚态，从而获得极高的Q值，在很大程度上提高了折射率传感器的传感性能。

摘要： 本发明涉及一种基于准连续体束缚态的超灵敏太赫兹生物传感器，通过在传感器中的谐振器单元中改变谐振器整体的构型与其局部开口的尺寸与相对位置来引入非对称扰动，可在频域内诱导准连续体束缚态(Q‑BIC),从而在太赫兹频段内实现品质因子(Q值)高于1000的Q‑BIC谐振峰，这种高灵敏度的谐振峰对纳摩尔级(nmol)乃至皮摩尔(pmol)级的生物样品分子有更好的传感性能，在太赫兹波谱中能产生明显的响应信号，从而可以实现对痕量物质的超灵敏检测，大大提高检测效率与准确性。加工工艺更成熟，生产成本更低，适合商业化应用；本发明具有较好的复用性，兼容各类太赫兹检测系统，具有可表面功能化处理等二次开发的拓展性。

摘要： 本发明涉及一种基于连续域束缚态的硅基发光芯片及其制备方法，包括硅衬底，二氧化硅绝缘层以及III‑V纳米盘/柱结构。本发明具有良好的光致发光特性，器件结构简单，结构纳米级别且易于制作，能实现大规模集成，在解决硅基片上光源方面有着巨大的潜力。

摘要： 本发明公开了一种基于连续域准束缚态太赫兹超表面镊捕获生物样本的方法，针对待捕获微粒设计准束缚态激发的太赫兹超表面镊；将含有待捕获生物样本微粒的溶液滴加在设计的超表面镊表面；调整超表面镊与太赫兹波极化方向的相对角度，照射太赫兹波，在超表面镊的特定区域形成电场局域；利用电场局域产生捕获势阱，利用势阱产生的梯度力捕获区域内生物样本微粒。本发明在太赫兹波段实现一种准束缚态激发的太赫兹超表面镊，能实现非常高的电场增强和局域，以提高对生物样本微粒的无损捕获和操控能力。