本地市场效应

摘要： 本文构建非位似偏好效用函数模型,从理论上推导出口价格离散对互联网贸易本地市场效应的影响机制,并基于2010-2020年中国与20个国家或地区间的双边贸易数据进行实证检验。研究表明,互联网贸易具有明显的非位似特征,非位似偏好下的出口价格离散削弱互联网贸易本地市场效应,互联网贸易则改善出口价格离散度;价格离散影响互联网贸易本地市场效应具有行业异质性,对劳动密集型、资本密集型和技术密集型的出口路径依赖具有切断作用,对资源密集型的出口路径具有强化作用。基于实证结论,从转变贸易发展思路、构建多边贸易体制及推进互联网建设等方面提出政策建议。

摘要： 制造业实现高质量发展是经济高质量发展的基础,进入新发展阶段的中国制造业,面临国内发展条件与国际市场环境变化的叠加影响,突破口在于准确把握创新投入、本地市场效应对制造业发展质量的差异化影响与作用机制。文章选取2000—2020年省级面板数据,采用系统GMM分析方法加以实证检验,结果表明:创新投入方面,研发强度与人力资本效应的作用具有不确定性,人力资本效应可以强化研发强度的促进作用,但存在较为明显的区域异质性;本地市场效应在规模与结构维度都显著正向促进制造业发展质量提升,但结构失衡弱化规模效应的正向影响。因此,应根据发展阶段特征、区域异质性制定差异化指导政策。

摘要： 目的:探讨粤港澳大湾区中医药文化产业是否具备本地市场效应.方法:基于引力模型和2000-2017年粤港澳大湾区中医药文化产业贸易数据,利用自回归条件异方差模型进行参数估计.结果:本地市场效应通过了显著性检验,粤港、粤澳、港澳之间的系数分别为0.2038、0.0531、0.1350.本地市场效应很大程度上决定粤港澳大湾区中医药文化产业贸易的相对规模,并逐渐取代资本和劳动力要素禀赋优势成为中医药文化产业贸易发展的新动力.结论:单纯依靠要素禀赋的传统优势推动贸易发展将难以为继,应该充分利用粤港澳大湾区中医药文化产业的本地市场效应,把粤港澳大湾区建设成为全国中医药文化产业的创新高地.

摘要： 本文以新经济地理学理论为基础,利用中国2010-2017年省际面板数据,考察研发强度、本地市场效应对地区经济增长的作用机理及影响效应.结果显示:第二、三产业发展水平是影响地区经济增长的重要因素,中西部地区第二产业促进经济增长的特征仍较为明显;扩大资本投资是拉动地区经济增长的主要动力,东部地区资本投资引致的本地市场放大效应凸显;东、中、西部地区居民收入水平对地区经济增长的积极作用均较为显著,且东部地区的收入增长引起的本地市场效应最为突出;研发强度与人均地区生产总值之间呈现负向关系,仍存在逆周期特征,研发经费支出强度不足和区域分化特征是制约各地区经济高质量发展的主要原因.

摘要： 充分发挥国内超大规模市场优势,畅通国内大循环,是加快构建双循环新发展格局的强大内生力量.理论分析表明,当一个地区的国内本地市场效应发挥作用时,会在一国内部形成地区性的产业集群优势,但这并不必然保证能够形成国家层面的市场规模优势;当国内市场形成一个统一整体时,就可以借助国内超大规模市场优势引致技术创新,最终形成以国内大循环为主体、国内国际双循环相互促进的发展模式.基于2012年中国区域间投入产出数据的实证分析结果表明,本地市场效应通过放大出口贸易显著推动了本地产业的发展,但对省际贸易的影响却并不显著.当前,尽管我国已经初步具备了以国内循环为主体、国内国际双循环相互促进的基础,但国内市场的分割尤其是对内改革开放的不足阻碍了这一进程.因此,依托双循环演化逻辑,消除国内大循环的制约因素,加快国内国际双循环的有效衔接,构建熵减经济系统,将是我国经济发展范式转换的重点所在.

摘要： "一带一路"建设的持续推进使得我国与沿线各国贸易来往日益频繁,深化了各国之间的经济往来.本文从整体、地区和代表国家三个角度出发检验我国对外贸易的本地市场效应,旨在为我国各地区借力"一带一路"推动市场经济发展提供理论借鉴.结果表明:在整体上,相对于"一带一路"沿线国家,我国存在明显的本地市场效应和劳动力要素比较优势.在地区中,相对于东亚、中亚、东南亚、中东欧,我国表现出明显的本地市场效应和劳动力要素比较劣势;相对于南亚、西亚北非,我国不存在本地市场效应.在国家中,相对于蒙古、泰国、缅甸、伊拉克、俄罗斯、马其顿和摩尔多瓦,我国表现出明显的本地市场效应.

摘要： 本文以增加值贸易为研究视角,从理论上阐明了增加值的本地市场效应形成机制,实证分析了中国制造业增加值的本地市场效应存在性,同时还进一步对其形成机制进行了检验.研究结果表明:中国制造业增加值存在明显的本地市场效应,扩大内需能够促进中国制造业增加值出口提升;最终品增加值的本地市场效应明显强于中间品增加值,并且资本密集型制造业相比劳动密集型和技术密集型制造业存在更强的本地市场效应,同时中国制造业在与中等收入国家贸易时表现出的本地市场效应更强;扩大内需能通过出口规模增长效应和出口国内附加值率攀升效应来促进中国制造业增加值出口.据此,中国应当进一步挖掘国内需求潜力,充分发挥大规模市场优势,协同推进国内统一大市场和贸易强国建设.

摘要： 中国人均GDP处于1万美元左右的中等收入水平,同时经济总量占全球比重却高达16%,这种“人均中等,总量巨大”的独特国情决定了中国在发展服务贸易方面有可能同时发挥比较优势和本地市场效应优势。国家主席习近平在2020年中国国际服务贸易交易会全球服务贸易峰会上的致辞中指出:“中国将坚定不移扩大对外开放,建立健全跨境服务贸易负面清单管理制度,推进服务贸易创新发展试点开放平台建设,继续放宽服务业市场准入,主动扩大优质服务进口。”

摘要： 产业集聚的出现虽然存在一定的历史偶然性和路径依赖，但通常认为地理位置、要素禀赋、收益递增和政府 政策等都对集聚起到一定的强化作用。本文从柔性化分工角度研究区域产业集聚形成的内在机理，在此基础上，基于中国30 个省(市、区)的投入产出数据，研究要素禀赋和收益递增对产业集聚演化方向的影响，发现在11 个产业中本地市场效应对 产出的影响要强于要素禀赋，这些产业的布局更多的遵循需求和市场的分布而不是要素禀赋的分布。最后给出了相关的政策 含义。

摘要： 场效应电能储存方法、场效应电能储存装置和场效应电池，涉及电子材料技术和电能储存技术。本发明的场效应电能储存方法采用半导体或快离子导体作为电能储存媒质，在电能储存媒质与电极之间设置绝缘层，将储能媒质中的载流子与电极中的自由电荷隔离。本发明具有储能密度高、储能效率高、充放电速度快、电池内阻小（可大电流使用）、电池寿命长、对环境友好、原材料价格便宜、可大规模工业化生产等特点，在能源、交通、通讯及日常生活中具有广泛的用途。

摘要： 本发明公开了一种确定场效应管老化条件的方法、一种场效应管老化方法及一种场效应管筛选方法，可以通过在预设的老化台温度下，为场效应管施加多个不同直流功率，并检测与直流功率对应的峰值结温，从而获得老化台温度、直流功率与峰值结温之间的关系方程式。只需要根据场效应管的最高允许结温，就可以使用所获得的关系方程式确定老化中老化台的温度和需要为场效应管施加的直流功率值，从而实现了场效应管的高效老化。

摘要： 披露了形成本地化绝缘体上硅(SOI)finFET 104的方法和结构。在块型衬底102上形成鳍。氮化物间隔物208保护鳍的侧壁。在鳍上沉积浅沟槽隔离区域412。氧化工艺使得氧通过浅沟槽隔离区域412扩散到下方的硅中。氧与硅反应生成氧化物，其为鳍提供电隔离。浅沟槽隔离区域与鳍和/或鳍上所沉积的氮化物间隔物直接物理接触。

摘要： 提供一种垂直鳍式场效应晶体管(100)。垂直鳍式场效应晶体管具有：半导体鳍(14)；n掺杂源极区(30)；n掺杂漂移区(10)；在所述半导体鳍(14)中垂直地在所述源极区(30)与所述漂移区(10)之间布置的n掺杂沟道区；与所述沟道区水平相邻的至少一个栅极区(24)；栅极电介质(32)，所述栅极电介质使所述栅极区(24)与所述沟道区电绝缘，其中，所述栅极电介质(32)与所述沟道区之间的界面具有负界面电荷；p掺杂栅极屏蔽区，所述栅极屏蔽区如此布置在所述栅极区(24)下方，使得在垂直投影的情况下，所述栅极屏蔽区位于由所述栅极电介质(32)限界的面积内；源极接触部(28)，所述源极接触部与所述源极区(30)导电连接；以及在所述栅极区(24)与所述n掺杂栅极屏蔽区之间的导电区(18，20)；其中，所述p掺杂栅极屏蔽区借助所述导电区(18，20)与所述源极接触部(28)导电连接。

摘要： 场效应电能储存方法、场效应电能储存装置和场效应电池，涉及电子材料技术和电能储存技术。本发明的场效应电能储存方法采用半导体或快离子导体作为电能储存媒质，在电能储存媒质与电极之间设置绝缘层，将储能媒质中的载流子与电极中的自由电荷隔离。本发明具有储能密度高、储能效率高、充放电速度快、电池内阻小（可大电流使用）、电池寿命长、对环境友好、原材料价格便宜、可大规模工业化生产等特点，在能源、交通、通讯及日常生活中具有广泛的用途。

摘要： 本发明公开了一种确定场效应管老化条件的方法、一种场效应管老化方法及一种场效应管筛选方法，可以通过在预设的老化台温度下，为场效应管施加多个不同直流功率，并检测与直流功率对应的峰值结温，从而获得老化台温度、直流功率与峰值结温之间的关系方程式。只需要根据场效应管的最高允许结温，就可以使用所获得的关系方程式确定老化中老化台的温度和需要为场效应管施加的直流功率值，从而实现了场效应管的高效老化。

摘要： 一种异质结构场效应晶体管(HFET)，可以包括由第一半导体材料制成的第一层(3)和由第二半导体材料制成的第二层(4)。在第一层和第二层相互接触之处可以提供界面(8)，沿着所述界面(8)，二维电子气(2DEG)(9)被形成在与该界面直接相邻的第一层的一部分中。晶体管还进一步包括：栅极结构(6)，其用于控制沟道的电导；衬底层(1)，其由衬底半导体材料制成；以及电介质层(2)，其将第一层与衬底层分隔开。接触(7)可以包括在衬底层和第一层之间的电连接(70)。电连接可以包括穿过电介质层的通道(22)，所述通道填充有与第一层电连接的导电材料。

摘要： 本案涉及鳍式场效应晶体管存储单元(200)，鳍式场效应晶体管存储单元配置及制造鳍式场效应晶体管存储单元的方法。所述鳍式场效应晶体管存储单元包含一第一(201)与第二(202)源极/漏极区域以及一栅极区域。鳍式场效应晶体管存储单元更包含围绕在所述第一及第二源极/漏极区域间的沟道区域的一半导体鳍状物(204)。而第一电荷储存层(207，208)，则至少设于所述栅极区域的一部分中。字符线区域(205，206)则排列在所述电荷储存层的至少一区段中。所述电荷储存层乃经过设计，因此可藉由对所述鳍式场效应晶体管存储单元施加预定电位而选择性地将电荷载子导入所述电荷储存层或将电荷载子自所述电荷储存层移除。

摘要： 披露了形成本地化绝缘体上硅(SOI)finFET 104的方法和结构。在块型衬底102上形成鳍。氮化物间隔物208保护鳍的侧壁。在鳍上沉积浅沟槽隔离区域412。氧化工艺使得氧通过浅沟槽隔离区域412扩散到下方的硅中。氧与硅反应生成氧化物，其为鳍提供电隔离。浅沟槽隔离区域与鳍和/或鳍上所沉积的氮化物间隔物直接物理接触。

摘要： 在不同的实施例中，提供了一种垂直场效应晶体管(100)。垂直场效应晶体管(100)具有带有第一侧和与第一侧对置的第二侧的沟槽结构(128)。在第一侧上构造场效应晶体管(100)(FET)沟道并且第二侧不具有FET沟道。FET沟道具有氮化镓(GaN)区域和与其邻接的氮化铝镓(AlGaN)区域(110)。GaN区域(132)具有p型导电的第一区(106)和构造在其上的第二区(108)。垂直场效应晶体管(100)还具有源电极(130)，所述源电极与所述GaN区域(132)的p型导电的第一区(106)和所述AlGaN区域(110)导电连接。