有机半导体

摘要： 以能斯特方程为基础,通过分析电流密度与氧化还原物种活度变化,即载流子浓度变化的关系,计算出有机半导体材料电极电势的变化,从而建立起有机半导体前线轨道,即最高占据分子轨道(HOMO)能级和最低未被占据分子轨道(LUMO)能级相对于热力学平衡态的能量位移随电流密度变化的数学关系.进而依据能级能量位移引起的能隙变化,提出了有机电致发光显示器(OLED)中“热激子”的产生机制.

摘要： 磁场效应(magnetic field effects,MFEs)指的是材料或器件的光电物理特性(包括光致发光、电致发光、注入电流、光电流等)在外加磁场下发生的变化.本文所述的是非磁性发光材料的MFEs,其首先在有机半导体光电器件中被发现.近十几年来,MFEs作为一种新兴的物理现象引起了广泛的研究;同时它也成为一种独特的实验手段,用以探讨有机半导体中电荷的输运、复合以及自旋极化等过程.近期的研究发现,MFEs不仅存在于有机半导体中,而且在拥有强自旋-轨道耦合作用的金属卤化物钙钛矿材料中被观测到,这既拓展了MFEs的研究方向,也为通过研究MFEs来探索金属卤化物钙钛矿器件的物理机制,进而为提升其器件性能提供了契机.本文重点关注有机半导体和卤化物钙钛矿在磁场下的电致发光和光致发光变化,即发光的磁场效应.回顾了到目前为止主流的理论模型和代表性实验现象,对比分析了磁场下有机半导体和卤化物钙钛矿的发光物理行为.以期为有机及钙钛矿磁场效应领域的研究提供一些思路,同时为有机及钙钛矿发光领域的发展贡献些许想法.

摘要： PEDOT∶PSS(聚3, 4-亚乙基二氧噻吩-聚苯乙烯磺酸盐)薄膜因其良好的导电性、透光性、机械柔韧性以及溶液可加工性而被广泛应用。提高PEDOT材料的电导率以及光电稳定性对其器件应用有重要意义。在本文中,首先用旋涂法制备PEDOT∶PSS薄膜,然后采用硫酸后处理技术提高其电导率,并将硫酸处理后的薄膜分别放置于空气、氧气、氮气中以及太阳光照下30 d,研究薄膜的光电稳定性及老化机制。实验结果表明:太阳光照是影响薄膜光电性能稳定性的主要因素,而硫酸处理有效地去除了过量的PSS成分,使薄膜的稳定性变好。通过比较老化前后薄膜的光吸收谱和光电子能谱(XPS)发现,在老化过程中薄膜发生了光氧化降解,这是影响薄膜光电稳定性的原因之一。

摘要： 有机半导体单晶由于具有内部长程有序的分子排列结构、缺陷及晶界少等优点,表现出优异的光电性能,是实现有机半导体器件实用化的一种重要材料。目前,研究者们已经发展出多种可应用于有机单晶的生长方法,其中,微距升华法是一种可以在大气环境下采用蒸镀的方式制备有机微/纳单晶的方法。然而,当将这种方法应用于C8-BTBT时发现,由于分子的熔点较低,蒸镀得到的是分子直接从液态凝固为无定形/多晶的结构。在本工作中,通过使用溶剂蒸汽退火的方式对其进行后处理,成功地将这种无定形/多晶结构转化为分立的单晶。为了表征所得到的晶体形貌和结构,分别使用光学显微镜、X射线衍射和原子力显微镜等仪器对其进行了表征,发现所制备的晶体结构具备单晶的典型特征。

摘要： 在典型有机空穴传输材料胺类衍生物NPB(N,N’-diphenyl-N,N’-bis(1-naphthyl)(1,1’-biphenyl)-4,4’diamine)中引入过渡金属氧化物MoO_(3)制备了只有空穴传输的单载流子器件.结果表明:MoO_(3)的引入明显提升了NPB的导电性能,在约2.0 V的外加电压下,100 nm厚纯NPB薄膜电流密度仅为1.28 mA/cm^(2),而同样厚度的掺杂薄膜NPB∶MoO_(3)(50 wt.%)电流密度达到了2530 mA/cm^(2).同样掺杂比例的NPB∶MoO_(3)薄膜吸收谱显示位于500 nm附近存在既不同于NPB也不同于MoO_(3)的额外吸收峰,表明体系中产生了电荷转移复合物NPB+-MoO-3,从而产生了额外的空穴载流子,进而提升了掺杂体系的导电性能.进一步的荧光分析表明,MoO_(3)的引入对NPB自身荧光具有明显的猝灭作用.NPB∶MoO_(3)(30 wt.%)薄膜的荧光强度比纯NPB薄膜荧光强度降低了2个数量级,NPB∶MoO_(3)(50 wt.%)掺杂薄膜的荧光强度降低为零.

摘要： 广州追光科技有限公司(以下简称:追光科技)是中国第一批专注于光伏领域的有机半导体材料与组件研发生产企业,创立于2020年4月。公司依附有机半导体技术发展进程,目前产品重点聚焦在有机光伏市场应用,未来将进一步拓展到有机光探测、生物传感、柔性电子等市场。

摘要： 新型红外成象仪帮助自动驾驶汽车在恶劣天气中识别物体,尽管红外成像技术已经存在多年,但大多数系统都很复杂、笨重、昂贵,而且通常需要单独的显示器和摄像头。这些系统通常使用无机半导体制造,含有危险元素,如铅和砷。加州大学圣地亚哥分校的研究小组设计的新型红外成像仪将显示器和传感器集成到单薄的设备中,使其精简、紧凑,从而解决了这些问题。而且新型红外成像仪使用有机半导体设计,安全、灵活,并具有成本效益。此外,该技术还提供更好的图像分辨率。

摘要： 本文介绍了一种现有的有机场效应晶体管(O F E T)及其制备方法.采用参数分析仪对该方法制备的OFET进行了特性分析,得到其输出特性曲线.根据测量得到的输出特性曲线,验证了OFET的输出特性曲线满足P型金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)输出特性曲线特点.进而利用已知的MOSFET的数学模型对OFET进行近似数学建模.通过对该电路的仿真并将得到的输出特性曲线与实测曲线进行对比,对仿真电路进行一定的修改.最终证明仿真电路基本满足实际OFET的性能指标,实现对OFET的SPICE建模.

摘要： 本文介绍了一种现有的有机场效应晶体管(OFET)及其制备方法。采用参数分析仪对该方法制备的OFET进行了特性分析,得到其输出特性曲线。根据测量得到的输出特性曲线,验证了OFET的输出特性曲线满足P型金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)输出特性曲线特点。进而利用已知的MOSFET的数学模型对OFET进行近似数学建模。通过对该电路的仿真并将得到的输出特性曲线与实测曲线进行对比,对仿真电路进行一定的修改。最终证明仿真电路基本满足实际OFET的性能指标,实现对OFET的SPICE建模。

摘要： 薄膜晶体管(TFT)作为显示器的寻址和像素灰阶控制器件,是有源显示器实现图像视频显示的关键核心元器件。传统的TFT背板是基于真空法制备以及光刻法图形化的,成本较高;相比之下,印刷(溶液加工)法因为工艺简单、材料利用率高等优点受到广泛关注。文中系统地总结和分析了印刷TFT相关技术与应用的研究进展以及面临的技术挑战。首先归纳和总结用于制备TFT的各种印刷技术,比较不同印刷技术的优缺点;在此基础上,分别介绍印刷有机TFT、印刷氧化物TFT、印刷碳纳米管TFT的半导体材料、印刷制备方法、最新进展以及面临的问题,重点聚焦于面向显示应用的印刷TFT的研究进展和面临的挑战。

摘要： 介绍了硅量子点及其太阳电池，三元体异质结，杂化太阳电池制备，结果与讨论，如何提高硅量子点太阳电池的效率？如何提高硅量子点太阳电池的效率？硅量子点/有机半导体三元杂化太阳电池的能带结构。

摘要： 本年度主要围绕n-型有机半导体的可控组装及其在高传输效率和高光电转化效率分子器件中的应用开展研究工作.实现了多类稠环功能有机共轭分子的高效合成,通过共轭拓展及官能化实现了其组装结构的多层次调控.系统总结了不同键联方式苝酰亚胺齐聚物纳米带和萘酰亚胺-花酰亚胺杂化纳米带功能分子体系的结构/性能构效关系.随着共轭体系的扩展,其吸收光谱会逐渐红移,而且LUMO轨道能级也会逐渐下降.研究结果表明,它们是一类综合性能优良的电子传输半导体材料,通过烷基链定位修饰可以实现组装结构多层次调控;而单根键链接的花酰亚胺二聚体分子也在高性能光伏电池中表现出了非常好的应用前景,其作为非富勒烯小分子受体材料的光电转化效率目前可以达到6.0％.

摘要： 通过液相法所制备的基于硅量子点和有机半导体的体异质结太阳电池,能够使硅量子点和有机半导体二者之间进行优势互补,在发挥有机物的良好成膜性能的同时,有针对性地通过硅量子点提高杂化电池在短波段的吸收,并且减少激子在分离过程中的能量损失,从而提高体异质结太阳电池的能量转化效率.

摘要： 采用真空蒸镀法和有机半导体酞菁铜,制成结构为Au/CuPu/Al/CuPc/Au五层结构的有机双极薄膜晶体管(OBTFTs)。通过实验测试结果分析得到,OBTFTs驱动电压低,电流密度大和开启速度快,直流工作电流IDS=2.0x10-6A/mm2,动态交流小小信号频率为1000Hz。OBTETs具有极好的双极静电感应三极管电压电流特性。

摘要： 有机半导体是以分子的组织基元的电子材料,其分子特性是有机电子产品优势的基础.其优势主要包括:基于低成本溶液或印刷纳米加工工艺的高分子品质以及高级智能演化所导致的多功能性.到目前为止,有机电子学正尝试各类半导体器件以及新原理器件,如发光二极管、光伏太阳能电池、场效应管、光探测器、存储器传感器以及制动器等等.有机电子学正成为光电子学研究的重要核心领域之一. 有机电子学的核心问题之一是探索光电子行为以及能带的调控策略。从物质结构的角度，有机半导体是以二轨道为主要载流子传输通道的分子材料。除了通过物理掺杂外，有机半导体具有特有的共价键设计策略来实现分子水平上行为与宏观统计性质的调控。总结了发展的光电子行为调控策略:(1)深入理解分子轨道理论中电子给体与受体行为以及半导体能带理论的掺杂策略，发展了p-n嵌段共辘聚合物体系，为实现电致发光材料的光谱以及能带结构调控提供了新的方法。(2)利于体结构的静态位阻效应来改变分子材料的分子间弱作用，发展了基于复杂二芳基菊的稳定蓝光材料，并为聚荀低能绿光带起源提供证据。(3)对PVK进行超分子视角分析，提出了超分子半导体概念，通过静态位阻控制分子内超分子作用，实现电流一电压的高级非线性的回线行为调制，发展了聚合物电存储技术。

摘要： 采用具有锐钛矿晶粒的TiO2溶胶,通过浸渍提拉的方法,在载玻片上低温制备了具有光催化活性的TiO2薄膜.为进一步提高薄膜的光催化活性,采用掺杂了聚苯乙烯磺酸盐的聚乙撑二氧噻吩作为TiO2薄膜的涂膜基底,采用SEM、PL光谱等测试方法考察了该有机半导体基底对TiO2薄膜性能的影响,并就TiO2薄膜厚度对两种基底上薄膜光催化活性的影响及其机理进行了讨论.结果表明:电子从有机半导体向TiO2的迁移使得光生电荷较好地分离,从而增加了表层TiO2的空穴浓度.同时发现合适的TiO2厚度能够有效地提高薄膜的光催化活性.

摘要： 单晶形貌的预测和调控在半导体、制药、催化等领域至关重要.Gibbs-Curie-Wulff理论认为在热力学平衡条件下,晶体的平衡形貌要保证体系总自由能最低.此理论被大量实例证实适用于无机单晶(特别是无机纳米晶).有机单晶的形貌是否可用Gibbs–Curie–Wulff理论预测并没有被证实.此研究选用了一种棒状无支链的具有良好的场效应晶体管性能有机半导体分子为研究对象.首先采用理论计算得到了该分子数个低指数晶面的表面能，并基于Gibbs-Curie-Wulff理论预测了晶体的平衡形貌。随后采用物理气相沉积的方法生长晶体，成功得到了微米尺度的单晶。研究发现在高温区生长得到的单晶形貌和理论预测的形貌相符合。原因是高温区传质速率快，晶体处于热力学平衡态。处于低温区的单晶受低传质速率的限制，晶体偏离平衡形貌。该研究为有机半导体形貌的精确预测和生长习性的调控提供了理论依据，在有机单晶研究领域具有重要意义。

摘要： 回顾有机发光器件发展的历程,可以看出器件性能的提高是建立在材料的发展和对器件物理的深入了解的基础上的。目前有机发光器件无论在显示还是在照明领域都取得长足进步,但距人们的期望还有很大差距。因此,为了促进有机发光器件的发展,从制约当前有机发光器件发展的关键问题入手,深入开展物理问题的研究是十分重要的。对显示应用要求器件有：高亮度,高效率,低功耗,长寿命；对照明应用,要求器件在高亮度下有高功率效率,长寿命和高显色指数,为满足这些要求,本文介绍了目前关键的物理问题:超荧光物理、有机半导体掺杂物理、光传输物理等。

摘要： 本研究作为起草国际电工委员会标准IEC 62321,Ed.1的第3次国际实验室间比对实验的一部分,考察了用碱溶液对聚合物样品中六价铬进行萃取时样品的基体材料、粒径和萃取时间对萃取效率的影响。研究选取了3种不同粒径(＜125μm,125μm～250μm和250μm～500μm)的ABS、PVC和EVA/PE样品。用50mL 0.5moL/L NaOH/0.28 mol/L Na2CO3混合碱性消解液在90°C～95°C下萃取样品中的六价铬,并在1h～6h内逐渐增加萃取时间。测试结果表明：聚合物中六价铬的萃取率明显地受到样品基体材料的影响,PVC材料有很好的萃取效果,ABS中的六价铬也能被有效萃取出；而EVA/PE材料中的六价铬则几乎不能被萃取。不管对PVC还是ABS,3h的萃取时间基本能达到最大萃取率,而样品粒径在减小至250μm以下后萃取率会明显提高。

摘要： 本研究作为起草国际电工委员会标准IEC 62321,Ed.1的第3次国际实验室间比对实验的一部分,考察了用碱溶液对聚合物样品中六价铬进行萃取时样品的基体材料、粒径和萃取时间对萃取效率的影响。研究选取了3种不同粒径(＜125μm,125μm～250μm和250μm～500μm)的ABS、PVC和EVA/PE样品。用50mL 0.5moL/L NaOH/0.28 mol/L Na2CO3混合碱性消解液在90°C～95°C下萃取样品中的六价铬,并在1h～6h内逐渐增加萃取时间。测试结果表明：聚合物中六价铬的萃取率明显地受到样品基体材料的影响,PVC材料有很好的萃取效果,ABS中的六价铬也能被有效萃取出；而EVA/PE材料中的六价铬则几乎不能被萃取。不管对PVC还是ABS,3h的萃取时间基本能达到最大萃取率,而样品粒径在减小至250μm以下后萃取率会明显提高。

摘要： 一种有机晶体管，其具有半导体有源层，该半导体有源层含有由下式表示且分子量为3000以下的化合物(X为氧、硫、硒、碲原子或NR

摘要： 本发明为有机半导体微粒材料、有机半导体薄膜及有机晶体管，有机半导体微粒材料的特征在于，所述有机半导体微粒材料是能够作为有机半导体材料使用的微粒状的材料，该微粒是在被加热至50°C～350°C的温度时向液晶状态发生相变的热致液晶。根据上述本发明，能够提供有机半导体微粒材料、有机半导体薄膜及有机晶体管，所述有机半导体微粒材料容易大面积且均一地制作通过印刷制膜法形成的有机半导体薄膜，具有高的电子迁移率及高的开/关值，并且能够通过使用了微粒的分散液涂布法来形成有机半导体薄膜。

摘要： 本发明的课题提供室温下有机溶剂溶解性、溶液保存稳定性及耐热性优异的有机化合物、含有该有机化合物的有机半导体材料、使用该有机半导体材料并通过室温印刷制程获得的有机薄膜、及含有该有机薄膜而成的具有高移动率和耐热性的有机半导体装置。本发明提供一种下述式(A)所示的有机化合物及含有该有机化合物的有机半导体材料。(式中，R1及R2的任一者表示烷基、具有烷基的芳香族烃基或具有烷基的杂环基，另一者表示脂肪族烃基、芳香族烃基或杂环基。但排除R1及R2两者皆表示烷基的情形。)。

摘要： 一种非发光性有机半导体器件用涂布液，其含有通式(2)表示的化合物和沸点为100°C以上的溶剂(通式(2)中，R

摘要： 本发明为有机半导体微粒材料、有机半导体薄膜及有机晶体管，有机半导体微粒材料的特征在于，所述有机半导体微粒材料是能够作为有机半导体材料使用的微粒状的材料，该微粒是在被加热至50°C～350°C的温度时向液晶状态发生相变的热致液晶。根据上述本发明，能够提供有机半导体微粒材料、有机半导体薄膜及有机晶体管，所述有机半导体微粒材料容易大面积且均一地制作通过印刷制膜法形成的有机半导体薄膜，具有高的电子迁移率及高的开/关值，并且能够通过使用了微粒的分散液涂布法来形成有机半导体薄膜。

摘要： 本发明提供一种具备含有特定的聚合物的有机半导体层的有机薄膜晶体管元件、优选作为该有机半导体层的有机半导体膜及其制造方法以及优选作为该有机半导体膜的构成材料的聚合物及组合物，该特定的聚合物具有包含特定的式所表示的结构的重复单元。

摘要： 本发明的课题提供室温下有机溶剂溶解性、溶液保存稳定性及耐热性优异的有机化合物、含有该有机化合物的有机半导体材料、使用该有机半导体材料并通过室温印刷制程获得的有机薄膜、及含有该有机薄膜而成的具有高移动率和耐热性的有机半导体装置。本发明提供一种下述式(A)所示的有机化合物及含有该有机化合物的有机半导体材料。(式中，R1及R2的任一者表示烷基、具有烷基的芳香族烃基或具有烷基的杂环基，另一者表示脂肪族烃基、芳香族烃基或杂环基。但排除R1及R2两者皆表示烷基的情形)。

摘要： 本发明提供一种涂覆性优异的有机半导体层形成用溶液、使用该溶液制成的具有高耐热性的有机半导体及含有该有机半导体的层、以及表现出高的电气性能的有机薄膜晶体管。本发明涉及一种组合物，其含有有机半导体和具有选自式(1‑a)、式(1‑b)及式(1‑c)中的至少1种单元的聚合物(1)。含有有机半导体、聚合物(1)和有机溶剂的组合物可以适合作为有机半导体层形成用溶液使用。

摘要： 提供用于采用简便的工艺高精度地制造有机半导体器件的有机半导体器件用喷墨记录介质及有机半导体器件用构件。另外，提供使用有该有机半导体器件用喷墨记录介质的、能够采用简便的工艺高精度地制造有机半导体器件的有机半导体器件的制造方法。本发明的有机半导体器件用喷墨记录介质是将基材、电极、及墨容纳层依次层叠的有机半导体器件用喷墨记录介质，其特征在于，上述墨容纳层在上述电极侧具有防止墨浸透区域，所述防止墨浸透区域防止从远离上述电极的表面向上述电极浸透的墨到达上述电极。

摘要： 本发明提供一种有机半导体单晶膜，其能够配置于期望的基板上，且具有比以往薄的膜厚。本发明涉及一种有机半导体器件，其包含基板以及上述基板上的有机半导体单晶膜，上述有机半导体单晶膜的平均膜厚为2～100nm，上述基板的与上述有机半导体单晶膜相接的面的至少一部分为接触角80度以上的疏水性、溶剂溶解性、非耐热性或它们的组合。