晶格结构

摘要： 背景:足底压力过高是导致糖尿病足溃疡的因素之一,研究糖尿病患者步态周期内不同时刻的足底压力有助于设计防护鞋具。目的:分析糖尿病患者足跟撞击和前掌推离时刻的足底压力,设计中底结构,优化减压效果。方法:开展足底压力试验,分析糖尿病神经病变患者、无神经病变的糖尿病患者与健康人在足跟撞击和前掌推离时刻的足底压力差异。构建足部有限元模型,设计乙烯-醋酸乙烯酯共聚物中底和不同模量的热塑性聚氨酯菱形晶格中底,分析神经病变患者使用不同中底时足跟撞击和前掌推离时刻的足底压力及软组织应力变化,优化糖尿病防护鞋结构尺寸。结果与结论:①神经病变组前掌推离时刻的足底压力峰值比健康对照组高22.2%,差异有显著性意义(P<0.05);②乙烯-醋酸乙烯酯共聚物中底使神经病变患者足跟撞击和前掌推离时刻的足底压力峰值分别降低13.0%和12.9%,使软组织应力峰值分别降低18.2%和11.1%;③优化的菱形晶格结构将患者2个时刻的足底压力峰值分别降低41.6%和48.4%,将软组织应力峰值分别降低41.4%和49.8%;④提示开发糖尿病防护鞋具应重视对前掌推离时刻的减压,菱形晶格结构能实现比传统乙烯-醋酸乙烯酯共聚物中底更好的效果。

摘要： 对于工业领域,尤其是汽车和航空航天制造业而言,寻找轻质且坚固的材料非常必要。日前,美国科学家通过对广泛分布于印度—太平洋地区的多节海星骨骼样本进行研究,首次发现,海星的骨骼均由一个个单独的微晶格结构构成,这种微晶格结构非常均匀,可以用数学公式来描述。它通过节点连接分支组成,类似于埃菲尔铁塔的结构。他们还发现,微晶格结构的均匀性本质是原子水平的单晶结构。

摘要： 中文命名实体识别(NER)任务是信息抽取领域内的一个子任务,其任务目标是给定一段非结构文本后,从句子中寻找、识别和分类相关实体,例如人名、地名和机构名称。中文命名实体识别是一个自然语言处理(NLP)领域的基本任务,在许多下游NLP任务中,包括信息检索、关系抽取和问答系统中扮演着重要角色。全面回顾了现有的基于神经网络的单词-字符晶格结构的中文NER模型。首先介绍了中文NER相比英语NER难度更大,存在着中文文本相关实体边界难以确定和中文语法结构复杂等难点及挑战。然后调研了在不同神经网络架构下(RNN、CNN、GNN和Transformer)最具代表性的晶格结构的中文NER模型。由于单词序列信息可以给基于字符的序列学习更多边界信息,为了显式地利用每个字符所相关的词汇信息,过去的这些工作提出通过词-字符晶格结构将单词信息整合到字符序列中。这些在中文NER任务上基于神经网络的单词-字符晶格结构的性能要明显优于基于单词或基于字符的方法。最后介绍了中文NER的数据集及评价标准。

摘要： Py-FeO_(2)、Py-FeOOH和ε-FeOOH是地幔及核幔边界的重要成分,其在高温高压下的物性演化特征对了解地幔物质组成和结构及动力学过程有重要意义,为此利用第一性原理方法计算了0~350 GPa条件下Py-FeO_(2)和Py-FeOOH以及0~170 GPa条件下ε-FeOOH的晶体结构与弹性性质。Py-FeO_(2)和Py-FeOOH的晶格常数随压强的增加呈逐渐减小趋势,而ε-FeOOH的晶格常数随压强增加而减小,其中c轴更容易被压缩。Py-FeO_(2)、Py-FeOOH和ε-FeOOH的晶胞密度随压强增加而增大,按照密度由大到小依次为Py-FeO_(2)、Py-FeOOH、ε-FeOOH。3相的体积模量随压强的增加线性增加,Py-FeO_(2)和Py-FeOOH的剪切模量随压强的增加线性增加。对比体积模量可知,Py-FeO_(2)的体积模量最高,Py-FeOOH和ε-FeOOH的体积模量在高压下几乎一致;而Py-FeO_(2)的剪切模量最大,ε-FeOOH的剪切模量最小。Py-FeO_(2)、Py-FeOOH和ε-FeOOH的压缩波速随压强的增加而增加,Py-FeO_(2)的剪切波速随压强的增加而增加。Py-FeOOH的剪切波速在0~2000 km深度范围内随深度增加而减小,在2000~6000 km深度范围内变化较小(在5.8~6.0 km/s之间);ε-FeOOH的剪切波速在33 GPa(约900 km深度)发生突变。3相中ε-FeOOH的波速最低,而Py-FeO_(2)的波速最高。综合计算结果表明,Py-FeO_(2)和Py-FeOOH具有高密度、低波速的特点,与地幔超低速区的性质一致。Py-FeO_(2)和Py-FeOOH在形成之后可能富集下沉到核幔边界,成为超低速区的来源。ε-FeOOH在超过33 GPa压强条件下发生的氢键对称化给ε-FeOOH的结构带来显著变化,同时氢键对称化会影响原子间相互作用,进而影响ε-FeOOH的弹性性质以及地震波速。

摘要： 据英国《新科学家》杂志网站报道,英国科学家发表最新研究称,他们可以调整量子计算机内量子比特之间的相互作用,这意味着量子计算机可以创造出拥有新奇特性的物质新结构,揭示超导性等物质特性。研究人员表示,大多数固体材料是由原子或分子组成的,这些原子或分子受到来自其“邻居”的力的影响,这一原理被称为局域性,冰或盐等化合物中常见的晶格结构由此产生。但量子计算机的工作不受这种限制,因此其或许能够操纵物质来对抗局域性。

摘要： 石墨烯自问世以来便引起了各国的广泛关注和积极布局,各国共同推动石墨烯从研究进入应用阶段。石墨烯最早于2004年由英国曼彻斯特大学的两位科学家安德烈·盖姆(Andre Geim)和康斯坦丁·诺沃肖洛夫(Konstantin Novoselov)制备出来,这两位科学家也因此获得了2010年诺贝尔物理学奖。石墨烯是由碳原子以sp2杂化轨道组成的六角型呈蜂巢晶格结构的二维碳纳米材料。

摘要： 为揭示微波辐射对烟煤自然倾向性的影响规律及作用机制,给微波辐射在煤层增透中的安全应用提供参考,采用程序升温实验结合交叉点温度法研究了微波辐射对神木烟煤自燃倾向性的影响,采用X射线衍射法分析了煤样晶格结构在微波改性后的变化。结果表明:微波辐射使得150°C以下煤样产生的CO与CO_(2)体积分数均大于原煤产生的CO与CO_(2)体积分数,且微波处理后生成C_(3)H_(8)的时间提前。在150°C以上,短时间(1 min)微波处理煤样的烃类气体生成趋势与原煤的烃类气体生成趋势相似,但长时间(>1 min)微波处理后,C_(2)H_(4)和C_(3)H_(8)气体产量在160°C~180°C先下降后上升,反映了气体生成路径的变化。随着微波辐射时间从0 min增大到4 min,交叉点温度先降低后升高,自燃倾向性指数先减小后增大,煤自燃风险先变大后减小,微波辐射3 min时煤样自燃风险最大。随着微波时间从0 min增大到4 min,晶面层片间距先增大后减小,石墨化程度先降低后升高;同时堆积高度先减小后增大,晶格有序性先降低后升高。

摘要： 美国化学委员会(ACC)的聚氨酯行业中心(CPI)宣布,CARBON公司的EPU 44赢得了2022年的聚氨酯创新奖。EPU 44是一种含有40%生物成分的工业级聚氨酯弹性3D打印树脂。EPU 44具有优异的撕裂强度、弹性和断裂伸长率,从而实现出色的缓冲和舒适的性能;它还具有更快的打印速度,使用材料更少,并且具有更高的拉伸强度,可以满足精密的设计。特别适合于需要高弹性的晶格结构和耐用的产品,如跑步鞋的中底。

摘要： 本文采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法和基于进化算法的晶体结构搜索,研究了配位型储氢材料NaBH4和NaBH6在高压下的结构相变,讨论了高压稳定相的电子能带结构和晶格动力学性质。高压下的NaBH4表现出绝缘特征,其带隙约为5 eV,与金刚石的带隙宽度接近,为超宽带隙(UWBG)材料。随着H比例的提高,高压下的NaBH6显示出金属性,表明高压下的NaBHn材料可通过H含量来调制绝缘-金属转变。声子谱的计算还表明,该系列材料具有高达约1000 cm−1 (约30 THz)的声子带隙,可作为潜在的声子晶体材料用于调制太赫兹频段弹性波的传播。

摘要： 晶格结构因其具备特殊的机械性能,已成为增材制造复杂结构设计和制造的重要研究领域之一。针对传统的模型晶格结构生成方法需要通过对参数化建模的晶格结构网格进行裁剪或对其网格进行保形变形实现,且生成效率较低的问题,提出一种基于参数曲面的增材制造保形晶格结构生成方法,实现晶格结构对曲面空间的适应和高效生成。首先,基于一种矩阵方法完成晶格结构骨架的表达和构造。其次,利用点与曲面、曲线与曲面、曲面与曲面所形成的3种封闭空间,对晶格结构骨架进行保形变形,使晶格结构适应曲面空间。最后,采用基于晶格结构骨架的网格生成和拼接方法,生成保形晶格结构的网格模型。通过组件应用架构(CAA)二次开发方法提取计算机辅助三维交互应用软件(CATIA)模型的参数曲面,实现保形晶格结构模型的高效生成,并表现出良好的曲面空间适应性,证明该方法具有一定工程价值。

摘要： 夹心式换能器也称朗之万换能器.它是由前后金属块,压电陶瓷晶堆,金属电极和预应力螺栓组成.传统的夹心式压电换能器,一般情况下要求直径小于其纵向尺寸,以便满足一维纵向振动理论的要求.然而在一些高强功率应用场合,例如超声焊接,超声冷拔金属管等,夹心式换能器的横向尺寸较大,此时不满足一维理论要求,当换能器处在工作状态时,实际上是纵向振动和横向振动的耦合.由于耦合振动,换能器的输出端面位移分布不均匀,因此抑制横向振动具有重大的意义.

摘要： 以山东平度鳞片石墨为原料,在N-甲基吡咯烷酮(NMP)中,利用超声剥离法制备了石墨烯分散液.分散液稳定性高,静置3周未见明显沉淀.用扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)对石墨烯的形貌进行了表征,结果表明,制得的石墨烯主要以少层石墨烯为主.X射线光电子能谱仪(XPS)、X射线衍射仪(XRD)测试结果表明,所得样品C/O比率上升,晶格结构完好,说明在超声剥离过程中,没有为石墨晶格引入杂质,石墨烯具有较高的质量.

摘要： 基于集中参数模型动力学分析方法,研究了具有三谐振内质量系统的一维声子晶体滤波器.首先给出无限周期晶格结构的能带计算理论和有限周期晶格结构的振动传输计算理论.数值模拟分析了周期晶格系统能带特性和振动传输特性,理论及仿真研究表明,滤波器存在四个阻带和四个通带,过渡带随周期数Ⅳ增加变窄,改变系统相关参数可进行滤波器频率调谐和阻带宽度调节,周期数仅为四时第三个带隙内波衰减可超过-80dB.

摘要： 钛白粉(TiO2)是一种具有优异遮盖力、光散射力和高消色力的无机白色颜料.由于TiO2的光化学活性稳定性及其在一定条件下的分散性差,且其存在晶格缺陷,因此需对TiO2进行无机表面处理.在本案,笔者首先分析TiO2包膜的影响因素,然后再进一步提出一种硅铝包膜工艺.研究结果表明,硅铝包膜工艺的应用可使TiO2的白度＞95.7及其消色力为115～118且具有良好的耐候性.

摘要： 钛白粉(TiO2)是一种具有优异遮盖力、光散射力和高消色力的无机白色颜料.由于TiO2的光化学活性稳定性及其在一定条件下的分散性差,且其存在晶格缺陷,因此需对TiO2进行无机表面处理.在本案,笔者首先分析TiO2包膜的影响因素,然后再进一步提出一种硅铝包膜工艺.研究结果表明,硅铝包膜工艺的应用可使TiO2的白度＞95.7及其消色力为115～118且具有良好的耐候性.

摘要： 钛白粉(TiO2)是一种具有优异遮盖力、光散射力和高消色力的无机白色颜料.由于TiO2的光化学活性稳定性及其在一定条件下的分散性差,且其存在晶格缺陷,因此需对TiO2进行无机表面处理.在本案,笔者首先分析TiO2包膜的影响因素,然后再进一步提出一种硅铝包膜工艺.研究结果表明,硅铝包膜工艺的应用可使TiO2的白度＞95.7及其消色力为115～118且具有良好的耐候性.

摘要： 钛白粉(TiO2)是一种具有优异遮盖力、光散射力和高消色力的无机白色颜料.由于TiO2的光化学活性稳定性及其在一定条件下的分散性差,且其存在晶格缺陷,因此需对TiO2进行无机表面处理.在本案,笔者首先分析TiO2包膜的影响因素,然后再进一步提出一种硅铝包膜工艺.研究结果表明,硅铝包膜工艺的应用可使TiO2的白度＞95.7及其消色力为115～118且具有良好的耐候性.

摘要： 锑化物InAs/GaSb二类超晶格探测器是继碲镉汞红外探测器,量子阱红外探测器之后兴起的高性能制冷型红外探测器,具有暗电流小、俄歇复合率低、波长调节范围大等优点.目前国内外的InAs/GaSb二类超晶格探测器均用MBE生长.由于MOCVD是产业界主流技术,具有产能大生长温度高等特点,展开了用MOCVD生长InAs/GaSb二类超晶格探测器的工作.为了提高产能，采取了一台工业级的Aixtron2400机台，具备5×4",8×3"和11×2"的生长能力，成功生长了一个锑化物中波红外探测器。该器件的截止波长为4.8μm，X光衍射卫星峰半高宽小于40弧秒，PL半宽为26meV，器件峰值响应率1.4A/W，零偏结阻抗为2.3×104Ωcm2，峰值探测率为7.2×1012cmHz1/2/W。无论是材料质量还是器件性能本结果均与MBE生长的锑化物探测器相当，证明了MOCVD作为锑化物超晶格材料生长方法的可行性。

摘要： 锑化物InAs/GaSb二类超晶格探测器是继碲镉汞红外探测器,量子阱红外探测器之后兴起的高性能制冷型红外探测器,具有暗电流小、俄歇复合率低、波长调节范围大等优点.目前国内外的InAs/GaSb二类超晶格探测器均用MBE生长.由于MOCVD是产业界主流技术,具有产能大生长温度高等特点,展开了用MOCVD生长InAs/GaSb二类超晶格探测器的工作.为了提高产能，采取了一台工业级的Aixtron2400机台，具备5×4",8×3"和11×2"的生长能力，成功生长了一个锑化物中波红外探测器。该器件的截止波长为4.8μm，X光衍射卫星峰半高宽小于40弧秒，PL半宽为26meV，器件峰值响应率1.4A/W，零偏结阻抗为2.3×104Ωcm2，峰值探测率为7.2×1012cmHz1/2/W。无论是材料质量还是器件性能本结果均与MBE生长的锑化物探测器相当，证明了MOCVD作为锑化物超晶格材料生长方法的可行性。

摘要： 锑化物InAs/GaSb二类超晶格探测器是继碲镉汞红外探测器,量子阱红外探测器之后兴起的高性能制冷型红外探测器,具有暗电流小、俄歇复合率低、波长调节范围大等优点.目前国内外的InAs/GaSb二类超晶格探测器均用MBE生长.由于MOCVD是产业界主流技术,具有产能大生长温度高等特点,展开了用MOCVD生长InAs/GaSb二类超晶格探测器的工作.为了提高产能，采取了一台工业级的Aixtron2400机台，具备5×4",8×3"和11×2"的生长能力，成功生长了一个锑化物中波红外探测器。该器件的截止波长为4.8μm，X光衍射卫星峰半高宽小于40弧秒，PL半宽为26meV，器件峰值响应率1.4A/W，零偏结阻抗为2.3×104Ωcm2，峰值探测率为7.2×1012cmHz1/2/W。无论是材料质量还是器件性能本结果均与MBE生长的锑化物探测器相当，证明了MOCVD作为锑化物超晶格材料生长方法的可行性。

摘要： 提供具有限定重复单位单元的三维晶格(104)的多个一体形成的连续单位单元的热交换器(100)，以及在热交换器(100)的三维晶格(104)结构中减少压降的方法。多个一体形成的连续单位单元包括多个路径单元(200)和多个部分单位单元(304)。多个路径单元(200)具有包括内部和外部路径单元表面(210)的固体域(202)，内部和外部路径单元表面(210)分别连续地限定第一和第二分叉流体域(204)，(206)，分别用于第一流体(138)和第二流体(144)流经多个路径单元(200)。多个部分单位单元(304)可将部分相移引入重复单位单元的三维晶格(104)，使得第一流体(138)域包括第一圆形单位单元进口(306)，并且第二流体(144)域包括第二圆形单位单元进口(308)。

摘要： 提供具有限定重复单位单元的三维晶格(104)的多个一体形成的连续单位单元的热交换器(100)，以及在热交换器(100)的三维晶格(104)结构中减少压降的方法。多个一体形成的连续单位单元包括多个路径单元(200)和多个部分单位单元(304)。多个路径单元(200)具有包括内部和外部路径单元表面(210)的固体域(202)，内部和外部路径单元表面(210)分别连续地限定第一和第二分叉流体域(204)，(206)，分别用于第一流体(138)和第二流体(144)流经多个路径单元(200)。多个部分单位单元(304)可将部分相移引入重复单位单元的三维晶格(104)，使得第一流体(138)域包括第一圆形单位单元进口(306)，并且第二流体(144)域包括第二圆形单位单元进口(308)。

摘要： 提供具有限定重复单位单元的三维晶格(104)的多个一体形成的连续单位单元的热交换器(100)，以及在热交换器(100)的三维晶格(104)结构中形成挡板的方法。多个一体形成的连续单位单元包括多个路径单元(200)和在多个路径单元(200)之中一体形成的多个挡板单元(250)。多个路径单元(200)具有包括内部和外部路径单元表面(210)的固体域(202)，内部和外部路径单元表面(210)分别连续地限定第一和第二分叉流体域(204)，(206)，分别用于第一流体(138)和第二流体(144)流经多个路径单元(200)。多个挡板单元(250)具有包括一个或多个分叉路径盲板(254)的固体域(202)，一个或多个分叉路径盲板(254)一起提供连续地限定分叉流体域的边界的一个或多个分叉路径挡板(300)，(302)。

摘要： 本申请提供一种Ⅱ类超晶格红外探测器单元结构及其制备方法、Ⅱ类超晶格红外焦平面探测器，属于红外探测技术领域。Ⅱ类超晶格红外探测器单元结构，其包括红外探测器外延片、金属接触层和金属连接柱。金属接触层包括依次层叠布置的粘附层、反射层、连接层、第一保护层和第二保护层，粘附层连接于红外探测器外延片。金属连接柱连接于第二保护层。本申请的Ⅱ类超晶格红外探测器单元结构在金属接触层中增加反射层，即将接触电极和反射电极融合，在形成良好欧姆接触的同时，能够通过光反射实现部分损失光的二次吸收，从而提升制作的红外探测器的量子效率，进而优化红外探测器的成像效果。

摘要： 本发明涉及制作半导体装置或结构的方法，其包含：形成上覆在顺从性材料层上的半导体材料结构；随后改变所述顺从性材料的粘度以使所述半导体材料结构松弛；及利用所述经松弛半导体材料结构作为籽晶层来形成连续的经松弛半导体材料层。在一些实施例中，所述半导体材料层可包括III-V型半导体材料，举例来说，氮化铟镓。在此类方法期间形成新颖的中间结构。工程衬底包含具有经松弛晶格结构的连续半导体材料层。

摘要： 本发明涉及一种可指定晶格各向异性性能的晶格结构设计方法，属于多孔晶格结构的设计与性能控制技术领域。通过建立不同层的晶格结构与调整晶格层之间的参数实现晶格的各向异性控制。得到二层晶格模型的参数与各向异性指数的映射函数三层晶格模型的参数与各向异性指数的映射函数指定待设计晶格的各项异性指数为A，若|A–A3_ave|>|A–A2_ave|，则选定二层晶格桁架结构作为目标结构，并利用映射函数求得晶格参数；否则选定三层晶格桁架结构作为目标结构，并利用映射函数求得晶格结构设计参数。实现晶格各向异性的参数化设计。

摘要： 本发明涉及一种InAlGaN超晶格结构生长方法、超晶格结构、外延结构和芯片，生长方法包括以下步骤：(1)、生长InGaN阱层，所述InGaN阱层的生长温度为600°C～700°C；(2)、在所述InGaN阱层上生长InAlGaN Cap层，述InAlGaN Cap层的生长温度为600°C～700°C；(3)、在所述InAlGaN Cap层上生长GaN Cap层，所述所述GaN cap层的生长温度为600°C～700°C；(4)、在所述GaN Cap层上生长n型InAlGaN垒层，所述n型InAlGaN垒层的生长温度为600°C～700°C；(5)、重复上述步骤(1)～(4)多次，形成多周期循环结构的InAlGaN超晶格结构。其能够有效改善核心层量子阱层的质量，降低阱垒层的缺陷，从而提高紫外GaN基LED的光效和可靠性。

摘要： 公开了限定其中可容纳操作材料的单元的化学结构，以及包含该化学结构和操作材料的组合物，用于制备该组合物的组合物，以及制备以上物质的方法。制备该化学结构的组合物包括核部前体化合物和细长部前体化合物。公开了包括核部(类似于节点)和细长部(类似于节点之间延伸的连接器)的晶格结构。还公开了包括一个或以上组合物的制品，包括晶格结构/操作材料区域(包括至少第一晶格结构(包括多个核部和多个细长部)和至少第一操作材料)以及至少第一附加区域的结构。

摘要： 一种用于形成微晶格结构的组合物包括光聚合性化合物和阻燃材料。微晶格结构包括在多个节点处互连的多个支柱，所述支柱包括：包括光聚合性化合物与阻燃材料的反应产物的共聚物。微晶格结构包括在多个节点处互连的多个支柱，所述支柱包括：包括光聚合性化合物的反应产物的聚合物；和阻燃材料。

摘要： 本发明涉及制作半导体装置或结构的方法，其包含：形成上覆在顺从性材料层上的半导体材料结构；随后改变所述顺从性材料的粘度以使所述半导体材料结构松弛；及利用所述经松弛半导体材料结构作为籽晶层来形成连续的经松弛半导体材料层。在一些实施例中，所述半导体材料层可包括III-V型半导体材料，举例来说，氮化铟镓。在此类方法期间形成新颖的中间结构。工程衬底包含具有经松弛晶格结构的连续半导体材料层。