普米族

摘要： “吾昔”为“星星回来”之日,时间为农历正月初七,此时普米族要举行隆重的祭祀仪式,共历时九天,散落在世界各地的普米族人要回家欢度“吾昔”。他们通过祭“水龙”“山神”“年迁”“宗巴拉”“锅庄”和“切叠帕”的形式来祭拜祖先、感恩祖神、崇敬英雄、缅怀历史和感恩父母。长辈们还要通过“切叠帕”带族人追溯从青藏高原到永宁乡比奇村的迁徙路线,通过祭“宗巴拉”来重温佛教与韩规教融合的艰难历程;通过“铁三脚”祭仪来追念七世祖和九世祖带领大家披荆斩棘建设家园的美好景象。“吾昔”祭祀礼仪具有传承信念、教化后代、凝聚本族血缘的社会功能,成为延续普米族文化的重要载体。

摘要： 来自丽江的阿古吉玛(杨英)、阿古尼姆(杨清)、次里珠玛(普米族)、腊诗漫薇(和梅)四姐妹,因对音乐的热爱,于2013年相遇在云南艺术学院。她们曾一起多次参加比赛,2014参加中新国际音乐大赛,荣获民族唱法一等奖;2015年参加黄金100秒云南赛区大赛,荣获民族唱法一等奖;2018年正式组成玉龙女组合,并发行了单曲《那年花开》;2021年发行组合单曲《爱在路上》《在丽江》。

摘要： 走进宁蒗彝族自治县易地扶贫搬迁安置区“幸福家园”,各类基础服务设施一应俱全,从大山深处搬迁至此的6600余名少数民族群众和睦相处、团结互助,呈现出城乡面貌大变样、民族团结大融合、群众生活大提高的生动图景。宁蒗县地处滇川藏交界处,俗称“小凉山”,有彝族、汉族、普米族、族等11个民族,全县28万人口中少数民族占83%。

摘要： 为传承少数民族文化,保持文创设计多元发展动力。文章结合普米族文创设计实例,提出在文创设计中“以文化为核心”及“依据主流市场需求而设计”两大设计原则,确定文创设计中“文化独特”与“文化共鸣”两大设计方向,从直观、行为和精神内涵三大文化层级出发进行少数民族文创设计。得出一套普米族文创设计方案,摸索少数民族文创设计方法。最终借普米文创传播普米文化,并以此引导文化消费者的正确消费价值观,也为更多少数民族文创设计提供参考。

摘要： 丽江市古城区大研街道下设8个社区55个居民小组,常住人口23171人,辖区内生活着纳西族、汉族、藏族、白族、彝族、普米族等十多个民族,其中纳西族人口占总人口的77%。

摘要： 家,太冷了!一间间杈杈房漏风又漏雨。地,太瘦了!一片片荒坡收获玉米一箩筐。路,太远了!一条条回家山路攀爬一晌午。多年前,从滇西北到滇西南,千里边疆万道山,在云南直过民族地区随处可见这样的场景。近几年,在党中央、国务院的关心和社会各界的支持下,云南省把直过民族聚居区作为全省脱贫攻坚的重点,一族一策、一族一帮。最近,云南省88个贫困县全部退出贫困县序列,独龙族、德昂族、基诺族、佤族、普米族、阿昌族、拉祜族、布朗族、景颇族、怒族和傈僳族11个直过民族和人口较少民族实现整族脱贫,历史性告别绝对贫困。

摘要： 家,太冷了!一间间杈杈房漏风又漏雨。地,太瘦了!一片片荒坡收获玉米一箩筐。路,太远了!一条条回家山路攀爬一晌午。多年前,从滇西北到滇西南,千里边疆万道山,在云南直过民族地区随处可见这样的场景。在党中央、国务院的关心和社会各界的支持下,云南省88个贫困县全部退出贫困县序列,独龙族、德昂族、基诺族、佤族、普米族、阿昌族、拉祜族、布朗族、景颇族、怒族和傈僳族11个直过民族和人口较少民族实现整族脱贫,历史性告别绝对贫困。

摘要： 本文聚焦普米族的民族文化中服饰纹样的研究,并依托IP人物设计开发普米族系列文创产品。厘清普米族民族服饰纹样的形成及发展过程,研究其在民族杂居大环境下保留的传统服饰纹样的独特性,以及在发展过程中受到其他少数民族如白族、纳西族、藏族等的影响。通过对普米族服饰中头服、上衣、下裳和装饰的相关资料进行详细整理研究,从款式类型、色彩搭配和装饰技艺等几个方面分析其艺术特点,结合IP人物形象设计的审美价值、创新形式、工艺技术以及传统与现代并存的理念,解构后再创作实践,设计出基于普米族少数民族文化的符号化、大众化的文创产品。同时,民族服饰能够体现其民族文化、民族独特风貌和其发展轨迹,将普米族传统文化与现代流行设计元素相结合,赋予现代设计产品浓厚且扎实的民族文化属性、艺术属性,使产品更具竞争力。优化文创设计产品,使民族文化传播途径更加多元化,引导市场消费者主动了解中国民族传统文化。

摘要： 文章针对云南省普米族文创设计实践,研究普米族图形在文创设计中的优势与必要性.从普米族历史发展和民族文化角度,分析普米族图形的文化内涵、艺术形式和图形特点;从设计方法和应用价值角度,总结出用户印象性、时尚简洁性、合适合理性的文创设计原则,结合我国文创产业蓬勃发展的情况,提出普米族文创设计应立足其文化底蕴.普米族图形文化对少数民族文创设计思维的形成、文化的传承与创新有着参考意义,为建设少数民族地域性文创产品提供借鉴.

摘要： 普米族的民间歌谣,作为反映本民族生活的镜子,无疑的,从内容到形式,都要表现出普米族的民族特色性来.普米族歌谣一般可分为古歌、礼仪歌、劳动歌、情歌、儿歌、新民歌、叙事长诗七类.本文主要是从四个方面来简单的分析普米族的劳动歌与生产生活中的密切关系.

摘要： 普米族是中国少数民族之一,通过对普米族给羊子仪式的介绍，研究了其仪式音乐的民族特色，指出其具有具有多元文化价值，仪式音乐中的跳锅庄蕴含的死亡与繁衍的寓意，仪式音乐变迁映射多重族性如与纳西、其的白族、汉族等融合。

摘要： “普米族传统文化传习小组”是在滇西北兰坪县普米族村落中成长起来，以保护和传承本民族传统文化为己任的一支小组。两年来，作为“民族民间文化保护工程”试点之一，小组建设工作始终坚持实事求是，在悖论中思考，将尊重热爱民族文化与理智审慎实践结合起来，坚持“活化传承”，坚持“良性”，但必须“可持续”这双重标准。旨在探索对西南偏远山区民族村寨民族文化传承具体可行的新型民间传承模式，并积累相关经验。普米小组在发展中经历了很多与大家相同或不同的困难，也收获了一些与大家相似或相异的经验。本文现对其工作经验进行总结综述。

摘要： 一种芳香族聚酯，作为构成单元，其包含：(A)下述式(a)所表示的重复单元、(B)芳香族二羧酸来源的重复单元、(C)选自芳香族二胺及具有羟基的芳香族胺中的芳香族胺来源的重复单元、和(D)芳香族二醇来源的重复单元；相对于(A)至(D)的重复单元的合计，(A)的重复单元的含有率为10摩尔％以上且小于20摩尔％，(B)的重复单元的含有率超过40摩尔％且为45摩尔％以下，(C)的重复单元和(D)的重复单元的合计含有率超过40摩尔％且为45摩尔％以下，(D)的重复单元的含有率超过0摩尔％且小于15摩尔％。‑O‑Ar1‑CO‑ (a)式中，Ar1表示1,4‑亚苯基、2,6‑亚萘基或4,4’‑亚联苯基；Ar1所表示的基团中的至少一个氢原子任选分别独立地被卤素原子、烷基或芳基取代。

摘要： 本发明提供使氮化铬层面内的三棱锥形状的氮化铬微晶所占的面积比率提高的III族氮化物半导体元件制造用基板的制造方法。该III族氮化物半导体元件制造用基板的制造方法的特征在于，其具备：成膜工序，在生长用基底基板上形成铬层；氮化工序，通过在规定的条件下氮化该铬层，从而形成氮化铬层；晶体层生长工序，在该氮化铬层上外延生长至少一层III族氮化物半导体层，其中，前述铬层通过溅射法以溅射粒子射程区域的成膜速度为

摘要： 本发明提供使氮化铬层面内的三棱锥形状的氮化铬微晶所占的面积比率提高的III族氮化物半导体元件制造用基板的制造方法。该III族氮化物半导体元件制造用基板的制造方法的特征在于，其具备：成膜工序，在生长用基底基板上形成铬层；氮化工序，通过在规定的条件下氮化该铬层，从而形成氮化铬层；晶体层生长工序，在该氮化铬层上外延生长至少一层III族氮化物半导体层，其中，前述铬层通过溅射法以溅射粒子射程区域的成膜速度为

摘要： 公开不仅在生长温度为1050°C下或低于1050°C的AlGaN、GaN或GaInN的情况下，而且在生长温度高并且具有高的Al组成的Al

摘要： 本发明涉及药物化学技术领域，提供了一种阿普米司特片的制备方法，包括依次进行的原辅料混合、压片和包衣步骤，其特征在于：原辅料混合包括将活性成分、填充剂和润滑剂先采用湿法制粒机混合，然后采用干法制粒机制粒后再与崩解剂一起采用混合机混合。本发明克服了现有技术的不足，工艺设计合理，解决了现有的阿普米司特片生产工艺中，混粉流动性无法满足生产压片要求的技术问题。

摘要： 本发明提供一种催化活性的降低得以抑制、能高效地制造芳香族烃的芳香族烃制造用催化剂结构体以及具备该芳香族烃制造用催化剂结构体的芳香族烃制造装置。本发明的芳香族烃制造用催化剂结构体的特征在于，具备：多孔质结构的载体，由沸石型化合物构成；以及至少一种催化剂物质，存在于所述载体内，所述载体具有相互连通的通道，所述催化剂物质为金属微粒，存在于所述载体的至少所述通道。

摘要： 一种芳香族聚酯，作为构成单元，其包含：(A)下述式(a)所表示的重复单元、(B)芳香族二羧酸来源的重复单元、(C)选自芳香族二胺及具有羟基的芳香族胺中的芳香族胺来源的重复单元、和(D)芳香族二醇来源的重复单元；相对于(A)至(D)的重复单元的合计，(A)的重复单元的含有率为10摩尔％以上且小于20摩尔％，(B)的重复单元的含有率超过40摩尔％且为45摩尔％以下，(C)的重复单元和(D)的重复单元的合计含有率超过40摩尔％且为45摩尔％以下，(D)的重复单元的含有率超过0摩尔％且小于15摩尔％。‑O‑Ar1‑CO‑ (a)式中，Ar1表示1,4‑亚苯基、2,6‑亚萘基或4,4’‑亚联苯基；Ar1所表示的基团中的至少一个氢原子任选分别独立地被卤素原子、烷基或芳基取代。

摘要： 本发明提供使氮化铬层面内的三棱锥形状的氮化铬微晶所占的面积比率提高的III族氮化物半导体元件制造用基板的制造方法。该III族氮化物半导体元件制造用基板的制造方法的特征在于，其具备：成膜工序，在生长用基底基板上形成铬层；氮化工序，通过在规定的条件下氮化该铬层，从而形成氮化铬层；晶体层生长工序，在该氮化铬层上外延生长至少一层III族氮化物半导体层，其中，前述铬层通过溅射法以溅射粒子射程区域的成膜速度为

摘要： 本发明提供使氮化铬层面内的三棱锥形状的氮化铬微晶所占的面积比率提高的III族氮化物半导体元件制造用基板的制造方法。该III族氮化物半导体元件制造用基板的制造方法的特征在于，其具备：成膜工序，在生长用基底基板上形成铬层；氮化工序，通过在规定的条件下氮化该铬层，从而形成氮化铬层；晶体层生长工序，在该氮化铬层上外延生长至少一层III族氮化物半导体层，其中，前述铬层通过溅射法以溅射粒子射程区域的成膜速度为

摘要： 公开不仅在生长温度为1050°C下或低于1050°C的AlGaN、GaN或GaInN的情况下，而且在生长温度高并且具有高的Al组成的Al