族系

摘要： 【目的】我国主栽苹果品种根据亲本构成可分为富士族系、元帅族系、金冠族系和国光族系,分析不同族系果实的香气特征和遗传特性,为果品品质研究和香气育种提供参考。【方法】采取固相微萃取和气相色谱质谱(SPME-GC-MS)联用技术对4个族系的50个苹果品种果实香气物质进行检测,利用变异系数(CV)和主成分分析(PCA)解析不同族系间香气物质的显著性和特征。【结果】50个品种共检测出146种香气成分,酯类(38种)、醛类(29种)和醇类(19种)为主要香气物质,共占总含量的72.82%,其中酯类在数量和含量上变异系数均大于醛类和醇类。富士族系和元帅族系的总香气成分数量显著多于金冠族系(P<0.05),酯类物质数量显著多于金冠族系和国光族系(P<0.05),醛类和醇类物质的数量在不同族系间未达到显著水平。以香气值大于1为标准确定出28种特征性香气成分,其中8种成分在40个品种以上均被检测出,是苹果的典型香气成分。对28种特征性香气成分进行主成分分析,共提取8个主成分,结合香气成分的嗅感特征将50个不同品种划分为4个代表不同香型的区域,富士族系和元帅族系在4个区域均有分布,金冠族系和国光族系主要分布在青香型和淡香型区域,浓香型区域主要为元帅族系,甜香型区域主要为富士族系。不同的选育方式对金冠族系和国光族系影响更大,表现为杂交品种的相似系数、与对照共有的香气成分占比显著低于芽变品种(P<0.05);在所有族系中,芽变选育品种出现超亲现象的香气数量均多于杂交品种。【结论】富士族系和元帅族系的果实风味更加丰富,富士族系、元帅族系、金冠族系和国光族系的果实风味分别表现为甜香型、浓香型、青香型和淡香型;杂交能够提高后代香气成分的含量,并增加香气构成的复杂性;芽变对后代的香气成分种类影响较小,对香气含量的影响更大,其超亲现象多于杂交后代。

摘要： 闽西(汀州)客家较大规模迁台始于明郑治台时期.在其后的康乾时期,出现闽西客家人迁台热潮.然而,由于种种原因,迁台闽西客家大多未能像其他民系那样在台湾形成成片的聚居地,有的已经融入源于其他祖籍地的客家,甚至有的已经被“福佬”人同化为所谓“福佬客”.从台湾的鄞山寺和明志书院等标志性客家历史古迹入手,探寻闽西客家入迁垦殖的历史踪迹,发现北台湾旧称芝兰三堡、兴直堡、摆接堡乃至东北角北宜交界处都有闽西客家的踪迹,有些家族仍然是当地望族.虽然有些家族已被同化为“福佬客”,但他们的族谱、宗祠和当地一些民间信仰之寺观等仍能表明他们是闽西客家后裔.

摘要： 闽西(汀州)客家较大规模迁台始于明郑治台时期。在其后的康乾时期,出现闽西客家人迁台热潮。然而,由于种种原因,迁台闽西客家大多未能像其他民系那样在台湾形成成片的聚居地,有的已经融入源于其他祖籍地的客家,甚至有的已经被"福佬"人同化为所谓"福佬客"。从台湾的鄞山寺和明志书院等标志性客家历史古迹入手,探寻闽西客家入迁垦殖的历史踪迹,发现北台湾旧称芝兰三堡、兴直堡、摆接堡乃至东北角北宜交界处都有闽西客家的踪迹,有些家族仍然是当地望族。虽然有些家族已被同化为"福佬客",但他们的族谱、宗祠和当地一些民间信仰之寺观等仍能表明他们是闽西客家后裔。

摘要： 中国的金融业在不断发展，中国的民营资本于金融业的布局也在不断延展。14年前，新财富第一次进行民营金融版图的分析时发现，入股2家金融机构以上的民企仅有8家，单家民企入股金融机构的最高数量也仅仅7家。14年后的今天，当我们再次做类似的统计时，已然发现，入股2家金融机构以上的民企，已经超越百家；持股5家金融机构以上者也已多达29家，而单家企业入股金融机构的最高数量更是高达44家。

摘要： China is a country of many different ethnic groups since genetic, geographical and culture formation of a different customs and ways of thinking. In order to study the eye movement behavior when the different ethnic groups observe things, Tobii eye tracker collection of the expression data that the different ethnic groups are used to solve Sudoku problem. The expression data from different ethnic groups are compressed into 16 dimensional data to construct the data sets;It is analyzed that the diversity of eye movement behavior data sets derive from Buyi, Mongolian, Korean, Dong and Han five ethnic respectively. Furthermore, a variety of machine learning method is explored to analyze the eye movement behavior data sets. The experimental results show that eye movement behavior diversity between different ethnic groups.%中国是一个多民族国家，不同民族由于遗传、地域和文化等因素形成了不同的风俗和思考方式。为了研究不同民族观察事物时的眼动行为模式，利用Tobii眼动仪采集不同民族在求解数独问题时眼动轨迹表达数据，将不同族系被试的表达数据压缩为16维数据向量来构建数据集；分析对比布依族、蒙古族、朝鲜族、侗族和汉族等5个民族眼动行为数据集的多样性，利用多种机器学习方法对得到的数据进行测试分析。实验结果表明，族系间眼动行为存在多样性，同时为进一步深入探索不同族系间眼动行为的多样性提供了依据。

摘要： 2016年7~8月,黑龙江大学历史文化旅游学院考古学系师生组成的“黑龙江大学赴俄罗斯联合考古发掘小分队”,对俄罗斯阿穆尔州布拉格维申斯克市的乌斯季·伊万诺夫卡河口遗址进行了发掘。共发掘约500平方米,清理墓葬近60座,出土的随葬品有铁器、铜器和骨器等,以武器、装饰品为主。通过对墓葬形制、丧葬习俗和随葬品的分析,墓地的年代约为公元8世纪,相当于中国的唐代。

摘要： 我是福建泉州人,生在翰林世家,先祖历代都有科名,古厝大门对联是＂词林踵武,试院衡文＂,足以证之。据族谱记载：＂西晋永嘉之变,龚氏族系自湖南武陵南迁,先至浙江仁和,即今杭州一带。延至宋元明清,江左三大家之一龚自珍（定庵）＂即是我少时所闻之远祖。其后裔入闽,始自龚名安。我家在清代以来的世系次序是：志大成丕显,诗书万象兴,观光咸利用,明哲保元贞。泉州在清道光时龚维林、同治时龚显曾。

摘要： 母亲的娘家是北平德胜门外,土城儿外边,通大钟寺的大路上的一个小村里。村里一共有四五家人家,都姓马。大家都种点不十分肥美的地,但是与我同辈的兄弟们,也有当兵的,作木匠的,作泥水匠的和当巡察的。他们虽然是农家,却养不起牛马,人手不够的时候,妇女便也下地干活。

摘要： 苗族系列坡会群，是指在每年的农历正月初三至正月十七这段时间内，广西壮族自治区融水县各乡镇村屯的节庆活动。每天一个坡会，排列成序，连续不断，是以苗族为主的各族人民悼念先烈、禳灾祈福、鼓舞斗志、交流感情、聚会娱乐的盛大民间传统节日。

摘要： 育政堂曹氏是世居常熟、与南通余西曹氏同宗的一个族系，其《曹氏宗谱》是份体例完备、内容丰富、很有现实教育意义的家谱遗产。笔者研读数遍，收获良多，稍作札记，请诸君赐教。《宗谱》包括序言、族规、家训、世系等部分，2012年重修时又增加当代曹氏人物小传及重修情况。

摘要： 为了制造具有m面主表面和均匀取向的晶轴的III族氮化物系化合物半导体。在蓝宝石衬底的a面主表面中形成具有侧表面的台面，该侧表面具有与c面成45°或更小的倾角。随后，在300-420°C下供应三甲基铝，从而形成具有

摘要： 本发明提供了具有给定厚度的位错密度低且位错密度分布实质上均匀的表面层的III-V族氮化物系半导体衬底、及其制造方法，以及使用这种衬底外延生长有III-V族氮化物系半导体层的III-V族氮化物系半导体。该半导体衬底制造方法是使III-V族氮化物系半导体晶体边在晶体生长界面产生凹凸边生长(工序I)，进行晶体生长以掩埋凹凸来使生长界面平坦化(工序II)，通过积累位错以减少全体的位错密度，进一步在平坦化的状态进行晶体生长，使位错在晶体中均匀分散的同时，形成自衬底上表面至少大于等于10μm的位错密度分布实质上均匀的层(工序III)。

摘要： 本发明提供了即使衬底面内存在因晶体翘曲而产生晶体取向偏差的情况下，发光波长偏差仍然很小的III-V族氮化物系半导体衬底及其制造方法，以及发光波长的衬底面内均一性优良的III-V族氮化物系发光元件。本发明的III-V族氮化物系半导体衬底是由III-V族氮化物系半导体晶体构成的半导体衬底，衬底的正面保持生成态，衬底的背面研磨成平坦面，并且晶体的C轴相对于衬底的正面大致垂直或者仅以特定角度倾斜。在该III-V族氮化物系半导体衬底上形成由III-V族氮化物系半导体晶体构成的外延层，从而形成III-V族氮化物系发光元件。

摘要： 本发明提供了具有给定厚度的位错密度低且位错密度分布实质上均匀的表面层的III-V族氮化物系半导体衬底、及其制造方法，以及使用这种衬底外延生长有III-V族氮化物系半导体层的III-V族氮化物系半导体。该半导体衬底制造方法是使III-V族氮化物系半导体晶体边在晶体生长界面产生凹凸边生长(工序I)，进行晶体生长以掩埋凹凸来使生长界面平坦化(工序II)，通过积累位错以减少全体的位错密度，进一步在平坦化的状态进行晶体生长，使位错在晶体中均匀分散的同时，形成自衬底上表面至少大于等于10μm的位错密度分布实质上均匀的层(工序III)。

摘要： 一种抑制螺位错的III族氮化物系化合物半导体。将GaN层(31)腐蚀成点状、条纹状或格栅状等小岛状态设置台阶，在底部形成掩膜(4)、厚度是其上面在比GaN层(31)的上面低的位置。以台阶上层的上面(31a)及侧面(31b)作为核，通过使GaN(32)横向外延成长把台阶部分填埋后、也能使在上方成长。这时GaN(32)横向外延成长的掩膜(4)的上部能制成抑制GaN层(31)具有的螺位错传播的区域。

摘要： 为了制造具有m面主表面和均匀取向的晶轴的III族氮化物系化合物半导体。在蓝宝石衬底的a面主表面中形成具有侧表面的台面，该侧表面具有与c面成45°或更小的倾角。随后，在300-420°C下供应三甲基铝，从而形成具有

摘要： 本发明的脂肪族聚酯系生物可分解性树脂用分解促进剂含有碱性硫酸镁。

摘要： 本发明提供了具有给定厚度的位错密度低且位错密度分布实质上均匀的表面层的III-V族氮化物系半导体衬底、及其制造方法，以及使用这种衬底外延生长有III-V族氮化物系半导体层的III-V族氮化物系半导体。该半导体衬底制造方法是使III-V族氮化物系半导体晶体边在晶体生长界面产生凹凸边生长(工序I)，进行晶体生长以掩埋凹凸来使生长界面平坦化(工序II)，通过积累位错以减少全体的位错密度，进一步在平坦化的状态进行晶体生长，使位错在晶体中均匀分散的同时，形成自衬底上表面至少大于等于10μm的位错密度分布实质上均匀的层(工序III)。

摘要： 利用下述层叠体的制造方法，提供可适合作为制造Al系III族氮化物单晶自立基板的基底基板来使用的、表面由Al系III族氮化物的单晶构成、且没有裂纹、翘曲的基板。所述制造方法包括以下工序：(1)准备基底基板的工序，所述基底基板具有由与构成欲形成的Al系III族氮化物单晶层的材料不同的材料的单晶构成的表面；(2)在所准备的基底基板的单晶面上形成厚度为10nm～1.5μm的Al系III族氮化物单晶层的工序；(3)在Al系III族氮化物单晶层上形成厚度为Al系III族氮化物单晶层的100倍以上的非单晶层而不破坏Al系III族氮化物单晶层的工序；及(4)将基底基板除去的工序。

摘要： 采用透射光线的IV族系半导体III－V族系化合物半导体或II－VI族系化合物半导体，可得稳定的铁磁性特性。于IV族系半导体、III－V族半导体系化合物半导体、或II－VI族系化合物半导体内，使含有由Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb及Lu的稀土类金属元素而成的群体选出的至少一种金属。因此由此等稀土类金属浓度的调整及由此等稀土类金属的2种以上的金属的组合，由p型及n型掺杂剂记的添加等，可调整铁磁性特性。