成长率
成长率的相关文献在1985年到2023年内共计219篇,主要集中在工业经济、财政、金融、经济计划与管理
等领域,其中期刊论文216篇、专利文献83928篇;相关期刊128种,包括台声、两岸关系、中国广告等;
成长率的相关文献由137位作者贡献,包括郑冬冬、章从福、赵佶等。
成长率—发文量
专利文献>
论文:83928篇
占比:99.74%
总计:84144篇
成长率
-研究学者
- 郑冬冬
- 章从福
- 赵佶
- 郑畅
- 季建平
- 何鹏
- 吴琪乐
- 孙再吉
- 宁利中
- 宁碧波
- 林琳
- 江兴
- 沈熙磊
- 熊秉元
- 田伟利
- 胡彪
- 麦朴思
- Moon
- Prestowitz)
- Sally Cole Johnso
- 一枚
- 丁勐
- 于寅虎
- 任继嘉
- 伯倩
- 佩培
- 兆一(图)
- 克莱德·普勒斯托维兹(Clyde
- 关宏蒙
- 关晓晴
- 兴麒
- 刘丽娟
- 刘叙红(主持)
- 刘哲纶
- 刘敬之
- 刘翼豪
- 刘莘稼
- 千里
- 叶宁
- 吉荣·史密斯
- 向俊
- 吕宝有
- 吕慧敏
- 吕鸿德
- 吴婷
- 吴宜通
- 吴昊
- 吴明
- 周建明
- 唐蕙敏
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杨远成
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摘要:
无论是调查中国还是美、日、英、韩等国家的运动商品市场,都能得到一个共同的答案,那就是运动商品市场是一个保持高成长率的商品市场,具有巨大的潜力。据运动工业联合会的相关估计数据显示,全球用于运动相关的费用不断增加,其中运动器械方面的消费占到这个市场份额的30%以上。从整体情况来看,运动市场的增长与体育运动的普及性、参与性的增长幅度是正相关的,对整个社会经济的发展带来了巨大的正向推动作用。近些年来,高性能材料在体育运动器材中的应用越来越多,有效地提高了运动的性能。
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关晓晴
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摘要:
《2021年中国卫星导航与位置服务产业发展白皮书》统计显示,2020年我国卫星导航与位置服务产业总体产值达4033亿人民币,同比增长16.9%。预计到2025年,卫星导航与位置服务总体产值有望达到8000亿~10000亿元规模。此外,Market&Market调查数据显示,全球室内定位市场将以42.0%的年复合成长率增长,预期室内定位空间与位置服务产业未来将占据导航与位置服务产业三分之一的市场规模,到2025年有望达到约3000亿元市场规模。
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摘要:
晶圆代工龙头台积电2020年缴出亮丽成绩单,预期全年美元营收年成长率逾3成并创下历史新高。2021年虽然仍有新冠肺炎疫情蔓延、地缘政治及贸易战等外在环境变量,但晶圆代工订单强劲,第二季前产能利用率维持满载。设备业者及市场法人看好台积电2021年3n m产能建置及2n m技术研发加速进行,全年资本支出将上看200亿美元再创新高。
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摘要:
5月12日消息,英飞凌今日宣布,为提高碳化硅(SiC)的供应安全,已和日本晶圆制造商昭和电工签订供应合约,供应包括磊晶在内的各种碳化硅材料,英飞凌因此可获得更多基材,以满足对SiC型产品日益渐增的需求。英飞凌工业电源控制事业部总裁Peter Wawer表示,SiC半导体市场预计在未来五年内的年成长率可达30%-40%,与昭和电工合作扩大英飞凌的晶圆供应商基础,是在此一持续成长市场中多源策略重要的一步,将稳固地支援达成中长期的目标。
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摘要:
8.5%世界银行预计,随着中国经济活动进一步正常化,2021年中国的经济增速将达到8.5%,高于半年前预计的7.9%。26.7%TPCA数据显示,2021年第一季中国台湾电路板产业产值规模为1734亿新台币,年度成长率为26.7%。
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摘要:
据SBWIRE预测,GaN功率元件市场将从2017年的四千万美元成长至2023年的1.9亿美元,2017年至2023年的复合年成长率为29%。光电协进会产业分析师林政贤认为,推动GaN功率元件成长的关键因素来自消费电子产品和车用装置的庞大需求。GaN材料的宽能隙特性有助于开发创新应用,并随着在RF功率电子产品的成功,未来还会日益普及至国防、军事与航太领域的射频功率元件应用中。
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摘要:
尽管今年全球受新冠肺炎(COVID-19)疫情打击,但并未伤害半导体业的销售成长。据世界半导体贸易组织统计(WSTS)数据,2020年全球半导体销售额预计成长3.3%,由去年的4123亿美元增至4260亿美元。美国半导体协会(SIA)引用此一数据表示,2020年5月全球半导体销售额为350亿美元,比去年的330亿美元增加5.8%,也较4月份的344亿美元上升1.5%。SIA总裁兼执行长John Neuffer表示,5月份的全球半导体销售,很大程度抵抗了疫情对整体经济的冲击,但未来几个月,销售数字仍存在很大的不确定性。他指出,最新的行业预测表明,2020年的年成长率将维持适中,并在2021年见到更大幅度的销售成长。
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摘要:
根据TrendForce LED研究(LEDinside)最新报告指出,随着高分辨率与高动态对比显示需求爆发,预估2019~2023年小间距LED显示屏(点间距≤P2.5)产值年复合成长率将达27%……据Trend Force LED研究(LEDinside)最新报告指出,随着高分辨率与高动态对比显示需求爆发,预估2019~2023年小间距LED显示屏(点间距≤P2.5)产值年复合成长率将达27%,而超小间距(点间距≤P1.1)产品由于目前出货基数较低.
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摘要:
目前,以GaN、SiC为代表的第三代半导体因具备优异的材料物理特性,为进一步提升电力电子器件的性能提供了更大的空间。SiC作为第三代半导体材料的典型代表,也是目前晶体生产技术和器件制造水平最成熟,应用最广泛的宽禁带半导体材料之一,目前在已经形成了全球的材料、器件和应用产业链。根据IHS预测,2020年650 V CoolSiCTM MOSFET领域将会有近5000万美元的市场份额,至2028年,市场份额将会达到一亿6000万美元,复合成长率达16%,如此广阔的增长空间,给专注于SiC市场的半导体厂商带来更多的机遇。加之SiC的应用领域非常广泛,包括电源供应器、不间断电源、电动汽车充电、马达驱动以及光伏和储能等。如此广阔的市场空间以及广泛的应用场景吸引了很多半导体厂商,其中包括英飞凌。
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宁利中;
宁碧波;
胡彪;
田伟利
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摘要:
采用二维流体力学基本方程组对Prandtl数Pr=0.72具有水平流动的对流斑图成长和动力学特性进行了数值模拟.结果说明,对于给定的相对Rayleigh数Rar=5(Rayleigh数Ra=8540)和Reynolds数Re=22.5,行波对流斑图的成长分为三个阶段,即对流发展阶段、指数成长阶段、周期变化阶段(过渡调整区、稳定周期变化区).行波对流的平均波数随着时间的发展或者对流斑图的成长而减小.随着相对Rayleigh数的增加,行波对流的指数成长阶段的时间变短,对流最大垂直流速的成长率变大.对于水平流动Re=5时,对流最大垂直流速的成长率γm与Rar的关系为γm=0.0048Ra6.0653 r.在周期变化阶段,经过行波对流斑图和对流参数的过渡调整区后,对流进入斑图和对流参数的稳定周期变化区.对于给定的Rar=5时,行波对流的无量纲周期Tt随着Re变化的关系式为Tt=0.0014Re2.3635.