思想文化界

摘要： 林毓生的《中国传统的创造性转化》一书,1988年在中国翻译出版,在思想文化界引起很大反响。当时有两种文化思潮在大陆学界同时涌动碰撞。一种是西化自由主义思潮,仍延续着五四新文化运动激进反传统理路;一种是反西化传统主义思潮。它不取保守主义价值观念,但却站在现代立场上,对传统文化加以重估和固守,认为中国的现代性转化需要建立在传统文化的核心价值之上,而不能彻底否定中国传统文化。

摘要： 20世纪90年代初,李泽厚曾概括当时思想文化界的状态说“思想家淡出,学问家凸显”,一时传为名言。李氏所指的是当时学术领域弥漫的保守主义倾向,主张回到乾嘉,“乾嘉才是学问的正统。学术就是考证,其他一律均为狗屁。只有学问家,没有什么思想家”。

摘要： 1930年3月,中国共产党领导下的革命文学团体中国左翼作家联盟(简称“左联”)在上海成立。虽然鲁迅最终没有加入中国共产党,也不是左联组织上的领导人,但仍以自己丰硕的创作实绩和在文学界乃至整个思想文化界的巨大影响力和感召力,而成为左联事实上的领导核心和战斗核心。早在加入左联之前,因为曾经与太阳社和创造社就“革命文学”问题展开论战,鲁迅就已经开始努力尝试阅读并翻译马列理论著作;加入左联之后,鲁迅更是竭力团结和带领一批踏实勤恳的青年作家,在马克思主义理论的宣传和研究方面,在无产阶级革命文学的创作方面,取得了巨大成就。

摘要： 1919年4月30日,美国实用主义哲学家、教育家杜威作为民国新知识界的嘉宾受邀访华。后受“五四运动”及中国社会变革的吸引,杜威讲学中国两年有余。杜威所宣传的实用主义教育学说成为“五四”新思潮的重要组成部分,给当时和其后的中国思想文化界留下了深刻而长久的彫响。

摘要： 文化的种子再好,如果土壤不合适,也无法生根发芽。五四运动前,中国先进知识分子引进的西方资产阶级的思想武器,如民主、自由、共和等思想,固然有其合理的成分,但是距离当时中国人的思想境界过于遥远,在当时的中国也就无法实践。五四运动后,马克思主义在中国得到迅速而广泛的传播,并且成为思想文化界的主流,这背后有着深刻的社会历史原因和相应的主客观条件。

摘要： 以1978年12月党的十一届三中全会召开为标志,中国进入改革开放和社会主义现代化建设的历史新时期。这次会议开启了思想解放运动的序幕,对我国社会各领域尤其是思想文化界产生了巨大而深远的影响。新时期我国文学艺术和文艺理论的繁荣发展,就起步于这个历史语境。

摘要： 2017年1月17日,在达沃斯世界经济论坛年会上,习近平主席发表题为《共担时代责任共促全球发展》的演讲;第二天,1月18日,在联合国日内瓦总部,习近平主席发表题为《共同构建人类命运共同体》的演讲。这两篇演讲引发强烈反响,当月媒体报道和评论超万条。一年来,联合国和众多国际组织的有关文献多次引用这两篇演讲的主题和内容,国际政商界、思想文化界等反复提及这两篇演讲,其影响在持续扩大。

摘要： 李大钊(1889-1927),河北省乐亭县人。中国共产主义运动的先驱,伟大的马克思主义者,杰出的无产阶级革命家,中国共产党的主要创始人之一。我国最早的马克思主义传播者,领导建立北京共产党早期组织,推动建立全国范围的共产党组织,负责党在北方的全面工作,开展工人运动和反帝反军阀斗争,为党和人民作出重大贡献。20世纪初我国思想文化界的一位杰出人物。他留下大量著作、文稿和译著,内容涉及哲学、经济学、法学、历史学、伦理学、美学、新闻学.

摘要： 2018年春，商务印书馆推出了祁志祥教授的《中国现当代美学史》，这是一套得到国家社科基金后期资助的关于中国现当代美学史研究的皇皇巨作，也是祁志祥教授数十年来以文艺理论和美学为中心的中国文化研究的又一重要成果。现代中国以来，美学作为一门新的学科一直受到了学界的高度关注，甚至在整个思想文化界掀起过几次产生了广泛的社会影响的研究高潮，但关于中国现代美学思想研究史的著作并不多见，比如陈伟的有关著作也是出版于25年之前了。

摘要： 一种调控晶界硼重分布改善超级奥氏体不锈钢晶界第二相析出的方法，属于超级奥氏体耐热钢制备与应用技术领域，目的在于通过阶梯固溶和低温保温处理实现了最大含量硼在超级奥氏体不锈钢的晶界偏聚，从而提高了超级奥氏体不锈钢的热塑性和耐蚀性能。本发明通过阶梯固溶和低温保温联合处理不改变超级奥氏体不锈钢的晶粒度等组织结构，仅使得更高含量的硼重新分布到晶界。通过晶界硼重新分布调控元素扩散速率，改善第二相析出数量和形态，进一步提高热塑性和耐蚀性。

摘要： 一种晶界改性方法，其包括在使特定合金存在于Nd‑Fe‑B系磁铁的表面的状态下对该Nd‑Fe‑B系磁铁进行加热处理，从而可在将Nd‑Fe‑B系烧结磁铁的剩余磁通密度的降低抑制在最小限的同时还使矫顽磁力增加。

摘要： 本发明提供了一种晶界层陶瓷材料、晶界层陶瓷基片的制备方法及其应用，属于芯片电容器技术领域。本发明提供的晶界层陶瓷材料包括以下质量份数的制备原料：SrTiO3 95.35～99.30份、Nb2O3 0.30～0.55份和改性添加剂0.30～5.00份；所述改性添加剂为BaCO3、Nd2O3、CaO、Sm2O3、Al2O3和SiO2中的一种或几种。本发明提供的晶界层陶瓷材料具有优异的电性能和可控性，由该晶界层陶瓷材料制备的晶界层陶瓷基片具有优良的重复性和一致性。

摘要： 本发明提供了一种协同获得低∑晶界和锯齿晶界的方法，采用形变控冷热处理，引入低∑晶界和锯齿晶界，即：高温固溶处理→冷轧变形→高温保温处理→控冷处理→低温保温处理→水冷。本发明在不改变合金成分的前提下，协同获得两类低∑晶界和锯齿晶界的特殊晶界，具有工艺简单、易于实现的优点；本发明处理的镍基高温合金，低∑晶界比例不低于60％，∑3晶界的比例不低于50％；可将部分平直随机晶界转变为锯齿晶界，保证锯齿晶界的平均振幅不低于0.5μm，本发明处理的镍基高温合金，可形成较强的特殊晶界网络、引入更多的特殊三叉晶界、打断平直随机晶界的连通性，有望抑制沿晶开裂，提高镍基高温合金的高温蠕变性能，具有广泛的应用前景。

摘要： 本发明属于电池领域，公开了通过增加共格孪晶界比例提高纯铜晶界腐蚀抗力的方法，包括以下步骤：对纯铜进行反复室温多向锻造，然后600°C再结晶退火10min，使其达到组织均匀化；将组织均匀化的纯铜进行小变形冷轧，轧制变形量为5%，然后在650°C下真空退火5~15 min。本发明通将纯铜经过小变形高温短时间退火得到初次再结晶组织，初次再结晶组织的晶界特征分布虽然已经具有一定比例的∑3特殊晶界，但是其中共格孪晶界的比例不高，存在相当数量的非共格孪晶界，本发明在初次再结晶的基础上延长退火时间，进一步让晶粒有所长大，结果表明，随着晶粒的长大，共格孪晶界的比例在单调增加，最终超过50%，极大的提高了纯铜的晶界腐蚀抗力。

摘要： 本发明公开了一种玻璃板界位计与界位测量方法。玻璃板界位计设有前玻璃板(1)、后玻璃板(2)、前压盖(7)、后压盖(10)、前夹紧架(6)、后夹紧架(3)、前斜面透镜(8)和后斜面透镜(9)。前斜面透镜与前玻璃板和导视孔(11)相对，后斜面透镜与后玻璃板和观测孔(12)相对，前斜面透镜的斜面与后斜面透镜的斜面相平行。前夹紧架、后夹紧架、前斜面透镜和后斜面透镜围出测量腔(5)，后斜面透镜至后夹紧架外侧面(31)的距离小于前斜面透镜至后夹紧架外侧面的距离。本发明公开了使用上述玻璃板界位计进行界位测量的方法。本发明可用于测量油相与水相之间的界位。

摘要： 本发明涉及一种晶界层晶粒晶界性能的微米级电极制备方法及测试方法。其中，制备方法包括：在晶界层上表面均匀涂覆一层光刻胶并进行固化；使用图形化掩膜版对表面涂覆固化有光刻胶的微米级金电极进行曝光，显影后使用溶液在曝光后的微米级金电极上形成光刻胶保护图层；使用蚀刻液蚀刻无光刻胶保护图层的微米级金电极后，进行清洗得到微米级电极。本发明在制备的晶界层基片晶粒上直接镀上微米级金电极材料，在金相显微镜下即可获取适用于测试晶界层基片的电性能的微米级电极块，通过定位，可具体到某一微观晶粒晶界性能的测试，并且实现该晶粒晶界性能的重复测试，从而在晶界层性能上实现机理上的研究。

摘要： 一种调控晶界硼重分布改善超级奥氏体不锈钢晶界第二相析出的方法，属于超级奥氏体耐热钢制备与应用技术领域，目的在于通过阶梯固溶和低温保温处理实现了最大含量硼在超级奥氏体不锈钢的晶界偏聚，从而提高了超级奥氏体不锈钢的热塑性和耐蚀性能。本发明通过阶梯固溶和低温保温联合处理不改变超级奥氏体不锈钢的晶粒度等组织结构，仅使得更高含量的硼重新分布到晶界。通过晶界硼重新分布调控元素扩散速率，改善第二相析出数量和形态，进一步提高热塑性和耐蚀性。

摘要： 本发明公开了一种高介晶界层陶瓷材料及晶界层陶瓷基板的制备方法，陶瓷材料包括：主体材料：钛酸锶；施主材料：La2O3和Nb2O5；烧结助剂：SiO2和Li2CO3；受主材料：Bi2O3、CuO和ZnO中的一种或多种；烧结助剂用于降低瓷料烧结温度并促进晶粒发育；受主材料作为氧化烧结的晶界绝缘化涂覆料；基于上述陶瓷材料以二次烧结完成晶界层陶瓷基板制备，分别为还原半导体化烧结和氧化晶界层绝缘烧结。本发明在陶瓷材料中掺加助烧剂并采用二次烧结方式制备陶瓷基板，一方面节省能源，另一方面可以在较低烧结温度下得到较大尺寸粒径，有利于介电常数提高；同时，在晶界绝缘化过程中，添加ZnO，提升产品绝缘电阻和绝缘强度。

摘要： 本发明公开了一种烧结钕铁硼晶界扩散工装及晶界扩散的方法，属于稀土永磁材料技术领域。一种烧结钕铁硼晶界扩散工装，包括：料盒框架；卡箍盲板；三瓣型卡箍；承物台；料盒件；本发明提高了重稀土氧化物的还原及扩散效率，解决了常规工艺氧化重稀土扩散矫顽力提升一致性差的难题；避免了钙蒸气冷凝结块对热处理炉钼片的损伤；采用分层码料，提高了料盒框架的装载量，降低了单位扩散成本；通过料盒件，使磁片厚度方向平行于水平方向排列，有效改善了热处理后磁片弯曲的问题；通过对镀膜后磁片表面的耐高温物质附着和热处理控制氧分压操作，解决了粘连问题，本发明大大改善了磁片的外观和性能一致性，热处理后永磁体矫顽力大幅度提高。