开关速度

摘要： 开关模式电源(SMPS)产生的EMI辐射频谱是由许多参数组成的函数,包括热回路大小、开关速度(压摆率)和频率、输入和输出滤波、屏蔽、布局和接地。一个潜在的辐射源是开关节点,在很多原理图上称为SW。SW节点铜可用作天线,发射快速高效的高功率开关事件产生的噪声。这是大多数开关稳压器的主要辐射源。

摘要： 和传统的硅功率半导体相比,GaN(氮化镓)和SiC(碳化硅)有着更高的电压能力、更快的开关速度、更高的工作温度、更低导通电阻、功率耗散小、能效高等共同的优异的性能,是近几年来新兴的半导体材料。但他们也存在着各自不同的特性,简单来说,GaN的开关速度比SiC快,SiC工作电压比GaN更高。GaN的寄生参数极小,开关速度极高。

摘要： 由于SiC具有更快的开关速度,因此对于某些拓扑结构,可缩减无源元器件如电感器的尺寸以降低系统尺寸和成本。光伏发电和大规模储能变得越来越重要,最终将取代所有的污染性能源。由于可再生能源目前仅占全球总发电量的一小部分,因此SiC将有长远的发展路向。随着电动车采用率的增加,充电桩将大规模部署,另外,SiC最终还将成为电动车主驱逆变器的首选材料。

摘要： 氮化镓GaN以开关速度快,导阻低,低输入输出电荷的优势,应用在快充上逐渐取代了传统的高压硅MOS管。使用GaN取代硅MOS管,不仅降低了开关损耗,提高充电器的转换效率,使得充电器无需设计大面积的散热片;而且大幅提升了功率器件开关频率,减小变压器电感量,缩小变压器尺寸,进而减小充电器的体积。目前市场上的GaN产品主要有Cascode GaN和E mode GaN两种,其中E mode GaN的阈值电压Vth典型值都在1.2-1.5V左右,而高压Si MOSFET的Vth典型值普遍是3-4V。

摘要： 尽管20年前GaN晶体管以前处于大学研究项目阶段,但现在这些器件已在整个行业广泛采用,尤其是在2020年。由于GaN晶体管具有极高的电子迁移率,所以替代硅基FET只是时间问题。与基于硅的晶体管相比,这也使GaN具有较小的导通电阻和更快的开关速度。GaN晶体管的驱动方式与传统MOSFET相同,这使得它们很容易集成到现有设计中。所以GaN在市场上很受追捧,电源、音频放大器、数据中心和实现GaN的汽车系统比以往任何时候都要多。

摘要： 采用具备驱动器源极引脚的低电感表贴封装有利于实现紧凑的设计,这对于车载充电器等车载应用开发来说非常重要。人们普遍认为,SiC MOSFET可以实现非常快的开关速度,有助于降低电力电子领域功率转换过程中的能量损耗。然而,由于传统功率半导体封装的限制,在实际应用中并不能发挥SiC元器件的全部潜力。在本文中,我们先讨论传统封装的一些局限性,然后介绍采用更好的封装形式所带来的好处。最后,展示对使用了图腾柱(Totem-Pole)拓扑的3.7k W单相PFC进行封装改进后获得的效果。

摘要： 作为仓储设备的重要组成部分,工业门在用户的心中经历了一个从不重视到重视的过程。随着物流设备智能化思潮的蔓延,工业门领域也开始进入了新时代:更快的开关速度,更高的作业效率,更加绿色、环保、节能,以及更加智能的开启方式、智能装卸平台等新兴设备的出现……无不昭示着通往工业门新时代的大门已经打开,等待着我们前去一探究竟。在本期的"物流装备",我们借2021年R+T展会之机,走访了一些工业门制造厂商,请他们来谈一谈企业的发展与行业的未来。

摘要： 阀门作为流体传输系统中的控制部件,在核电厂中被大量使用。核级阀门紧急切断和打开流体通道的能力对于保障核电站工艺系统的安全稳定运行具有极其重要的意义。通过分析气动阀门进行大口径电磁阀改造可行性及改造效果,并对电磁阀背板更换及仪控部件物项替代后背板强度、固定螺栓应力以及重量变化对阀门整体抗震性能的影响进行了评估,为核电厂解决气动阀门开、关时间无法满足需求的问题提供参考。

摘要： 与双极型晶体管相比,MOSFET器件更节能、更易于驱动,但在实际应用中,常常发现MOSFET器件的开关速度与数据手册上给出的参数差异很大,导致电路工作异常,甚至出现MOSFET器件损坏的现象.因此,本文结合CSP640SS型MOSFET对影响增强型功率MOSFET器件开关速度的主要因数进行分析,并提出解决方法.

摘要： 本文提出了一种尖峰限制型的功率管电流自适应驱动方法.功率管的开关速度可以随着电感电流(负载)的变化而自适应调节,调节的原则是轻载下加快功率管的开关速度,开关速度的加快使电流与电压尖峰随之增大但不超过满载时的最大值.文中详细分析了控制原理与功率管的开通过程,结合功率管的开关瞬态过程得出了开关过程中电压电流尖峰与驱动电流、寄生电感的关系,依据所得几者的关系设计了一种自适应调节驱动电路并进行了实验论证.实验结果表明了理论分析的正确性,采用所提出方法相比传统方法在轻载下变换器的效率可提高近1.5％左右.

摘要： 通过电子辐照在功率VDMOS器件中引入少子复合中心，从而有效缩短功率VDMOS器件中的少子寿命，改善开关特性。本论文对8N60、13N60等2个型号的功率VDMOS样品进行了电子辐照以及辐照后的退火处理，实验证明电子辐照对提升功率VDMOS器件的开关速度是有效的。

摘要： 为了提高功率MOSFET的开关速度,从功率MOSFET的开关基理加以分析,以仿真实验与电路实验相结合的方法,研究出了功率MOSFET栅极的"过"驱动技术,大大的加快了功率MOSFET的开关速度.

摘要： 早期的IGBT在应用时存在很多问题，甚至导致无缘无故的烧毁，本文根据早期IGBT的特性分析了反并联二极管的反向恢复特性对IGBT的开通过程的影响、双极晶体管部分和MOSFET分配不合理是早期IGBT开通和关断过程烧毁的另一因素；栅极体电阻的过大将导致IGBT开关过程中导致开通或关断电流过度集中而导致IGBT的烧毁。通过限制IGBT的开关速度可以消除早期IGBT的上述无故烧毁的现象，但需要付出开关速度慢和开关损耗大的代价。

摘要： 高压大容量三电平逆变器中，由于使用开关速度较慢的器件如IGCT、GTO 等，窄脉冲的影响不可忽略。本文基于载波PWM，对产生的窄脉冲根据其大小进行滤除或展宽，并将这一作用引起的调制波变化量作为零序电压注入各相调制波，从而保证线电压波形不受影响。本文研究了该补偿方法的适用范围，得出了不产生新的窄脉冲条件下的调制度、控制周期和最小脉宽时间之间的定量关系。仿真与实验结果表明，该方法可有效补偿窄脉冲问题对三电平逆变器输出线电压的影响。

摘要： 高功率相位匹配开关采用宽带匹配技术、宽带偏置技术、大功率高速开关驱动器技术以及大功率微组装工艺,从而使开关具有宽频带(6-18GHz)、承受功率大(100W连续波)、开关速度快(500ns)、相位匹配(12°)的特点.

摘要： 本文介绍了光MOS固态继电器结构及其工作原理,对影响光MOS固态继电器响应时间的因素进行了分析.并根据红外发光二极管(IRLED)、光电二极管阵列(PDA)、MOSFET芯片等因素对开关响应时间的影响,进行了优选试验,确定最佳材料匹配方案,改善了产品的响应速度.

摘要： 本文介绍了光MOS固态继电器结构及其工作原理,对影响光MOS固态继电器响应时间的因素进行了分析.并根据红外发光二极管(IRLED)、光电二极管阵列(PDA)、MOSFET芯片等因素对开关响应时间的影响,进行了优选试验,确定最佳材料匹配方案,改善了产品的响应速度.

摘要： 本文介绍了光MOS固态继电器结构及其工作原理,对影响光MOS固态继电器响应时间的因素进行了分析.并根据红外发光二极管(IRLED)、光电二极管阵列(PDA)、MOSFET芯片等因素对开关响应时间的影响,进行了优选试验,确定最佳材料匹配方案,改善了产品的响应速度.

摘要： 本文介绍了光MOS固态继电器结构及其工作原理,对影响光MOS固态继电器响应时间的因素进行了分析.并根据红外发光二极管(IRLED)、光电二极管阵列(PDA)、MOSFET芯片等因素对开关响应时间的影响,进行了优选试验,确定最佳材料匹配方案,改善了产品的响应速度.

摘要： 一种过载开关动作加速度专用检测夹具及检测方法，其中专用检测夹具由底座、推杆、顶杆、弹簧、固定盖以及手柄组成，所述底座设有安装加速度过载开关的定位台阶，一侧设有螺纹安装孔，所述顶杆套上弹簧，固定盖并与手柄对接后，伸入所述底座一侧的螺纹安装孔内并与侧壁固定，所述推杆一端固定连接至弹簧拉压试验机相应位置，垂直于所述底座上的加速度过载开关，并与加速度过载开关的过载敏感机构同轴。检测方法是通过上述专用检测夹具，检测过载开关敏感机构动作锁紧瞬间所受阻力力值，换算为过载敏感机构感受外部过载产生的推力F，利用公式a=F/m=F

摘要： 本发明公开了一种高压开关刚分速度、刚合速度测试的激光增程方法，该方法解决了激光测速传感器面临的精度高，测量范围低的问题，通过增程方法的改装实现，可以在保持高精度的同时，实现大范围测量，同时保持原有激光测速传感器的可非接触式测量方式，进一步解决了激光传感器与高压开关测速方向不一致情况下的测试难题，为高压开关提供了一种有力的测试工具。

摘要： 本发明公开了一种用于高压开关刚分速度、刚合速度测试的激光测速装置，属于高压开关机械特性试验测试技术领域。其包括反光片、半导体激光器、镜头、光电转换感应矩阵、信号放大模块、信号处理模块和装置电源，所述反光片设置在高压开关的提升杆上，所述半导体激光器通过所述镜头将发射激光形成扇形光幕，投射在所述反光片上，所述反光片将反射光反射给所述光电转换感应矩阵，所述光电感应矩阵将采集的信息转化后，经信号放大模块放大，并且传输至所述信号处理模块。本发明采用非接触式测量方式，不仅解决了传感器安装困难以及损耗大的问题，而且解决了现有高压开关由于结构不同需要众多不同型号不同种类传感器的问题，统一了测速模式。

摘要： 本发明提供了一种基于激光成像技术的速度开关。所述基于激光成像技术的速度开关包括激光成像组件、数字信号处理器、微控制器和输出电路，所述激光成像组件、所述数字信号处理器、所述微控制器和所述输出电路依次连接设置；所述激光成像组件包括激光源、透镜组件、图像的成像传感器和控制芯片，所述控制芯片与所述激光源电连接设置，所述成像传感器与所述数字信号处理器通信连接，所述激光源发出的激光通过所述透镜组件引导并照射在所述待测部件表面，所述成像传感器捕捉所述待测部件表面的图像。本发明还提供一种基于所述基于激光成像技术的速度开关的速度检测方法。

摘要： 一种开关磁阻电机速度与加速度双闭环控制方法，开关磁阻电机控制器由内外两个控制闭环构成，内环为加速度闭环，用加速度调节器实现加速度闭环控制，外环为速度闭环，用速度调节器实现速度闭环控制；速度给定v

摘要： 本发明公开了一种开关磁阻电机控制器的速度调节方法，包括对给定转速和实际转速之间的偏差值进行PID运算得到第一转矩；将给定转速对时间进行微分处理得到第二转矩，以补偿开关磁阻电机在速度变化时增加或减少的转矩输出；将所述第一转矩及所述第二转矩进行求和处理，得到第三转矩。本发明还公开一种开关磁阻电机控制器的速度调节器，包括PID运算器，加速度补偿器及第一加法器。通过本发明可改善开关磁阻电机运行的动态性能和静态性能。

摘要： 具有高低通双向加速度信号输出的加速度过载开关，包括外接触系统、高低通接触系统、限位套、弹簧、导向套、敏感质量块组件、锥台形壳体状触点、导向键、绝缘衬套、固定盖、引出端、接触片、球状凸苞、接触圆、内锥接触基板、通孔、螺纹孔、公共引出端，低通接触系统设于导向套左端，在导向套右端依次设有敏感质量块组件、弹簧、限位套和高通接触系统，在高低通接触系统外边分别设有外接触系统，二者分别设在敏感质量块组件的左右两端。本发明解决了过载开关耐高振动、抗高冲击等高力学环境能力的要求，提高了工作可靠性，满足武器型号配套及民用作自动控制执行元件使用，市场推广前景好，能取得较好的经济和社会效益。

摘要： 本发明公开了可调节功率开关管开关速度的功率开关管驱动电路，包括检测电路、滤波电路、参考电压产生电路、电压比较电路、开关电路、电气隔离电路、第一和第二驱动输出电路。电压比较电路用于将滤波后的检测电压信号与参考电压进行比较。电气隔离电路用于将功率开关管驱动控制信号进行电气隔离后输出。第一驱动输出电路的输入端与电气隔离电路的输出端连接。第一、第二驱动输出电路的输出端均与功率开关管的栅极连接。开关电路的控制输入端与电压比较电路的输出端连接，第一和第二导通端分别与电气隔离电路和第二驱动输出电路的输出端连接。本发明能够根据功率开关管的输出电流大小控制一个驱动输出电路工作或者两者同时工作，进而控制开关速度。

摘要： 本申请实施例公开一种动态调节开关器件开关速度的方法及开关器件电路。所述方法包括：计算开关器件的驱动信号的下降沿到所述开关器件关断之间的实时关断延迟时间；将所述实时关断延迟时间与基准关断延迟时间进行比较，得到第一比较结果；基于所述第一比较结果，调整所述开关器件的栅极驱动电压，调整所述开关器件的栅极驱动电流，调整所述开关器件的栅极放电电流，从而使所述实时关断延迟时间在所述基准关断延迟时间的范围内。所述电路包括开关器件、栅极驱动电压调节电路、栅极驱动电流调节电路和栅极放电电流调节电路。本申请实施例可快速地减少开关器件的n‑区过剩载流子复合所需的时间。

摘要： 本发明公开了可调节功率开关管开关速度的功率开关管驱动电路，包括检测电路、滤波电路、参考电压产生电路、电压比较电路、开关电路、电气隔离电路、第一和第二驱动输出电路。电压比较电路用于将滤波后的检测电压信号与参考电压进行比较。电气隔离电路用于将功率开关管驱动控制信号进行电气隔离后输出。第一驱动输出电路的输入端与电气隔离电路的输出端连接。第一、第二驱动输出电路的输出端均与功率开关管的栅极连接。开关电路的控制输入端与电压比较电路的输出端连接，第一和第二导通端分别与电气隔离电路和第二驱动输出电路的输出端连接。本发明能够根据功率开关管的输出电流大小控制一个驱动输出电路工作或者两者同时工作，进而控制开关速度。