带隙基准源

摘要： 为了满足基准源在高压芯片中的使用需求,文中设计了一种宽输入范围的高精度双极带隙基准源。利用威尔逊电流源和反馈型电流源设计了一种新型的电流源电路,采用衬底漏电流补偿和高温补偿技术进行温度补偿,实现了较低的温度系数。文中设计基于华虹0.35μm BCD工艺,在Cadence环境下进行仿真。结果表明,在温度为-55~150°C和电源电压在5~36 V范围内,实现了温度系数为10.87 ppm/°C的稳定电压输出,基准的线性调整率为10.9μV/V,低频时电源电压抑制比为96.97 dB,有效验证了所设计的基准电压源具有结构简单、精度高和稳定性好的特性,能够很好地应用于高压芯片的设计中。

摘要： 针对电源噪声影响图像、声音信息的传输质量,系统电源上电时间过长导致延时增大、时序紧张等问题设计了一种可快速启动的高电源抑制比的带隙基准源。通过引入负反馈回路,维持基准电压的稳定,以提升基准源的电源抑制比。设计了快速启动电路,在电源上电时通过开关管快速导通以拉高基准电压,加速了带隙基准源的启动,在基准建立好之后启动电路停止工作。基于5 V 0.35μm互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor,CMOS)工艺设计了基准电压源,仿真结果表明,在-40°C~125°C温度变化范围内,基准源电压变化为5.33 mV,电源抑制比在100 Hz以下达到-90.1 dB,启动时间为9μs。设计的带隙基准电压源启动速度较快,电源抑制比较高。

摘要： 针对电源噪声影响图像、声音信息的传输质量,系统电源上电时间过长导致延时增大、时序紧张等问题设计了一种可快速启动的高电源抑制比的带隙基准源.通过引入负反馈回路,维持基准电压的稳定,以提升基准源的电源抑制比.设计了快速启动电路,在电源上电时通过开关管快速导通以拉高基准电压,加速了带隙基准源的启动,在基准建立好之后启动电路停止工作.基于5 V 0.35μm互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semi-conductor,CMOS)工艺设计了基准电压源,仿真结果表明,在-40°C ～125°C温度变化范围内,基准源电压变化为5.33 mV,电源抑制比在100 Hz以下达到-90.1 dB,启动时间为9μs.设计的带隙基准电压源启动速度较快,电源抑制比较高.

摘要： 随着5G移动通信技术的不断发展,基站节能成为了新的主题,电源管理芯片就是管理终端功耗的关键器件,该文改进了传统的带隙基准源电路结构,设计了一种能用于电源管理芯片中的结构简单、低功耗自偏置基准源电路.该电路结构由一对宽长比为8:4的PNP管构成带隙核心电路,与运放构成负反馈结构,由一个MOS管构成的偏置电路由带隙输出提供电压偏置,该电路结构共有一个MOS管、3个PNP管及一个运放,有源器件少、功耗低.仿真结果表明,带隙输出电压VREF为1.18 V,温度系数为5.45 ppm/°C,电源抑制比达95 dB以上.

摘要： 为了满足不同应用和市场对物联网芯片精度和可靠性的要求,提出了一款宽温度范围的低温度系数带隙基准源.在传统的Banba型带隙基准源结构上,采用高阶温度补偿技术和分段温度补偿技术改善输出基准电压的曲率,降低了电路的温度系数,同时扩展了电路的工作温度范围.基于TSMC 180 nm CMOS工艺,完成了电路性能验证.测试结果表明,电路在-40°C～160°C温度范围内的温度系数低至7.2×10-6/°C,低频时电源抑制比为--48.52 dB,1.8V电源电压下电路的静态电流为68.38 μA,芯片核心面积为0.025 mm2.

摘要： 基于UMC 65nm CMOS工艺设计实现了一种快速建立的低噪声带隙基准源.利用工作在深线性区的MOS管实现了GΩ级别大电阻,因此仅采用5pF的电容即实现了截止频率低至32Hz的带开关低通滤波器,有效降低了带隙基准源输出噪声.有源器件的采用大大节省了芯片面积,降低了制作成本.通过采用上电延时电路去控制低通滤波器工作状态,克服了采用大阻值电阻或大容值电容低通滤波器降噪面临的缓慢建立问题,实现了快速建立.通过Spectre仿真器对电路在1.8V电源电压下进行了仿真,后仿真结果表明,电路在10kHz、100kHz、1MHz的输出噪声分别为:11.76nV/sqrtHz、1.213 nV/sqrtHz、336.8 pV/sqrtHz,电路的建立时间为1.436μs,整体功耗为104.4μW.本文设计已在实际芯片中得到应用,并取得了预期效果.

摘要： 介绍一种基于55 nm CMOS工艺实现的温度传感器.该温度传感器包括温度传感电路与SAR ADC两个部分.温度传感电路产生与温度正相关的模拟电压,通过SAR ADC进行模数转换,从而得到代表温度信息的数字信号.ADC采用改进的R-2R DAC结构,改进后的R-2R DAC省略运算放大器和反馈电阻,简化电路结构,避免了传统结构中运放失调对温度精度的影响.仿真结果表明,在1.2 V供电电源、-20～100°C温度条件下,该温度传感器的温度分辨率为0.2°C,温度精度为+0.32°C.

摘要： 设计了一款快速启动、高稳定性的实用型带隙基准电压源。基准源电路基于110 nm的CMOS标准工艺实现,使用Cadence软件进行仿真。仿真表明,在室温下,电源电压为3.3V时,输出基准电压为1.2 V;在-40°C~85°C范围内温度漂移系数为33 ppm/°C;电路启动时间为0.5μs;电源电压抑制比在低频时达到-61 dB;功耗为0.967 mW;版图面积为50μm×180μm。该电路结构简单,易于集成,可应用于高速、高精确度的数模转换器(DAC)。

摘要： 本文设计了一种基于传统结构的带隙基准源电路.该电路采用自偏置电路与两级运放电路形式,输出端采用MOS管控制开关的电阻分压形式输出需要的基准电压值.对于产生一个700mV左右的电压基准,温度扫描从-55°C～125°C得到的温度漂移指标为37.58ppm/°C,电源抑制比在1kHz时达到了-87dB,稳定性很好.该电路在65nm工艺下进行设计实现,版图占用的面积约为0.024mm2.

摘要： 设计了一种0.25μm CMOS工艺的低功耗、高稳定性的基于Buck型DC／DC开关电源带隙基准源电路。在设计中采用运放结构米提高增益、减小失调电压的影响，并采用带自启动的自偏置两级运放来改善温漂。并用T-spice软件对运算放大器子电路参数、基准源温度特性、电源电压依赖性等进行仿真。仿真结果表明这种带隙基准源输出电压为2.3V-3.5V，功耗0.7mW，温度系数可达16.74ppm／°C，主要适用于DC／DC开关电源作带隙基准电源。

摘要： 设计了电流模式曲率补偿的CMOS带隙基准源,基本原理是利用两个偏置在不同电流特性下的三极管,得到关于温度的非线性电流,补偿VEB的高阶温度项。用标准的0.6μm CMOS BSIM3v3模型库对该带隙基准源进行了仿真,结果表明在±1.5V的电源电压下,输出基准电压为-1.41855V,从-55°C到125°C较宽的温度范围内,输出电压的变化只有0.35mV,有效温度系数(TC)达到1.37ppm/°C.

摘要： 二次温度补偿的高精度带隙基准源是高性能模拟和数模混合集成电路的重要组成部分,其精度影响了整个系统的精度。本文对一次温度补偿的带隙基准源的基本原理进行了分析,着重介绍了三种新颖的基于亚微米工艺的带隙基准源二次温度补偿方法并分析比较了三种方法的性能优劣.

摘要： 本文设计了开关电源中的带隙基准源电路,首先阐述了带隙基准源的功能和基本原理,并结合开关电源集成电路整体的性能对带隙基准源部分提出了具体的设计指标；同时结合具体工艺进行了电路设计并进行了SPICE仿真,仿真结果证实了设计的可行性；最后本文还完成了带隙基准源电路的版图设计.

摘要： 基于0.8μm的CMOS工艺,设计了一种包含斩波调制运放的电压带隙基准源.采用斩波调制运算放大器消除失调和噪声.HSPICE仿真结果显示,运放闭环增益70dB,基准源的PSRR 95dB.采用环形振荡器产生斩波频率,设定26ns的死区时间,保证运放的正常工作.该带隙基准源能实现低失调低噪声,同时对工艺参数和电源电压的变化具有较强的抑制能力。

摘要： 提出了一种改进型非线性补偿CMOS带隙基准源,该基准源在已有非线性补偿带隙基准源的基础上做了改进,减少了原有电路的规模，在char0.35工艺下实现了电路。仿真结果表明,该基准源具有较高的温度稳定性以及电源抑制特性,在输出为563mV,温度由-25°C变化至125°C时,输出波动±0.1mV,电路的功耗为0.6mW,面积仅为0.04mm2。

摘要： 随着SoC在便携产品中应用的迅猛发展，低功耗技术变得越来越重要。本文采用了0.18μm的标准CMOS工艺，设计了一种无电阻，工作在亚阈值区的低功耗，小面积的CMOS电压基准源。这个带隙基准可以灵活运用于极低功耗的SoC系统中。这个电路的电源电流大约为150nA，可以在1.5～3.3V之间的电源电压下工作，基准源的输出电压的线性度为44.4ppm/V。当电源电压为1.5V，室温下带隙基准电路的输出电压为1.1126V，100Hz频率下的电源抑制比为-66dB，当温度在-20°C与80°C之间变化时，输出电压的温度系数是55ppm/°C。整个带隙基准的芯片面积是0.011mm2。

摘要： 文章介绍了一种电流精确度很高的十六通道恒流LED驱动芯片,该芯片能够提供3-50mA的单通道电流能力,并且采用高性能带隙基准源和灵敏渡极高的regulator,实现了恒流通道之间的电流差异低于3％,并且在外接电阻变化时输出电流与阻值的比例恒为定值.通过设计了可以在通道之间产生20ns的延时单元,巧妙地避开了开关噪声的影响.适用于全彩屏显示.

摘要： 设计出一种基于BiCMOS工艺,针对电压基准源的高阶补偿方法。采用分段线形补偿原理,所设计基准具有较好的温度特性,PSRR.根据SPICE仿真,在其产生的带隙基准电压在-40°C～120°C范围内,得到温度系数仅有2.4ppm/°C.

摘要： 本发明实施例的目的在于提供带隙基准电压源电路和带隙基准电压源，以解决现有带隙基准电压源电路，因为包含误差放大器及相应的偏置电路，存在面积较大的问题。同时，现有带隙基准电压源电路由于基准电压由一支路单独生成，因此，还存在其镜像电流源间的镜像失配也会加大基准电压的失调电压的问题。为解决上述问题，本发明实施例中所提供的带隙基准电压源电路中，没有用到误差放大器，因此省去了误差放大器自身的失调电压电压及噪声对基准电压输出端的影响，并且节省了功耗和面积；同时，本发明实施例中的基准电压输出支路并未如现有电路一样，由一个支路单独产生，也在一定程度上避免了电流镜像失配引起的失调电压的影响。

摘要： 本发明公开了一种应用于带隙基准电压源的加速启动电路，其为通过在带隙基准电压源的主体电路上镜像一路电流，通过该镜像电流产生另一带隙基准电压，而后通过比较器来比较两个输出电压，开启一个晶体管开关，利用电流源通过开启的晶体管开关对带隙基准电压源充电，从而保证了带隙基准电压源的加速开启。本发明还公开了一种带隙基准电压源。

摘要： 本发明涉及一种带隙基准电压源启动电路及CMOS带隙基准电压源，包括一个运算放大器A1，所述运算放大器A1包括由晶体管M6和晶体管M7组成的共源放大级，该共源放大级构成该运算放大器A1的第二级，晶体管M7的漏极与晶体管M6的漏极连接，其中，作为电流源的晶体管M7是负载管，晶体管M6是放大管，还包括源跟随器A2，该源跟随器由晶体管M8和晶体管M9组成，其中，作为电流源的晶体管M9是负载管。本发明所述的带隙基准电压源启动电路稳定、可靠，而且电路简单、低功耗，解决了带隙基准电压源的上电启动问题。

摘要： 本发明公开了一种带隙基准电压源的调整电路、方法及带隙基准电压源，其中带隙基准电压源的调整电路包括第一电压调整单元和第二电压调整单元，第一电压调整单元对应差分放大器的正输入端设置，第二电压调整单元对应差分放大器的负输入端设置，第一电压调整单元通过对流入差分放大器的正输入端的电流进行抽取控制以调整第一电压，第二电压调整单元通过对流入差分放大器的负输入端的电流进行抽取控制以调整第二电压，以便对放大器的失调电压进行调整；由此，能够明显减小失调电压，且基本不会影响带隙基准的温漂系数，从而提高带隙基准输出电压的精度和稳定性。

摘要： 本发明公开一种带隙基准电压源电路及带隙基准电压源，包括：启动电路用于启动基准电压源；偏置电流源电路通过在亚阈值区的场效应晶体管的栅源电压差控制在线性区的场效应晶体管的电阻，并根据工作在线性区的场效应晶体管的漏源电压和电阻得到偏置电流；低阈值源跟随电路通过控制运算放大器的输出阻抗控制环路增益；带隙基准核心电路根据双极型晶体管在负温度系数的基极‑发射极电压和正温度系数的基极‑发射极电压，得到基准电压；曲率补偿电路产生与温度系数呈反比的补偿电流，以对基准电压进行曲率补偿。获得低功耗高性能高精度的带隙基准电压源。

摘要： 本发明实施例的目的在于提供带隙基准电压源电路和带隙基准电压源，以解决现有带隙基准电压源电路，因为包含误差放大器及相应的偏置电路，存在面积较大的问题。同时，现有带隙基准电压源电路由于基准电压由一支路单独生成，因此，还存在其镜像电流源间的镜像失配也会加大基准电压的失调电压的问题。为解决上述问题，本发明实施例中所提供的带隙基准电压源电路中，没有用到误差放大器，因此省去了误差放大器自身的失调电压电压及噪声对基准电压输出端的影响，并且节省了功耗和面积；同时，本发明实施例中的基准电压输出支路并未如现有电路一样，由一个支路单独产生，也在一定程度上避免了电流镜像失配引起的失调电压的影响。

摘要： 本实用新型公开了一种带隙基准稳压源及改善其负载响应特性的系统，应用于带隙基准稳压源，包括输入端分别与带隙基准稳压源中的误差放大器的输出端及第二三极管的基极连接、输出端与带隙基准稳压源中的第一三极管的基极连接的低通滤波器。本实用新型中，低通滤波器对第一三极管的基极的高脉冲过冲或者低脉冲过冲有阻碍作用，从而导致误差放大器的输入端的差分信号得到显著的负增加(对应高脉冲过冲)或者正增加(对应低脉冲过冲)，经误差放大器进一步放大后相应地使高脉冲过冲或者低脉冲过冲得到显著抑制，在降低带隙基准稳压源工作电流的同时，改善了带隙基准稳压源的负载响应，保证低功耗的同时还保证了安全性和可靠性。

摘要： 本申请涉及一种带隙基准源的启动电路、带隙基准源以及启动方法，启动电路包括控制开关单元、使能开关单元以及启动下拉开关单元；当控制开关单元导通，且使能开关单元导通时，启动下拉开关单元的控制端电压上升以使得启动下拉开关单元导通；启动下拉开关单元在导通时使得流经反馈输出模块的电流增大，控制开关单元在反馈输出模块的电流增大到预设阈值时关断，控制启动下拉开关单元关断，以使得反馈输出模块的电位进入稳定状态，输出稳定电压。该启动电路在启动过程中避免了反馈输出模块的电流不断增大，进入到大电流的稳定状态的问题，能够更加稳定可靠的启动带隙基准源。

摘要： 本申请涉及一种带隙基准源的启动电路、带隙基准源以及启动方法，启动电路包括控制开关单元、使能开关单元以及启动下拉开关单元；当控制开关单元导通，且使能开关单元导通时，启动下拉开关单元的控制端电压上升以使得启动下拉开关单元导通；启动下拉开关单元在导通时使得流经反馈输出模块的电流增大，控制开关单元在反馈输出模块的电流增大到预设阈值时关断，控制启动下拉开关单元关断，以使得反馈输出模块的电位进入稳定状态，输出稳定电压。该启动电路在启动过程中避免了反馈输出模块的电流不断增大，进入到大电流的稳定状态的问题，能够更加稳定可靠的启动带隙基准源。

摘要： 本实用新型属于基准源电路领域，提供了一种带隙基准源电路和带隙基准源。所述带隙基准源电路与电源连接，包括与所述电源连接的偏置电路、与所述电源以及所述偏置电路连接的启动控制电路；以及与所述电源、所述偏置电路以及所述启动控制电路连接的基准电压生成电路。本实用新型提供的带隙基准源电路通过偏置电路为启动控制电路和基准电压生成电路提供偏置电压，然后由启动控制电路驱动带隙基准源电路正常上电并停止接入所述偏置电压，通过基准电压生成电路生成可调基准电压，解决了温度补偿型齐纳基准源精度低以及现有带隙基准源只能输出约1.25V基准电压的问题。