工薪族

摘要： 拜登政府的六大经济谎言拜登政府的六大经济谎言。一、“收入低于40万美元的人不会增税。”拜登一直说“不会对中产阶级增税”,并且现在还在说,但通胀是对中产阶级和穷人打击最大的税。过去一年,物价涨幅比工资和薪水涨幅高出大约4个百分点,工薪族的平均薪水约为每年6万美元,这意味着要对每人征收2400美元的“拜登通胀税”。

摘要： 日本2020年的黄金周,在5月6日的那一天,静静地划上了一个句号。从5月7日开始,本该是工薪族上班的第一天。就如同日本所有节日的开始和结束一样,工薪族的完工日和开工日,也同样是静静无声地翻着时光的每一页。这种静,真是静的让人压抑,静的让人无聊,静的有时令人感到恐惧。尤其是在特殊的被新冠病毒肆虐的这一年。

摘要： 说到这个问题,我不由得想到一个关于投资的段子。据说在2000年的一个早上,亚马逊创始人贝索斯给巴菲特打电话问他:你的投资体系如此简单,为什么你是全世界最富有的人之一,别人却不做和你一样的事情?巴菲特回答很简短却发人深省:因为没有人愿意慢慢变富。其实对于收藏也是同理,一是长期持有(至少10年以上);二是选好作品(相当于股市的优质公司)。然后你就可以静待花开,慢慢变富了。

摘要： "局部有钱人"是个网络新词,百度百科上的定义是"一群经济条件处于‘充裕但有限’的人"。这么说很费解,形象一点比喻,局部有钱人就是一个穿着做工精致的长衫,却在咸亨酒店门口站着喝散酒的人。"局部有钱人"其实并非新生事物,早在上世纪七八十年代,上海大多数居民都可以被归入"局部有钱人"。那时候全国工薪族拿着差不多的工资,看上去却有明显的贫富差距。

摘要： “1月份的工资单上,已经看到赡养老人和子女教育的专项附加扣除项了。”在北京某银行工作的江先生欣喜地发现。他是独生子女,赡养老人可以享受专项附加扣除2000元,有一个正在上幼儿园的孩子,子女教育又扣除了1000元,这些都在他1月底拿到的工资单上清晰可见。

摘要： 父母需要的其实不多,只是子女发自内心的关心口关怀,因为陪伴和体谅,才是我们给父母愎好的礼物!这是一个彰显个性的时代,我们习惯于给身边的事物贴上独有的“标签”,比如按照出生时间划分的“80后”“90后”“00后”,比如按照收入高低划分的“月光族”“工薪族”“白领族”。

摘要： 日本新中产阶级的崛起,一方面很好地消化了来自西方的冲击,另一方面保留了日本文化的精髓,起到了“社会稳定器”的作用。

摘要： “族”指具有共同特点的一类人或其中一员。工薪族,指“挣工资养家糊口的人”。英语译为wage-earner。例如:一个普通工薪族必须省吃俭用13年才能筹集这个城市一套小户型公寓所需的首付金。An average wage earner has to save for 13 years just to raise the down payment for a small apartment in this city.

摘要： 一种芳香族聚酯，作为构成单元，其包含：(A)下述式(a)所表示的重复单元、(B)芳香族二羧酸来源的重复单元、(C)选自芳香族二胺及具有羟基的芳香族胺中的芳香族胺来源的重复单元、和(D)芳香族二醇来源的重复单元；相对于(A)至(D)的重复单元的合计，(A)的重复单元的含有率为10摩尔％以上且小于20摩尔％，(B)的重复单元的含有率超过40摩尔％且为45摩尔％以下，(C)的重复单元和(D)的重复单元的合计含有率超过40摩尔％且为45摩尔％以下，(D)的重复单元的含有率超过0摩尔％且小于15摩尔％。‑O‑Ar1‑CO‑ (a)式中，Ar1表示1,4‑亚苯基、2,6‑亚萘基或4,4’‑亚联苯基；Ar1所表示的基团中的至少一个氢原子任选分别独立地被卤素原子、烷基或芳基取代。

摘要： 本发明提供使氮化铬层面内的三棱锥形状的氮化铬微晶所占的面积比率提高的III族氮化物半导体元件制造用基板的制造方法。该III族氮化物半导体元件制造用基板的制造方法的特征在于，其具备：成膜工序，在生长用基底基板上形成铬层；氮化工序，通过在规定的条件下氮化该铬层，从而形成氮化铬层；晶体层生长工序，在该氮化铬层上外延生长至少一层III族氮化物半导体层，其中，前述铬层通过溅射法以溅射粒子射程区域的成膜速度为

摘要： 本发明提供使氮化铬层面内的三棱锥形状的氮化铬微晶所占的面积比率提高的III族氮化物半导体元件制造用基板的制造方法。该III族氮化物半导体元件制造用基板的制造方法的特征在于，其具备：成膜工序，在生长用基底基板上形成铬层；氮化工序，通过在规定的条件下氮化该铬层，从而形成氮化铬层；晶体层生长工序，在该氮化铬层上外延生长至少一层III族氮化物半导体层，其中，前述铬层通过溅射法以溅射粒子射程区域的成膜速度为

摘要： 公开不仅在生长温度为1050°C下或低于1050°C的AlGaN、GaN或GaInN的情况下，而且在生长温度高并且具有高的Al组成的Al

摘要： 本发明提供一种催化活性的降低得以抑制、能高效地制造芳香族烃的芳香族烃制造用催化剂结构体以及具备该芳香族烃制造用催化剂结构体的芳香族烃制造装置。本发明的芳香族烃制造用催化剂结构体的特征在于，具备：多孔质结构的载体，由沸石型化合物构成；以及至少一种催化剂物质，存在于所述载体内，所述载体具有相互连通的通道，所述催化剂物质为金属微粒，存在于所述载体的至少所述通道。

摘要： 一种芳香族聚酯，作为构成单元，其包含：(A)下述式(a)所表示的重复单元、(B)芳香族二羧酸来源的重复单元、(C)选自芳香族二胺及具有羟基的芳香族胺中的芳香族胺来源的重复单元、和(D)芳香族二醇来源的重复单元；相对于(A)至(D)的重复单元的合计，(A)的重复单元的含有率为10摩尔％以上且小于20摩尔％，(B)的重复单元的含有率超过40摩尔％且为45摩尔％以下，(C)的重复单元和(D)的重复单元的合计含有率超过40摩尔％且为45摩尔％以下，(D)的重复单元的含有率超过0摩尔％且小于15摩尔％。‑O‑Ar1‑CO‑ (a)式中，Ar1表示1,4‑亚苯基、2,6‑亚萘基或4,4’‑亚联苯基；Ar1所表示的基团中的至少一个氢原子任选分别独立地被卤素原子、烷基或芳基取代。

摘要： 本发明提供使氮化铬层面内的三棱锥形状的氮化铬微晶所占的面积比率提高的III族氮化物半导体元件制造用基板的制造方法。该III族氮化物半导体元件制造用基板的制造方法的特征在于，其具备：成膜工序，在生长用基底基板上形成铬层；氮化工序，通过在规定的条件下氮化该铬层，从而形成氮化铬层；晶体层生长工序，在该氮化铬层上外延生长至少一层III族氮化物半导体层，其中，前述铬层通过溅射法以溅射粒子射程区域的成膜速度为

摘要： 本发明提供使氮化铬层面内的三棱锥形状的氮化铬微晶所占的面积比率提高的III族氮化物半导体元件制造用基板的制造方法。该III族氮化物半导体元件制造用基板的制造方法的特征在于，其具备：成膜工序，在生长用基底基板上形成铬层；氮化工序，通过在规定的条件下氮化该铬层，从而形成氮化铬层；晶体层生长工序，在该氮化铬层上外延生长至少一层III族氮化物半导体层，其中，前述铬层通过溅射法以溅射粒子射程区域的成膜速度为

摘要： 公开不仅在生长温度为1050°C下或低于1050°C的AlGaN、GaN或GaInN的情况下，而且在生长温度高并且具有高的Al组成的Al

摘要： 本发明是一款工薪族(或者离退休后)比较健康的老人使用的小汽车。总造价在一般工薪人员两年工资总额之内。可以代步、旅游、一般家庭使用。考虑到使用者的经济条件和使用需要，本车以适用、安全为主。比照现有车辆，尽量减少可有可无的附件；改造、增减一些设施；尽量使其符合工薪族的实际需要。