工艺进展

摘要： 台积电、英特尔和三星是目前全球半导体制造工艺的执牛耳者。从今年4月开始,他们都陆续公布了2022年及以后的技术发展路线,包括5nm、3nm、2nm以及采用的特色工艺情况。今天,我们就将这三家厂商在技术发展方面的内容予以整合,让读者能一窥半导体制造工艺未来的发展方向。

摘要： 随着科学技术的不断进步,连续热镀锌工艺逐渐发展,并广泛用于各个行业中.市场化经济以来,对于连续热镀锌的技术需求越来越大,热镀锌钢铁的技术运用,提高了产品使用寿命和工艺水平.通过不断进行技术升级,引进先进的科学理念,提高行业的技术水平.本文对连续热镀锌工艺的发展现状进行分析,通过目前实际应用中出现的问题进行总结,提出建议和改进方案,促进行业的更好更快发展.

摘要： 冶金工艺发展过程中,应用到湿法冶金工艺和火法冶金工艺,湿法冶金工艺主要是在溶剂作用下发生化学反应,实现对金属原料的提炼;火法冶金,则是在高温作用下,实现对化合物提炼的过程,整个过程中无水溶液参与。两种冶金工艺技术相比,湿法冶金工艺相对更简单,提升了金属回收程度,与环保理念吻合。基于此,本篇文章主要就上述两种冶金工艺展开深入的探究。

摘要： 我国铝土矿资源匮乏且品位低,面对日益上涨的铝资源需求,从高铝粉煤灰中提取氧化铝成为一条有效的缓解途径,既可以高值化利用粉煤灰,降低环境危害,同时也可以保障我国铝资源的安全.主要介绍了从粉煤灰提取氧化铝的技术进展,总结了碱法、酸法、酸碱联合法及其他方法的工艺流程、原理及不足之处,指出了制约其工业化进程的关键问题,最后对从粉煤灰提取氧化铝的发展做了展望,以期为相关研究提供参考.

摘要： 我国铝土矿资源匮乏且品位低,面对日益上涨的铝资源需求,从高铝粉煤灰中提取氧化铝成为一条有效的缓解途径,既可以高值化利用粉煤灰,降低环境危害,同时也可以保障我国铝资源的安全。主要介绍了从粉煤灰提取氧化铝的技术进展,总结了碱法、酸法、酸碱联合法及其他方法的工艺流程、原理及不足之处,指出了制约其工业化进程的关键问题,最后对从粉煤灰提取氧化铝的发展做了展望,以期为相关研究提供参考。

摘要： 醋酸乙烯是一种重要的工业有机原料,主要有乙炔法和乙烯法2种生产工艺.介绍了醋酸乙烯的工艺进展,包括反应动力学研究和反应工艺、催化剂制备工艺和反应器结构优化等方面的最新成果.对比了两种工艺路线在技术难度、生产成本上的优劣,重点介绍了 2种乙烯法生产工艺Vantage Process和Leap Process的工艺特点及其在催化剂和反应器研发上取得的突破,并对国内醋酸乙烯行业存在问题进行分析,对未来醋酸乙烯研究发展方向进行展望.

摘要： 目前,我国的经济在快速发展,社会在不断进步,我国综合国力显著加强,介绍醋酸乙酯目前国内的生产工艺现状以及在工艺节能所取得的成就,目的是提高装置产能,降低生产成本,降低固定资产投入,推动醋酸乙酯行业节能,提高行业竞争力.

摘要： 文中论述多元糖酶的丙酮化作用和工艺进展,以及其在合成光学活性单一对映体药物中的应用.

摘要： 非金属矿的超细粉碎设备多样、特性各异。文章在系统介绍几种典型超细粉碎设备的基础上,对其破碎机理、工艺特点进行了对比总结,并对其可能的发展趋势予以关注.

摘要： 非金属矿的超细粉碎设备多样、特性各异。文章在系统介绍几种典型超细粉碎设备的基础上,对其破碎机理、工艺特点进行了对比总结,并对其可能的发展趋势予以关注.

摘要： 非金属矿的超细粉碎设备多样、特性各异。文章在系统介绍几种典型超细粉碎设备的基础上,对其破碎机理、工艺特点进行了对比总结,并对其可能的发展趋势予以关注.

摘要： 非金属矿的超细粉碎设备多样、特性各异。文章在系统介绍几种典型超细粉碎设备的基础上,对其破碎机理、工艺特点进行了对比总结,并对其可能的发展趋势予以关注.

摘要： 本文从橡皮囊成形工艺的基本原理、特点、橡皮囊成形机的发展以及国内外学者在橡皮囊成形方面的研究历史和研究进展等方面，对橡皮囊成形做了较为全面的介绍，最后基于目前的研究现状，提出了橡皮囊成形工艺存在的问题和发展的方向。

摘要： 本文从橡皮囊成形工艺的基本原理、特点、橡皮囊成形机的发展以及国内外学者在橡皮囊成形方面的研究历史和研究进展等方面，对橡皮囊成形做了较为全面的介绍，最后基于目前的研究现状，提出了橡皮囊成形工艺存在的问题和发展的方向。

摘要： 本文从橡皮囊成形工艺的基本原理、特点、橡皮囊成形机的发展以及国内外学者在橡皮囊成形方面的研究历史和研究进展等方面，对橡皮囊成形做了较为全面的介绍，最后基于目前的研究现状，提出了橡皮囊成形工艺存在的问题和发展的方向。

摘要： 本文从橡皮囊成形工艺的基本原理、特点、橡皮囊成形机的发展以及国内外学者在橡皮囊成形方面的研究历史和研究进展等方面，对橡皮囊成形做了较为全面的介绍，最后基于目前的研究现状，提出了橡皮囊成形工艺存在的问题和发展的方向。

摘要： 本文介绍了世界对固体酸烷基化催化剂和烷基化工艺的研究进展情况，重点介绍了AkzoNobel/ABBLummus的AlkyClean工艺、UOP公司的Alkylene工艺、Lurgi公司的Eurofuel工艺和HaldorTopsoe公司的FBA工艺。

摘要： 本发明提供一种半导体工艺设备中的工艺腔室及半导体工艺设备，其中，工艺腔室包括腔室本体和腔室盖，腔室盖用于密封腔室本体，腔室盖包括盖体组件和支撑组件，盖体组件与腔室本体可转动地连接，且盖本组件可相对于腔室本体升降；支撑组件与盖体组件连接，用于在盖体组件朝腔室本体转动的过程中支撑盖体组件，阻止盖体组件与腔室本体接触，使盖体组件与腔室本体之间存在间隙，且在盖体组件与腔室本体相对的两个面平行后，停止支撑盖体组件，使盖体组件与腔室本体接触。本发明提供的半导体工艺设备中的工艺腔室及半导体工艺设备，能够避免密封部件的磨损，从而提高密封部件的寿命，延长维护周期，并能够便于腔室盖的关闭。

摘要： 本发明公开了一种半导体工艺设备的工艺腔室及半导体工艺设备，其中，工艺腔室内设有可升降的基座，基座中设有多个支撑针；基座上设有多个贯穿基座上下表面的针孔，针孔的顶端设有密封凹槽，基座的下表面设有与多个针孔一一对应的挡环；支撑针的顶端设有密封头，密封头的形状与密封凹槽匹配，支撑针的底端设有定位块，定位块与挡环之间套设有处于压缩状态的弹性件，基座上升至工艺位时，密封头与密封凹槽密封配合；工艺腔室的底壁上设有定位板，定位板的上表面设有形状与定位块匹配的第一定位部，基座下降至传输位时，定位块与第一定位部定位配合，支撑针从基座上表面伸出。本发明可以减少支撑针的密封头与针孔密封凹槽处漏气，提升工艺效果。

摘要： 印刷具有临界尺寸(CD)的特征的光刻工艺中，使用整体性能表征参数(Cpk)和分析模型确定提供最佳工艺窗口的最佳工艺变量(E、F、W)设定，该模型以例如曝光剂量(E)和聚焦(F)的工艺参数的函数描述CD数据。这允许计算CD统计分布(CDd)的平均值(μCD)和方差(σCD)，并可确定最大Cpk值以及相关工艺参数的值，这些值提供优化的工艺窗口。

摘要： 进展状况提示装置(100)包括取得部(120)，取得进行商品交易的销售者发送给购买者的电子邮件。另外，进展状况提示装置(100)包括提取部(130)，从取得的电子邮件中，提取识别交易的识别信息和表示交易的进展的进展信息。另外，进展状况提示装置(100)包括提示部(170)，对购买者，针对提取出的每个识别信息，整理并提示提取出的进展信息。

摘要： 本发明公开了一种多腔室工艺设备，通过预先对第一腔体及第二腔体施予工艺气体及射频，分别找出第一初始射频供应时间曲线与气源供应时间曲线间的第一时间差及第二初始射频供应时间曲线与气源供应时间曲线间的第二时间差，再通过第一时间差与第二时间差反馈校正，进而使本发明多腔室工艺设备的第一射频产生单元、第二射频产生单元与气源单元均会同步关闭。因此，本发明多腔室工艺设备的第一腔室所沉积的第一基材与第二腔室所沉积的第二基材品质较为均匀。

摘要： 本发明提供异丙醇脱水反应的方法，及包括此方法的异丙醇脱水制丙烯的工艺方法、丙酮制丙烯的工艺方法和工艺系统，是向异丙醇脱水反应过程中加入反应促进剂，所述反应促进剂为醇与水的混合物。其中所述醇与水的混合物优选为异丙醇脱水产物吸收分离过程中的吸收剂吸收反应后的共沸物，一方面能够对异丙醇反应流出物进行冷凝冷却的同时，还能够有效吸收粗丙烯中的水溶性物质，且能够将精馏共沸物循环利用，在此过程中既没有额外引入其它物质，也没有外排有机物杂质，还对于反应过程和产品纯度起到了促进和改善作用。

摘要： 本发明提供一种应用于半导体工艺设备的工艺腔室，包括传输腔和位于传输腔上方的多个反应腔，多个反应腔均通过底部开口与传输腔连通，工艺腔室中的多个基座可在反应腔与传输腔之间升降，还包括设置在传输腔底壁上的传输机构和承载机构，传输机构用于将晶圆由工艺腔室外部转移至承载机构或多个基座上，以及将多个基座上的晶圆传出工艺腔室，承载机构用于承载多片晶圆，并在传输机构取走多个基座上的晶圆后，将其所承载的多片晶圆转移至多个基座上。在本发明中，传输机构能够先将下一批晶圆传输至承载机构上，承载机构在半导体工艺结束后将其承载的晶圆转移至基座上，节约了晶圆传输时间。本发明还提供一种半导体工艺设备和半导体工艺方法。

摘要： 本发明提供一种能够搜索最佳的培养条件的细胞培养工艺搜索方法、细胞培养工艺搜索程序及细胞培养工艺搜索装置。本发明的细胞培养工艺搜索方法具有：工艺条件产生工序，产生培养细胞的多个工艺条件；培养结果预测工序，对于工艺条件产生工序中所产生的所述多个工艺条件中的每一个，获取细胞的培养预测结果；及最佳化工艺条件获取工序，从在培养结果预测工序中所获得的培养预测结果，发现最佳的工艺条件。并且，本发明为执行的细胞培养工艺搜索程序及细胞培养工艺搜索装置。工艺条件包含多个培养基组成及多个培养条件中的至少任一个。

摘要： 本发明公开了一种工艺腔室、半导体工艺设备及工艺方法，该工艺腔室包括：腔体，沿腔体的内壁周向环绕设置有环形的内衬组件，内衬组件的内环侧设有沉积阻挡环，腔体的底部设有用于承载待加工基片且可升降的基座；内衬组件上沿内衬组件的周向设有多个贯穿内衬组件侧壁的第一开孔；沉积阻挡环上沿沉积阻挡环的周向设有多个贯穿沉积阻挡环侧壁的第二开孔；腔体的内侧壁上沿腔体的周向设有与多个第一开孔相对的加热灯组件；当基座带动沉积阻挡环上升至第一工艺位时，第二开孔与第一开孔相互错开；当基座带动沉积阻挡环上升至第二工艺位时，第二开孔与第一开孔至少部分重叠，且第二工艺位高于第一工艺位。本发明能够消除回流工艺中的滑片与碎片风险。

摘要： 本发明公开了一种半导体工艺设备工艺腔室中的卡盘组件及半导体工艺设备，其中卡盘组件包括：卡盘，卡盘用于承载晶圆；盖板，盖板设置于卡盘的外周，卡盘承载有晶圆时，盖板的上表面不高于晶圆的上表面，并且盖板的上表面具有多个凹陷；多个可翻转部件，分别设置于多个凹陷中；可翻转部件可在凹陷中翻转，可翻转部件处于非翻起状态时，可翻转部件的上表面不高于晶圆的上表面；可翻转部件处于翻起状态时，可翻转部件的顶面高于晶圆的上表面，以限制晶圆的移动；驱动机构，驱动机构用于驱动可翻转部件翻转。本发明能够减小边缘刻蚀倾斜效应，解决了晶圆边缘对称性差的问题，提高了产品良率。