射频集成电路

摘要： 集成电路产业是信息技术产业的核心,是移动通信、物联网、人工智能和大数据等重要产业的硬件基础。近年来,随着高速通信、高精度传感和大规模无线互联等新应用和新需求的急速增加,对高性能、低功耗和低成本的射频集成电路提出了更高的要求。因此需要学界开展半导体器件及射频集成电路的理论研究,在设计方法、拓扑架构和性能提升技术等方面进行创新,从而实现高性能、低功耗和低成本的射频集成电路。

摘要： 紫金港科技城,位于杭州市城西科创大走廊东首,是杭州市西湖区经济发展的“北强”核心区,东至吉鸿路转紫荆花北路、西至余杭交界、南至余杭塘河、北至杭长高速,总规划面积约21平方公里,涵盖西湖科技园、云谷两大板块。其中西湖科技园板块主要包括西科园和浙大紫金科创小镇,目前已入驻浙大网新、永创智能、银江科技等重点高新技术企业,正在推进全面改造提升,浙大紫金科创小镇内已入驻浙江知识产权交易中心、浙江省微波毫米波射频集成电路产业联盟等项目;云谷板块目前已入驻阿里云总部、菜鸟供应链金融、蘑菇街、二更、每日互动、天堂镓谷等项目。

摘要： 射频集成电路(RFICs)对工艺偏差、器件失配、器件非线性等引入的静态非理想因素以及温度变化、增益改变、输入/输出频率变动等引入的动态非理想因素所表现出的鲁棒性较差。该文深入挖掘影响射频集成电路性能的关键因素,并对典型的校准算法进行归纳和总结,为高性能射频集成电路设计提供理论支撑。

摘要： 采用TSMC0.13μm 1P6MCMOS工艺,设计了一种用于射频集成电路的高Q值、高耦合的叠层片上变压器.采用叠层差分结构,初级线圈和次级线圈上下完全重合,提高线圈的耦合效率及初次级线圈的品质因数Q.同时采用背硅刻蚀工艺改进衬底,减少衬底涡流损耗.研究了线圈直径d、宽度w和间距s对变压器性能的影响.应用安捷伦ADS Momentum软件,对所设计的片上变压器进行电磁场S参数仿真验证.结果表明,该变压器在4.2 GHz时品质因数Q值达到最大值13.4,在1～10 GHz频率范围内耦合系数K为0.8～1,最大可用增益Gmax接近于0.9,可应用于硅基射频集成电路设计中改善电路性能.

摘要： 紫金港科技城,位于杭州市城西科创大走廊东首,是杭州市西湖区经济发展的“北强”核心区,东至吉鸿路转紫荆花北路、西至余杭交界、南至余杭塘河、北至杭长高速,总规划面积约21平方公里,涵盖西湖科技园、云谷两大板块。其中西湖科技园板块主要包括西科园和浙大紫金科创小镇,目前已入驻浙大网新、永创智能、银江科技等重点高新技术企业,正在推进全面改造提升,浙大紫金科创小镇内已入驻浙江知识产权交易中心、浙江省微波毫米波射频集成电路产业联盟等项目;云谷板块目前已入驻阿里云总部、菜鸟供应链金融、蘑菇街、二更、每日互动、天堂镓谷等项目。

摘要： 第四届IEEE国际集成电路技术与应用学术会议将于2021年11月24日至26日在中国珠海举行。该会议按照IEEE的国际会议相关标准举办,会议旨在交流和展示当今社会中集成电路设计、技术、应用和跨学科融合领域的最新技术成果。今年的主题是“智能社会使用的传感器、集成电路与系统”。ICTA2021现公开征集包括但不仅限于以下领域的有创新性发现和设计的稿件:1.射频集成电路和毫米波集成电路:基于硅的射频集成电路、基于复合半导体的毫米波集成电路、低噪声放大器、压控振荡器、锁相环、移相器、混频器、射频开关、巴伦、功率放大器等。

摘要： 第三届IEEE国际集成电路技术与应⽤学术会议将于2020年11月23日至25日在中国南京举行。该会议按照IEEE的国际会议相关标准举办,会议意在交流和展示当今社会中集成电路设计、技术和应⽤和跨学科融合领域的最新技术成果。今年的主题继续是“物联网和5G的传感器、集成电路和系统”。ICTA2020现公开征集包括但不仅限于以下领域的有创新性发现和设计的稿件:1.射频集成电路和毫米波集成电路:基于硅的射频集成电路、基于复合半导体的毫米波集成电路、低噪声放大器、压控振荡器、锁相环、移相器、混频器、射频开关、巴伦、功率放大器等。

摘要： 文章以工程教育认证为背景 ,针对目前射频集成电路设计课程工程教育的一些突出问题,结合国际工程教育认证标准提出了课程教学改革的内容及方法.从课程教学改革目标、教学方法实施和课程考核三个方面简明扼要地介绍了课程工程教育教学改革的思路.

摘要： 传统的放大器电路级间耦合方法存在噪声系数达不到电路指标要求的情况,导致耦合效果较差.文中提出一种新的CMOS射频集成电路中多级放大器级间耦合方法.通过CMOS射频集成电路模型提取多级放大器的级间参数,利用输入输出参数完成放大器级间噪声系数的优化;在此基础上,构建级间耦合模型,实现多级放大器内部各级之间的能量传递.实验结果表明,传统方法的噪声系数达到1.71 dB,而文中方法的噪声系数最大仅为1.45 dB,且文中方法的能量传输过程损耗较小,整体耦合效果较好.

摘要： 基于CMOS射频集成电路在通信技术发展的重要基础,它是通信领域的研究热点.论述CMOS射频集成电路的研究成果,CMOS射频集成电路中的功能单元,及其未来发展的展望.

摘要： 本文介绍了几种新颖的低寄生、紧缩型、多模式射频集成电路ESD保护结构,讨论了其工作原理及设计中应注意的问题.

摘要： 硅基集成电感是射频集成电路的重要元件之一，本文提出了一种基于硅通孔技术的新型螺线管式差分电感.文章首先介绍了该差分电感的结构,然后从金属损耗和介质损耗两方面讨论了该差分电感的损耗机理,并且研究了几何参数对该差分电感性能的影响,最后还与平面型差分电感进行了比较.结果表明,本文所提出的螺线管式差分电感与平面型差分电感在具有相同感值的情况下,占用面积更小,品质因数更高.

摘要： 本文提出了一种新型的横向变厚度射频SOI LDMOS结构。新结构与常规RESURF结构的不同之处在于,其漂移区厚度从源到漏逐渐线性增加。借助数值仿真和理论分析,从击穿特性、直流特性和频率特性三方面,对新结构开展深入创新研究。本文提出新结构,具有击穿电压高、导通电阻低、饱和电流大,亚阈值摆幅小及截止频率高等优点,对于研究新一代高性能SOI射频集成电路具有重要的理论意义和实践意义。

摘要： 主要讨论海峡两岸讯息产业中集成电路设计的概要、射频集成电路(RFIC)的特性、人才的重要性,将会探讨RF IC产业的发展,人才仍然是限制集成电路设计发展的重要因素,从两岸IC产业的发展趋势可看出端倪,进而讨论人才的培育过程,新进人才必须具备哪些专业素养及如何来循序渐进地引导进人RF IC设计的领域.除了人才素质的重要性、努力、毅力、用心及教授的专业指导相辅相成外,政府政策的鼓励及产业界全力的支持缺一不可,最后提出实际的成果验证在校生学习的效果.

摘要： 介绍低阻硅基多孔硅作为低损耗衬底在射频集成电路(RFIC)无源器件上的应用,分别讨论了在RFIC中的传输线,移相器和电感等无源器件运用多孔硅衬底后性能和主要参数的改良变化,并从理论上分析变化的原因。多孔硅衬底大大降低了RFIC电路中传输线的损耗,使移相器的工作频率和相移量都发生变化。运用多孔硅衬底,回旋电感的最高Q增加了63％(16.8～27.4),最高响应频率增加了28％(15.2～19.4GHz)。结果表明多孔硅衬底在高频情况下完全能满足RFIC元件的要求。

摘要： 本文简要介绍了新型射频集成电路(RFIC)电压控制振荡器、超高速频率综合器和几种不同RFIC相控阵系统的基本概念、工作原理和测试结果。可供电子技术工作者在确定研究方向、拟制研究方案时参考。

摘要： 针对射频微波集成电路调试过程工作量庞大且复杂,过孔以及无源器件寄生效应影响明显的特点,本文基于微波功率放大器的阻抗匹配调试过程,提出一种新型的芯片-板级一体化联合建模设计方法.将功率放大器板级模块在HFSS中还原建模,并结合ADS对其S参数提取以及联合仿真,通过在软件中进行阻抗匹配得到最佳输出功率和最大增益.此方法考虑了过孔以及寄生效应带来的影响,可运用于PCB级以及系统级封装等模块的调试与验证,不仅大大的缩短了模块板级调试的周期,而且提高了电路设计的精度,进而加快了芯片设计的进度.

摘要： 针对射频微波集成电路调试过程工作量庞大且复杂,过孔以及无源器件寄生效应影响明显的特点,本文基于微波功率放大器的阻抗匹配调试过程,提出一种新型的芯片-板级一体化联合建模设计方法.将功率放大器板级模块在HFSS中还原建模,并结合ADS对其S参数提取以及联合仿真,通过在软件中进行阻抗匹配得到最佳输出功率和最大增益.此方法考虑了过孔以及寄生效应带来的影响,可运用于PCB级以及系统级封装等模块的调试与验证,不仅大大的缩短了模块板级调试的周期,而且提高了电路设计的精度,进而加快了芯片设计的进度.

摘要： 针对射频微波集成电路调试过程工作量庞大且复杂,过孔以及无源器件寄生效应影响明显的特点,本文基于微波功率放大器的阻抗匹配调试过程,提出一种新型的芯片-板级一体化联合建模设计方法.将功率放大器板级模块在HFSS中还原建模,并结合ADS对其S参数提取以及联合仿真,通过在软件中进行阻抗匹配得到最佳输出功率和最大增益.此方法考虑了过孔以及寄生效应带来的影响,可运用于PCB级以及系统级封装等模块的调试与验证,不仅大大的缩短了模块板级调试的周期,而且提高了电路设计的精度,进而加快了芯片设计的进度.

摘要： 针对射频微波集成电路调试过程工作量庞大且复杂,过孔以及无源器件寄生效应影响明显的特点,本文基于微波功率放大器的阻抗匹配调试过程,提出一种新型的芯片-板级一体化联合建模设计方法.将功率放大器板级模块在HFSS中还原建模,并结合ADS对其S参数提取以及联合仿真,通过在软件中进行阻抗匹配得到最佳输出功率和最大增益.此方法考虑了过孔以及寄生效应带来的影响,可运用于PCB级以及系统级封装等模块的调试与验证,不仅大大的缩短了模块板级调试的周期,而且提高了电路设计的精度,进而加快了芯片设计的进度.

摘要： 一种用于与RFIC进行数字通信的基带IC以及包括该基带IC的设备。用于与RFIC进行数字通信的基带IC包括：数字接口电路，被配置为根据数字接口协议从RFIC接收包括至少一个采样信号的帧信号，从帧信号重构所述至少一个采样信号，并与接收参考信号同步地向基带调制解调器传送所重构的采样信号；以及采样同步管理器，被配置为产生接收参考信号，其中帧信号与发送参考信号同步地从RFIC发送到基带IC。

摘要： 本发明提供一种射频开关集成模块及其集成方法、射频前端集成电路，所述射频开关集成模块包括：扇出型封装模塑料；至少一个制作有射频开关电路的第一管芯，所述第一管芯为GaAs pHEMT管芯；至少一个制作有接口电路、控制电路的第二管芯；采用扇出型封装模式，将GaAs pHEMT管芯与集成有接口电路和控制电路的第二管芯异质集成在同一个集成模块中，解决了GaAs pHEMT工艺无法集成接口电路和控制电路功能的管芯的问题，采用集成有射频开关功能的GaAs pHEMT管芯和集成有接口电路和控制电路的第二管芯的异质集成模块，代替现有技术中采用SOI工艺制造并集成了接口电路和控制电路的射频开关芯片，进而提高了射频开关芯片的性能。

摘要： 一种用于与RFIC进行数字通信的基带IC以及包括该基带IC的设备。用于与RFIC进行数字通信的基带IC包括：数字接口电路，被配置为根据数字接口协议从RFIC接收包括至少一个采样信号的帧信号，从帧信号重构所述至少一个采样信号，并与接收参考信号同步地向基带调制解调器传送所重构的采样信号；以及采样同步管理器，被配置为产生接收参考信号，其中帧信号与发送参考信号同步地从RFIC发送到基带IC。

摘要： 一种射频集成电路(RFIC)包括发送电路，发送电路被配置为在发送模式下提供用于由天线发送的第一信号，所述发送电路包括线圈和至少一个模式设置电路，所述线圈被配置为耦合到所述天线，所述至少一个模式设置电路被配置为在接收模式下激活包括所述线圈的至少一部分的谐振电路。RFIC还包括接收电路，接收电路被配置为在所述接收模式下接收从所述天线接收的第二信号。提供了相关的无线通信设备和通信电路。

摘要： 本发明提供了一种射频集成电路和无线发射器、无线接收器集成电路，射频集成电路包括：发送声音转换器电路、数字转换模块、发送基带处理模块、模拟转换模块、上变频模块、功率放大器电路、低噪音放大器电路、下变频模块、接收基带处理模块和接收声音转换器电路。上述电路和模块将发送声波转换成接收声波。无线发射器集成电路包括：发送声音转换器、数字转换模块、发送基带处理模块。无线接收器集成电路包括：数字转换模块、接收基带处理模块、模拟转换模块和接收声音转换器电路。

摘要： 一种射频集成电路以及用以整合出一射频集成电路的方法。发射器、接收器、第一接垫、第二接垫以及第一电感器整合于晶粒上。发射器受第一逻辑信号控制，且用以接收待发射信号并于第一内部节点输出第一电压。接收器受第一逻辑信号以及第二逻辑信号控制，且用以接收来自第二内部节点的第二电压并输出接收信号。第一接垫连接第一内部节点，第二接垫连接第二内部节点。第一电感器横跨第一内部节点及第二内部节点设置。第一连结线用以将第一接垫连结至封装中的第一接脚。第二连结线用以将第二接垫连结至封装中的第二接脚。第三连结线用以将第一接垫连结至封装中的第二接脚。

摘要： 提供了射频集成电路和包括射频集成电路的通信装置。所述射频集成电路包括：多个收发器IP(知识产权)，其中，每个收发器IP包括模拟混频器和滤波器，模拟混频器被配置为对输入到其的信号执行频率调整，滤波器被配置为基于预定的(或可选地，期望的)频带对具有调整后的频率的信号执行滤波；多个寄存器，分别与所述多个收发器IP对应，其中，所述多个寄存器被配置为分别生成用于控制所述多个收发器IP的多个控制信号；存储器，被配置为以查找表的形式分别将关于所述多个寄存器的多个寄存器地址和多个寄存器数据存储在存储器中；以及处理器，被配置为：从外部组件接收与查找表有关的命令，并且基于查找表控制所述多个寄存器。

摘要： 一种射频集成电路(RFIC)包括发送电路，发送电路被配置为在发送模式下提供用于由天线发送的第一信号，所述发送电路包括线圈和至少一个模式设置电路，所述线圈被配置为耦合到所述天线，所述至少一个模式设置电路被配置为在接收模式下激活包括所述线圈的至少一部分的谐振电路。RFIC还包括接收电路，接收电路被配置为在所述接收模式下接收从所述天线接收的第二信号。提供了相关的无线通信设备和通信电路。

摘要： 本发明涉及一种射频集成电路和一种无线电发射器集成电路。所述无线电发射器集成电路包括光电二极管阵列电路、数字转换模块、发射基带处理模块、模拟转换模块、上变频模块和功率放大器电路。所述光电二极管阵列电路将所接收的光转换成电图像信号。所述数字转换模块将电图像信号转换成数字图像信号。所述发射基带处理模块将数字图像信号转换成数字发射基带或低IF信号。所述模拟转换模块、上变频模块和功率放大器电路将数字发射基带或低IF信号转换成射频信号。

摘要： 本发明提供了一种射频集成电路和无线发射器、无线接收器集成电路，射频集成电路包括：发送声音转换器电路、数字转换模块、发送基带处理模块、模拟转换模块、上变频模块、功率放大器电路、低噪音放大器电路、下变频模块、接收基带处理模块和接收声音转换器电路。上述电路和模块将发送声波转换成接收声波。无线发射器集成电路包括：发送声音转换器、数字转换模块、发送基带处理模块。无线接收器集成电路包括：数字转换模块、接收基带处理模块、模拟转换模块、和接收声音转换器电路。