存储密度

摘要： 随着二维闪存存储器的发展,虽然半导体生产工艺取得了一定的进度,但是二维闪存面临芯片面积大而存储容量小的技术问题,且二维即平面闪存存储器的质量对掩膜工艺的要求特别高,因此想要再度提高集成的密度就显得特别困难,为了解决二维闪存面临的问题以及现在大众越来越追求更低的存储器的生产成本,这时功耗低、体积小、存储容量大的三维存储器应运而生,且在目前的半导体领域取得了越来越广泛的应用,随着技术的发展越来越成熟稳定,大众对三维存储器的要求逐渐提高,从体积小、容量大为出发点希望推出高集成度的三维存储模式,生产出适合普通大众使用的存储密度大且单位面积小的三维存储器产品。

摘要： 第三方物流公司Bolloré引进一批自主移动机器人,为澳大利亚和新西兰的奢侈品零售商提供最先进的物流服务。通过提高存储密度,为员工留出空间,包裹包装满足奢侈品零售领域的高审美标准。该方案在三个月内被整合到一个正常运行的仓库中,自主移动机器人可将订单完成效率提高到每天8000单,同时超越了传统分拣方法的精确性。

摘要： 希捷与群联增强合作扩充企业级SSD产品组合希捷科技日前与全球领先NAND闪存控制芯片和存储方案供货商群联电子宣布,将扩充其下一代高性能、高密度的企业级NVMe SSD产品阵容。新的产品将通过提高存储密度、降低功耗和提高性能来帮助企业降低TCO。此外,双方还宣布已建立长期合作伙伴关系,以加强企业级SSD产品的开发周期与销售布局。自2017年开始,希捷和群联就已经在希捷主流SATA SSD产品上展开合作。

摘要： 英国牛津大学研究人员开发了一种使用光的偏振来实现最大化信息存储密度的设备。新研究使用多个偏振通道展开了并行处理,计算密度比传统电子芯片提高了几个数量级。自1958年第一块集成电路发明以来,将更多晶体管封装到特定尺寸的电子芯片中,一直是实现最大化计算密度的首选方法。然而,人工智能和机器学习需要专门的硬件突破现有计算的界限,因此电子工程领域面临的主要问题是如何将更多功能打包到单个晶体管中。

摘要： 近期,针对主流用户,美光旗下存储品牌英睿达推出了新款P 2 N V M e固态硬盘,其价格非常诱人。1T B产品在本文截稿时的售价仅669元左右,500GB产品的售价仅369元,比同级主流产品便宜了约50~100元。而且它没有采用降低成本的Q LC颗粒,而是选用了编号为“MT29F1T08EMHAFJ4-3R:B”的美光96层堆叠TLC颗粒。除了比64层堆叠闪存增加50%,存储密度更高外,96层堆叠的美光闪存还采用了带宽可达800MT/s的Toggle 3.0闪存接口,理论上能为用户提供更好的性能。主控方面,由于定位主流,所以英睿达P2采用的是来自群联的E13T无缓存型四通道主控。E13T采用28nm工艺制造,工作频率在667MHz左右,单核心设计,支持NVMe 1.3技术规范,以及APST、ASPM、L1.2三套节能机制,令SSD在移动平台上能实现更低的能耗。

摘要： 随着计算机技术的发展,数字化信息存储改变了我们的生活.信息正在以越来越快的速度产生着,但与此伴生的,是如何有效存储数据的问题.诸如磁盘、硬盘、闪存等磁学或光学等传统存储介质已经逐渐不能满足全世界范围内数据存储的需要.DNA分子凭借其稳定性、高存储密度和低维护成本,有望成为实用的新型信息存储介质.本文首先介绍了利用DNA分子进行数据存储的工作流程,继而介绍了DNA数据存储领域的研究历史和研究进展,包括存储方式、读取方式、编码方式等.为实现DNA信息存储,通过信息编码将二进制信息转换成DNA序列信息;DNA合成实现信息写入;最后通过基因测序获取序列信息,进而进行信息解码得到原始信息.而现代分子生物学技术的发展,尤其是DNA合成和测序技术的飞跃,使DNA分子大规模存储人工数据逐渐成为现实.之后,对比了DNA分子相对于传统数据存储介质的优劣,介绍了基于DNA分子的数据存储的风险与挑战,如数据安全性、信息读写的速度和成本等.最后,对DNA数据存储领域未来研究的方向进行了展望,介绍了一些与该领域具备交叉潜力的新兴生物技术领域,如"DNA条形码""DNA折纸".

摘要： 随着计算机技术的发展,数字化信息存储改变了我们的生活。信息正在以越来越快的速度产生着,但与此伴生的,是如何有效存储数据的问题。诸如磁盘、硬盘、闪存等磁学或光学等传统存储介质已经逐渐不能满足全世界范围内数据存储的需要。DNA分子凭借其稳定性、高存储密度和低维护成本,有望成为实用的新型信息存储介质。本文首先介绍了利用DNA分子进行数据存储的工作流程,继而介绍了DNA数据存储领域的研究历史和研究进展,包括存储方式、读取方式、编码方式等。为实现DNA信息存储,通过信息编码将二进制信息转换成DNA序列信息;DNA合成实现信息写入;最后通过基因测序获取序列信息,进而进行信息解码得到原始信息。而现代分子生物学技术的发展,尤其是DNA合成和测序技术的飞跃,使DNA分子大规模存储人工数据逐渐成为现实。之后,对比了DNA分子相对于传统数据存储介质的优劣,介绍了基于DNA分子的数据存储的风险与挑战,如数据安全性、信息读写的速度和成本等。最后,对DNA数据存储领域未来研究的方向进行了展望,介绍了一些与该领域具备交叉潜力的新兴生物技术领域,如“DNA条形码”“DNA折纸”。

摘要： 今年存储市场最显著的一个特点是各家都推出了新款PCIe 4.0 SSD,从三星的980 PRO到WD_BLACK的SN850,再到基于国产主控、国产闪存芯片的阿斯加特AN4等等。原因不外乎有两方面,一是从主控到闪存的硬件技术在近期都有了长足的进步,另一方面则得益于英特尔与AMD 500系主板平台的普及。两家500系主板最大的特色是可以提供对PCIe 4.0技术的支持,为用户创造了使用PCIe 4.0 SSD的条件。作为业内主要存储厂商的美光自然不能落后,他们不仅研发了新的PCIe 4.0主控,更打造出了在存储密度上领先于同级产品的176层堆叠闪存,而这两大新技术的结合所带来的就是英睿达P5 PLUS PCIe 4.0 SSD。作为美光旗下的消费级品牌,这款英睿达PCIe 4.0 SSD能为用户带来怎样的体验,相对同级其他产品表现如何?

摘要： 伪SLC如何兼顾耐用性和经济性?如今,在NAND闪存行业中,随处可见存储密度又达到新高的各种新闻。闪存早已实现了100层以上的技术,并且在短期内似乎并没有遇到瓶颈的迹象。目前的趋势是随着层数稳步提高的同时在每个单元中存储更多位元。目前的主流技术是TLC(三层单元,Triple Level Cell),每个单元存储3位元,其中的"层"指的是比特数,而不是内部状态。需要存储和读取的内部状态的数量是存储的位元数的2次方——3位就意味着需要识别8种不同的状态。目前的趋势是通过QLC技术(四层单元,每单元4位元)在相同尺寸的芯片中实现更大的存储容量。QLC具有16个状态,因此实现起来并不轻松。

摘要： 人类社会高速发展产生的海量信息使传统磁、光介质的信息存储能力受到巨大挑战。DNA因具有信息存储密度高、保存时间长等优点,有望成为新一代信息存储介质。日前,清华大学的一个研究团队通过近5年的研究探索,全化学合成了分子量达90道尔顿的大型镜像蛋白质——PfuDNA聚合酶,利用该高保真镜像聚合酶组装出千碱基长度的长链镜像DNA,并开发了基于镜像DNA的信息存储技术。

摘要： 提出了一种新的双面交替写入了光折变多重存储的记录方法.利用读出时折射率栅在记录晶体中移支的特点,把不同全息图的折射率栅置于晶体中纵向分离的位置,最大限度的利用了整个记录晶体的折射率动态范围,提高了光折变多重存储的实际存储密度双面交替写入是把最先写入的折射率栅置于记录晶体的中心,最后写出入的两面三刀析射击率栅 置之不理于记录晶体前后表面附近,能够获得均匀的衍射率

摘要： 档案信息数字化在技术利用上实现了存储密度大，技术成熟及稳定性高、记录效果好，寿命长、适用范围广、易于还原拷贝和多功能使用、具有法律凭证等作用;在功能上体现了“八能”的特色:能缩小保存空间、能保护原件、能便于长期保存、能便于文献的收集与交流、能便于提供利用、能便于信息的传递、能提高办公效率、能保护原件。

摘要： 作为现代仓储物流的重要组成部分，自动货柜的先进性与强大的功能已为越来越多的用户所认识，得到越来越多的用户的使用。自动货柜自20世纪90年代初期开始在国内应用,并在近几年得到一定的发展,该类产品的共性在于其存物时采用"货"到"人"的方式,同时与传统的设备相比可以充分利用现场的垂直空间,提高存储密度,可以大大地降低物品的存储面积,提高作业的质量和效率,并可与信息系统有效的集成,满足企业对现代化生产的需要.此类设备适合于小批量、多品种的中小件的存储及管理.

摘要： 光存储系统中,信道均衡对于测减串扰、提高信噪比等具有重要意义.传统光存储系统常采用余弦均衡、高通均衡等线性均衡方法.随着存储密度的提高,判决反馈均衡、非线性自适应均衡等得到更为广泛的应用.神经网络、小波及其子技术以及盲均衡方法等有可能成为光存储信道均衡研究的新的增长点.

摘要： 本文提出了一种新型散斑全息存储技术,它是在传统的角度复用体全息90度存储光路中加入一随机相位板使原有的参考光角度变化同时导致随机相位板被照明的位置也发生变化,利用产生的动态散斑参考光实现多重全息存储.

摘要： 本文提出了一种新型散斑全息存储技术,它是在传统的角度复用体全息90度存储光路中加入一随机相位板使原有的参考光角度变化同时导致随机相位板被照明的位置也发生变化,利用产生的动态散斑参考光实现多重全息存储.

摘要： 本文提出了一种新型散斑全息存储技术,它是在传统的角度复用体全息90度存储光路中加入一随机相位板使原有的参考光角度变化同时导致随机相位板被照明的位置也发生变化,利用产生的动态散斑参考光实现多重全息存储.

摘要： 本文提出了一种新型散斑全息存储技术,它是在传统的角度复用体全息90度存储光路中加入一随机相位板使原有的参考光角度变化同时导致随机相位板被照明的位置也发生变化,利用产生的动态散斑参考光实现多重全息存储.

摘要： 描述了一种方法。该方法包括以较低密度存储模式对多个闪速存储器芯片的多位存储单元进行编程。该方法还包括在已经对多个闪速存储器芯片的至少25％的存储容量进行编程之后，以较高密度存储模式对多个闪速存储器芯片的多位存储单元进行编程。

摘要： 本发明公开了一种提高宇航抗辐射存储器存储密度的方法及存储器，将存储单元与存储器CMOS的漏极连接，存储单元为三层结构，分别为铂电极层、氧化镍存储层及铂电极层；氧化镍存储层中的氧化镍呈多晶态；加载电场和/或磁场可以实现存储器的多态稳定存储，实现了存储态的扩展，显著提高宇航抗辐射存储器的存储密度。

摘要： 本发明公开了一种制备高存储密度多值纳米晶存储器的方法，包括：预备硅衬底；在表面形成有氧化硅的硅衬底上生长下电极金属；在下电极金属上旋涂一层光刻胶，热板烘烤，并采用掩膜对光刻胶进行曝光，然后显影，在光刻胶层形成通孔阵列，在通孔中露出光刻胶层下的下电极金属；在通孔中沉积氧化物层；在通孔中蒸发上电极金属；剥离光刻胶及光刻胶上的氧化物层和上电极金属，露出下电极金属，得到表面具有凸起阵列的器件；在凸起的上电极金属上加正电压，将下电极金属接地，在电场激励下使得在凸起的氧化物层内部形成金属纳米颗粒的链条，得到高存储密度多值纳米晶存储器。利用本发明，解决了目前制备纳米晶存储器流程复杂、不可控、成本高等问题。

摘要： 本发明公开了一种提高宇航抗辐射存储器存储密度的方法及存储器，将存储单元与存储器CMOS的漏极连接，存储单元为三层结构，分别为铂电极层、氧化镍存储层及铂电极层；氧化镍存储层中的氧化镍呈多晶态；加载电场和/或磁场可以实现存储器的多态稳定存储，实现了存储态的扩展，显著提高宇航抗辐射存储器的存储密度。

摘要： 用于数字光学信息存储系统的提高了荧光和反射性多层三维光学数据存储介质的速度、信噪比、可控性和存储密度的系统和方法，例如光学装置。该系统和方法包括用于来自移动的单层或多层或其它三维光学信息存储介质的数据通道的读取光束的光学系统，该光学系统包括至少一个光学元件，其特征在于将相关联的图像平面上的读取光束的视场(FOV)限制为第一方向上的0.3至2艾里斑直径。

摘要： 本发明公开一种基于存储空间分离处理技术的提高高速缓存存储密度方法，包括如下步骤：1)Cache块的宽度为存储在Cache中数据信息的最大位宽；2)Cache块的深度由用户自行定义；3)当要存储位宽小于Cache块宽度的数据信息时，将Cache块内一部分存储空间与其他存储空间分离处理，并与其他Cache块内相同部分存储空间进行连接，组成新的存储空间。有效提高了Cache的存储密度，减少了存储空间浪费，提高了Cache内部存储资源的利用率。

摘要： 本发明公开了一种制备高存储密度多值纳米晶存储器的方法，包括：预备硅衬底；在表面形成有氧化硅的硅衬底上生长下电极金属；在下电极金属上旋涂一层光刻胶，热板烘烤，并采用掩膜对光刻胶进行曝光，然后显影，在光刻胶层形成通孔阵列，在通孔中露出光刻胶层下的下电极金属；在通孔中沉积氧化物层；在通孔中蒸发上电极金属；剥离光刻胶及光刻胶上的氧化物层和上电极金属，露出下电极金属，得到表面具有凸起阵列的器件；在凸起的上电极金属上加正电压，将下电极金属接地，在电场激励下使得在凸起的氧化物层内部形成金属纳米颗粒的链条，得到高存储密度多值纳米晶存储器。利用本发明，解决了目前制备纳米晶存储器流程复杂、不可控、成本高等问题。

摘要： 本发明属于大规模数字集成电路技术领域，具体为一种提高相变存储器存储密度的方法及其实现电路。它通过多个存储单元共享一个选通器件(如二极管、三极管、场效应晶体管等)来减小每个存储单元平均所占的面积。针对一种特殊的存储单元布局形式，采用了“层次位线”的存储器电路体系结构设计，其中，将位线通过多级的多路选择器，最后与读出放大器和写驱动电路相连接，从而提高读写操作的可靠性，减少误操作。

摘要： 本发明公开了一种具有低功耗和高存储密度的磁性隧道结，包括自由层和势垒层，自由层和势垒层之间生成界面，并通过刻蚀处理界面的边缘形成环状缺陷结构。该结构在自由层和势垒层界面处具有环状缺陷结构，环状缺陷结构的界面诱导垂直各向异性较低，从而使自由层整体垂直各向异性能下降，同时在磁性隧道结边缘处形成面内磁化方向，有利于降低临界翻转电流，并且提高磁翻转速度、存储密度和运行速度，同时降低功耗。

摘要： 本发明公开了一种高存储密度的多状态ROM电路，包括内部存储器、ROM、控制处理器、总线、主机接口、缓冲存储器和存储器接口，所述内部存储器通过总线进行通信，所述ROM通过总线进行通信，所述控制处理器通过总线进行通信，所述主机接口通过总线进行通信，所述缓冲存储器通过总线进行通信，所述存储器接口通过总线进行通信；所述ROM包括第一ROM存储单元、第二ROM存储单元、第三ROM存储单元和第四ROM存储单元，所述第一ROM存储单元、第二ROM存储单元、第三ROM存储单元和第四ROM存储单元均为单独的存储单元。本发明，为ROM存储单元的多值存储提供了一种解决方案，使ROM存储器具有高存储密度的特点。