TFT

摘要： 在TFT制程中,曝光工艺直接影响到薄膜的最终图案质量.为了分析与解决曝光色差问题,需对面板的点灯现象与制备工艺进行调查与研究.首先,通过扫描电子显微镜分析、错位曝光试验、数据分析等方法进行不良原因调查.同时,借助开源软件GIMP和Fiji进行图像处理得到面板灰度数据,对色差程度进行定量评价.然后,通过调整曝光设备照度均一性与管控最优生产路径,曝光色差发生率从10％以上降至1％以内,有效改善面板显示品质.最后,结合Ex-pertLCD光学模拟数据与电容耦合效应分析,进一步阐述曝光色差的形成机理.研究发现,像素电极临界尺寸应管控在一定范围并且需保证较好的均一性,像素电极临界尺寸过小、过大都会使曝光色差更易显现.同时,各导电层的临界尺寸也需保证较好的均一性,以减小耦合电容对显示的影响.

摘要： 在经济学视野下,行刑衔接是一种双方互动的关系,必须解决二者间的协调与合作问题,以实现整体利益最大化.基于"智猪博弈"模型,应当充分考虑利用激励措施以促进行政机关对于涉罪案件的移送.按照"成本-收益"的决策思维,公安机关应当承担主观方面的事实证明责任.从供需法则的角度来看,适当降低行政机关移送涉罪案件的证明标准能够更好地衔接刑事司法.对于行刑衔接互动之间存在的信息不对称问题,应强化检察机关作为第三方主体的监督职能.

摘要： 基于TFT投影技术的抬头显示器随着视野范围和投影距离的增大,给用户带来了更好的用户体验和驾驶安全性,但随着光学放大率的增大,当TFT工作时要承受更大的背光热量和太阳负载,TFT因温度过高无法工作的问题越来越凸显.为了降低TFT工作时因温度过高无法正常工作的问题,提出了给TFT导热、增大背光散热面积降低TFT温度两种被动散热方法,同时研究了常温和50°C时无对流、有无太阳光照射等不同条件,通过3D建模与热仿真工具得到TFT的最高温度,并制作样品进行了测试.仿真结果与实际最大相差4.7°C,仿真结果准确.给TFT导热方案可降温2.5～4°C,环境温度越低效果越好.增大背光散热面积对降低TFT温度影响不显著,高温下降温幅度为1°C和2.25°C,但对散热器本身温度有明显改善,常温可降14.25°C,高温变化9.9°C.

摘要： 基于薄膜晶体管的专利研究已然成为全球研究热点,阐述薄膜晶体管的全球专利技术申请状况,涉及专利申请量布局、申请人统计分析,以及专利申请的地区分布.

摘要： 本文在现有资源基础上从AOI检测原理出发,结合量产检测的实际情况,分析在线产品的灰阶特性的影响因素发现Mask Defect检出率低的主要原因有以下三点:一是正常产品刻蚀后再做PHT图形,无衬底,开口区透光性高,很多Defect特征减弱,隐藏于信号噪声中;二是多道Mask图形叠加后,TFT图形复杂,灰阶图上信号噪音的区域会变宽,当算法进行降噪滤波处理时容易将真实缺陷过滤;三是AOI 3um检测的图形清晰度不够,导致较多缺陷未被识别出来而造成漏检.由此,针对Mask Defect检测在量产监控中存在的问题,提出了SiO衬底,单层曝光,1um AOI精度检测.该方案大大提升了Mask Defect的在线检出率,对Mask的日常监控管理具有重大意义.

摘要： 当前TFT-LCD事业飞速发展,产品质量作为企业的灵魂,关乎企业的核心竞争力。本文以8.5G TFT产线为例,将DOE方法应用在产品质量检测设备的参数优化实验设计中,希望对企业生产提供有力帮助。Mura一词源于日本,在平板显示领域中,已将Mura作为用来表示显示器一种典型显示缺陷的一个专业术语。当前TFT-LCD各企业中,通常将Mura检测设备用于宏观不良的检查及判定。

摘要： 显示面板设计具有独有的设计流程和设计方法学。团队开发的显示面板设计全流程解决方案,从显示面板电路图设计到版图设计,从SPICE建模到SPICE电路仿真,从版图寄生RC参数提取到后仿真,从电路IR-drop分析到热分析,从版图设计规则检查(DRC)、电学规则检查(ERC)、版图电路一致性检查(LVS)最后到掩膜版分析,实现了显示面板的完整设计。同时,在OLED、氧化物半导体薄膜晶体管、异形面板、触摸屏等先进工艺及技术方面开发了全球领先的EDA工具,使客户在显示面板设计技术方面走在了世界前列,为国内显示面板产业赶超国际先进水平提供了强有力的EDA平台支撑。

摘要： 2017年5月,三利谱(002876.SZ)在中小板上市,主要从事偏光片产品的研发、生产和销售,主要产品包括TFT系列和黑白系列偏光片两类.据披露,三利谱抓住中国液晶显示产业快速发展的良好机遇,收入规模持续增长.因产能不足在获取大额订单方面受到束缚,于是通过IPO募集资金3.82亿元,拟投入到深圳龙岗宽幅偏光片生产线建设项目——年产量1000平方米TFT偏光片。

摘要： Q一辆比亚迪E5纯电动车,行驶里程1400km,最近出现不能行驶的故障。该车启动初始能上电,仪表盘上"OK"指示灯变绿,并且出现"已启动,可挂挡行驶"的提示,车辆可以启动和行驶。约行驶1min后,OK指示灯突然熄灭,车辆自动停驶,这时仪表盘上有"请检查动力系统"的提示。

摘要： TFT液晶面板朝向大尺寸LCD TV快速发展,One Drop Filling(ODF)液晶滴注制程已经成为主流技术.ODF框胶材料须具备高度耐久性、信赖性、固化精度及制程操作安定性,由于制程的需要,ODF框胶在未固化前就会和液晶接触,因此降低框胶对于液晶的污染也是开发此项材料的关键.本文介绍可用于ODF框胶材料的低聚物、单体与光引发剂,针对ODF框胶特性和规格要求,例如光放热反应、液晶污染性、材料特性及长兴目前的研究成果做介绍.

摘要： TFT液晶面板朝向大尺寸LCD TV快速发展,One Drop Filling(ODF)液晶滴注制程已经成为主流技术.ODF框胶材料须具备高度耐久性、信赖性、固化精度及制程操作安定性,由于制程的需要,ODF框胶在未固化前就会和液晶接触,因此降低框胶对于液晶的污染也是开发此项材料的关键.本文介绍可用于ODF框胶材料的低聚物、单体与光引发剂,针对ODF框胶特性和规格要求,例如光放热反应、液晶污染性、材料特性及长兴目前的研究成果做介绍.

摘要： TFT液晶面板朝向大尺寸LCD TV快速发展,One Drop Filling(ODF)液晶滴注制程已经成为主流技术.ODF框胶材料须具备高度耐久性、信赖性、固化精度及制程操作安定性,由于制程的需要,ODF框胶在未固化前就会和液晶接触,因此降低框胶对于液晶的污染也是开发此项材料的关键.本文介绍可用于ODF框胶材料的低聚物、单体与光引发剂,针对ODF框胶特性和规格要求,例如光放热反应、液晶污染性、材料特性及长兴目前的研究成果做介绍.

摘要： TFT液晶面板朝向大尺寸LCD TV快速发展,One Drop Filling(ODF)液晶滴注制程已经成为主流技术.ODF框胶材料须具备高度耐久性、信赖性、固化精度及制程操作安定性,由于制程的需要,ODF框胶在未固化前就会和液晶接触,因此降低框胶对于液晶的污染也是开发此项材料的关键.本文介绍可用于ODF框胶材料的低聚物、单体与光引发剂,针对ODF框胶特性和规格要求,例如光放热反应、液晶污染性、材料特性及长兴目前的研究成果做介绍.

摘要： TFT液晶面板朝向大尺寸LCD TV快速发展,One Drop Filling(ODF)液晶滴注制程已经成为主流技术.ODF框胶材料须具备高度耐久性、信赖性、固化精度及制程操作安定性,由于制程的需要,ODF框胶在未固化前就会和液晶接触,因此降低框胶对于液晶的污染也是开发此项材料的关键.本文介绍可用于ODF框胶材料的低聚物、单体与光引发剂,针对ODF框胶特性和规格要求,例如光放热反应、液晶污染性、材料特性及长兴目前的研究成果做介绍.

摘要： TFT液晶面板朝向大尺寸LCD TV快速发展,One Drop Filling(ODF)液晶滴注制程已经成为主流技术.ODF框胶材料须具备高度耐久性、信赖性、固化精度及制程操作安定性,由于制程的需要,ODF框胶在未固化前就会和液晶接触,因此降低框胶对于液晶的污染也是开发此项材料的关键.本文介绍可用于ODF框胶材料的低聚物、单体与光引发剂,针对ODF框胶特性和规格要求,例如光放热反应、液晶污染性、材料特性及长兴目前的研究成果做介绍.

摘要： TFT液晶面板朝向大尺寸LCD TV快速发展,One Drop Filling(ODF)液晶滴注制程已经成为主流技术.ODF框胶材料须具备高度耐久性、信赖性、固化精度及制程操作安定性,由于制程的需要,ODF框胶在未固化前就会和液晶接触,因此降低框胶对于液晶的污染也是开发此项材料的关键.本文介绍可用于ODF框胶材料的低聚物、单体与光引发剂,针对ODF框胶特性和规格要求,例如光放热反应、液晶污染性、材料特性及长兴目前的研究成果做介绍.

摘要： TFT液晶面板朝向大尺寸LCD TV快速发展,One Drop Filling(ODF)液晶滴注制程已经成为主流技术.ODF框胶材料须具备高度耐久性、信赖性、固化精度及制程操作安定性,由于制程的需要,ODF框胶在未固化前就会和液晶接触,因此降低框胶对于液晶的污染也是开发此项材料的关键.本文介绍可用于ODF框胶材料的低聚物、单体与光引发剂,针对ODF框胶特性和规格要求,例如光放热反应、液晶污染性、材料特性及长兴目前的研究成果做介绍.

摘要： TFT基板(105)具备：包含多个天线单位区域(U)的发送接收区域(R1)；以及位于发送接收区域以外的区域的非发送接收区域(R2)。多个天线单位区域各自具有TFT(10)和电连接到TFT的漏极电极(7D)的贴片电极(3PE)。TFT基板具有：源极金属层(7)，其包含TFT的源极电极(7S)、漏极电极以及源极总线(SL)；栅极金属层(3)，其形成在源极金属层上，包含TFT的栅极电极(3G)和栅极总线(GL)；栅极绝缘层(4)，其形成在源极金属层与栅极金属层之间；层间绝缘层(11)，其形成在栅极金属层上；以及导电层(19)，其形成在层间绝缘层上。贴片电极包含于栅极金属层。

摘要： TFT基板(105)具有电介质基板(1)和在电介质基板上排列的多个天线单位区域(U)，多个天线单位区域各自具有TFT(10)和连接到TFT的漏极电极(7D)的贴片电极(7PE)。TFT基板具有：源极金属层(7)，其支撑于电介质基板，包含TFT的源极电极(7S)、漏极电极、连接到源极电极的源极总线(SL)、以及贴片电极；栅极金属层(3)，其形成在源极金属层上，包含TFT的栅极电极(3G)和连接到栅极电极的栅极总线(GL)；栅极绝缘层(4)，其形成在源极金属层与栅极金属层之间；以及层间绝缘层(11)，其形成在栅极金属层上。

摘要： TFT基板(105A)具有电介质基板(1)和在电介质基板上排列的多个天线单位区域(U)。多个天线单位区域各自具有TFT(10)和电连接到TFT的漏极电极(7D)的贴片电极(7PE)。TFT基板具有：源极金属层(7)，其包含TFT的源极电极(7S)、漏极电极、连接到源极电极的源极总线(SL)、以及贴片电极；栅极金属层(3)，其形成在源极金属层上，包含TFT的栅极电极(3G)和连接到栅极电极的栅极总线(GL)；栅极绝缘层(4)，其形成在源极金属层与栅极金属层；以及导电层(19)，其形成在栅极金属层上，在栅极金属层与导电层之间不具有绝缘层。

摘要： TFT基板(106)具备：发送接收区域(R1)，其包含多个天线单位区域(U)；以及非发送接收区域(R2)，其位于发送接收区域以外的区域。多个天线单位区域各自具有TFT(10)和电连接到TFT的漏极电极(7D)的贴片电极(15)。TFT基板具有：栅极金属层(3)，其包含TFT的栅极电极(3G)；栅极绝缘层(4)；源极金属层(7)，其包含TFT的源极电极(7S)和漏极电极；第1绝缘层(11)；贴片金属层(15l)，其包含贴片电极；第2绝缘层(17)；以及上部导电层(19)，上部导电层包含与贴片电极和漏极电极电连接的贴片漏极连接部(19a)。

摘要： 提供在能够抑制扫描天线的天线性能的下降的同时，使扫描天线的成本降低的TFT基板、具备TFT基板的扫描天线、及TFT基板的制造方法。TFT基板(101)具有电介质基板(1)、和在电介质基板(1)上排列的多个天线单元区域(U)。多个天线单元区域(U)的各个天线单元区域具有TFT(10)、和电连接到TFT(10)的漏极电极(7D)的贴片电极(15)。贴片电极(15)包含：第一电极层(15a)，其由与TFT(10)的栅极电极(3G)相同的导电膜形成；和第二电极层(15b)，其由与TFT(10)的源极电极(7S)相同的导电膜形成。

摘要： TFT基板(105)的源极端子部(ST)具有包含于栅极金属层(3)的源极端子用下部连接部(3sA)和包含于导电层(19)的源极端子用上部连接部(19sA)。源极栅极连接部(SG)具有：源极下部连接配线(3sg)，其包含于栅极金属层，连接到源极端子用下部连接部；源极总线连接部(7sg)，其包含于源极金属层(7)，连接到源极总线(SL)；以及源极上部连接部(19sg)，其包含于导电层，源极上部连接部在形成于栅极绝缘层(4)的第3开口部(4sg1)内与源极下部连接配线接触，在形成于层间绝缘层(11)的第5开口部(11sg2)内与源极总线连接部接触。

摘要： TFT基板(105)具有：栅极金属层(3)，其包含TFT(10)的栅极电极(3G)和贴片电极(3PE)；栅极绝缘层(4)，其形成于栅极金属层上，具有到达贴片电极的第1开口部(4a)；源极金属层(7)，其形成于栅极绝缘层上，包含TFT的源极电极(7S)、漏极电极(7D)以及从漏极电极延伸设置的漏极延设部(7de)；层间绝缘层(11)，其形成于源极金属层上，具有在从电介质基板(1)的法线方向观看时与第1开口部重叠的第2开口部(11a)和到达漏极延设部的第3开口部(11b)；以及导电层(19)，其形成于层间绝缘层上，包含贴片漏极连接部(19a)。贴片漏极连接部在第1开口部内与贴片电极接触，在第3开口部内与漏极延设部接触。

摘要： TFT基板(105)是具有电介质基板(1)、排列在电介质基板上的多个天线单位区域(U)的TFT基板，该TFT基板(105)包含发送接收区域(R1)和位于发送接收区域以外的区域的非发送接收区域(R2)，其中发送接收区域(R1)包含多个天线单位区域。多个天线单位区域的每一个具备：TFT(10)，其被电介质基板支撑，且包含栅极电极(3)、半导体层(5)、形成于栅极电极与半导体层之间的栅极绝缘层(4)、与半导体层电连接的源极电极(7S)及漏极电极(7D)、以及贴片电极(3PE)，所述贴片电极(3PE)与TFT的漏极电极电连接，贴片电极由与栅极电极相同的导电膜形成。

摘要： TFT基板(107)包含TFT与电连接于TFT的贴片电极(15)，且包括栅极金属层、栅极绝缘层(4)、源极金属层、第一绝缘层(11)及包含贴片电极(15)的贴片金属层，栅极金属层包含配置于非收发区域(R2)的多条栅极连接布线(3sg)，各源极总线SL经由导电体部而与多条栅极连接布线中的一条栅极连接布线电连接，导电体部在设置于栅极绝缘层及第一绝缘层的第二开口部(12sg(2))内与栅极连接布线接触，且在设置于第一绝缘层的第一开口部(12sg(1))内与源极总线SL接触，贴片金属层还包含位于第一开口部内及/或第二开口部内的第一贴片连接部(15sg)，第一贴片连接部(15sg)包含导电体部，或配置在导电体部上。

摘要： TFT基板(107)具备TFT(10)、形成在贴片金属层内的贴片电极(15)、以及形成在栅极金属层内的栅极连接布线(3sg)，贴片金属层具有：第一部分，其具有包含高熔点金属的下部金属层(M1)和包含Cu、Al或Ag的上部金属层(M2)的层叠结构；和第二部分，其包含下部金属层且不包含上部金属层，第一部分包含贴片电极(15)，第二部分包含将源极总线(SL)与栅极连接布线(3sg)电连接的第一贴片连接部(15sg)，第一贴片连接部(15sg)在设置于第一绝缘层的第一开口部(12sg(1))内与源极总线接触，且在设置于栅极绝缘层及第一绝缘层的第二开口部(12sg(2))内与栅极连接布线(3sg)接触。