S波段

摘要： 针对微波加热、微波化学、微波功率合成等领域对S波段磁控管性能提升的需求,开展了基于阳极恒流供电提高磁控管输出特性的研究,实现对磁控管输出信号质量的改善。基于磁控管频率推移效应与注入锁定理论,实现了对磁控管注入锁频性能的提升。通过对磁控管阳极电流纹波的抑制,磁控管自由振荡频率范围减少了30%,功率波动由5.5%降低至2.8%。在注入锁定磁控管实验中,当注入比为0.05时,磁控管相位抖动降低了39%。磁控管阳极电流恒流技术是提高S波段磁控管输出特性的新思路。

摘要： 采用总栅宽36 mm的0.5 um工艺GaN HEMT功率管芯,通过合理选择目标阻抗、优化匹配网络,设计了一款包含扼流电路的S波段小型化内匹配功率管。在+48 V、-3.1 V工作电压下,2.7~3.4 GHz内,功率管输出功率≥250 W,功率增益≥12 dB,功率附加效率≥60%,尺寸仅为15 mm×6.6 mm×1.5 mm,重量仅为0.6 g,显示出卓越的性能,具有广泛的工程应用前景。

摘要： 为突破能源互联网应用中微波功率对工业应用规模和无线通信距离的限制,开展了基于S波段20 kW磁控管推移特性的两路连续波磁控管功率合成系统实验研究。从理论上分析了20 kW磁控管频率推移特性的功率合成系统的可行性和高效合成条件,从实验中完整表征20 kW磁控管的推移特性,并通过该特性成功实现了双管功率合成。测试结果表明,基于20 kW磁控管频率推移特性的功率合成系统两路合成输出功率为34.0 kW,合成效率为92.3%,合成之后的频率谱有一定改善,为磁控管在能源互联网领域的应用起到了重大推动作用。

摘要： 为了更好地满足无线通信系统对微波电路双频/多频段的需求,基于微带-槽线双层结构设计了一款应用于S波段的双频滤波功分器。首先,在单个半波长微带谐振器基础上,利用枝节加载技术设计一款双模谐振器,实现双频带通滤波器设计,并将该滤波器与Wilkinson功分器进行集成,实现双频滤波功分器设计;其次,利用微带线和槽线的对偶关系,在不增加电路尺寸的基础上,引入双模槽线谐振器与微带谐振器进行垂直级联,从而展宽滤波功分器的两个通带带宽;最后利用枝节加载技术优化馈电网络。由于双模微带-槽线谐振器和馈电网络自身的特性,在每个通带的两侧分别产生一个传输零点,实现较高的带外选择性,且每个传输零点单独可控。双频滤波功分器的两个通带中心频率分别工作于2.17 GHz和3.55 GHz,相对带宽分别为8.29%(2.08~2.26 GHz)和8.15%(3.41~3.7 GHz)。仿真结果和实测结果基本吻合。

摘要： 该文研制了一款频率3.4 GHz的S波段声表面波(SAW)滤波器。该滤波器采用一种由新型谐振器构成的阻抗元结构,能提升抗热释电静电损伤能力,用时可在一定程度上提升器件的功率承受能力。同时研制了尺寸为2.0 mm×1.6 mm的芯片级封装(CSP)基板。采用倒装焊工艺实现了芯片与CSP基板的电连接,降低了电磁寄生影响。结果表明,研制的SAW滤波器频率为3.408 GHz,插损为2.23 dB,8 GHz远端阻带大于30 dB,且实测的功率承受能力达到30 dBm。

摘要： 传统的磁控管注入锁定系统利用波导环行器隔离注入信号源和磁控管来实现高精度外部信号的注入,完成磁控管输出的控制。波导环行器及其配套的水负载和波导同轴转换器极大地提高了系统的成本和尺寸。针对上述问题,基于磁控管灯丝结构提出了一种新型注入锁定方式,通过对磁控管滤波盒的改造成功实现了无波导环行器下的注入锁定。该方法有效实现了注入锁定系统的小型化,为磁控管注入锁定的实现提供了新思路。

摘要： 采用高流通率电子光学技术、高效率高频系统设计技术等关键技术实现了S波段10 MW量级多注速调管的设计和研制。由于该速调管主要通过永磁聚焦的多注方案设计实现了高峰值功率速调管的小型化设计,增加了速调管的实用性和灵活性。设计结果可以指导其它同类型的S波段峰值功率多注速调管的设计。

摘要： 设计了一种基于直接模拟频率合成与DDS技术相结合的S波段捷变频频率合成器,该合成器具有低相位噪声、低杂散、高集成度的性能优点.介绍了该频率合成器的设计思路,并给出了相关实物测试结果.通过相关电路设计,可使其在S波段实现输出信号的频率、功率可调,能满足多方面应用需求.

摘要： 本文设计了一种工作在S波段的16通道射频接收模块,对其设计原理进行分析,并根据系统动态范围等指标要求合理设计接收通道各级电路增益及优化射频前端各个关键器件指标.噪声系数、增益、杂散抑制、通道隔离度等各项指标良好,满足设计指标要求.本文设计的模块中,混频放大SIP采用多层高温共烧陶瓷埋线工艺,金属化陶瓷外壳及植球阵列(BGA)封装,其内部各通道间采用金属屏蔽分腔设计,将四路S波段混频放大通道集成设计在一个SIP中.该接收模块集成度较高,相比同频段具有相同功能的接收模块,该接收模块尺寸减小较多,整个16通道射频接收模块尺寸为255mm×95mm,重280g.极大的降低了接收组件在雷达系统中的重量占比.

摘要： 为实现高功率微波(HPM)系统的小型化,设计一个S波段较低磁场相对论返波管(RBWO)振荡器。针对低磁场特点,分析慢波结构、引导磁场、束压、束流等对输出微波的影响,通过模拟软件(PIC)优化结构。以此设计引导磁场为0.24 T,电子束束压为725 kV,束流为6 kA,频率为3.53 GHz,输出微波功率为1.22 GW,束波转换效率为27%的低磁场S波段相对论返波管。仿真实验结果表明:在强流电子束加速器平台上外加磁场为0.24 T时,得到平均功率1 GW、频率3.58 GHz、脉宽90 ns的微波输出,与理论值一致。进行了重频为1 Hz,20 s的稳定性实验,该实验结果为实现相对论返波管的永磁包装奠定了良好的基础。

摘要： Morse-3型S波段测波雷达是一种用于探测近距离海洋动力学参数的高精度S波段多普勒测波雷达,全景观测仅3min,可探测空间非平稳场和流场.为了客观评价Morse-3型S波段测波雷达试验数据的有效性和实际观测效果,在遮浪岛附近以MKⅢ型波浪骑士浮标作为比对仪器进行试验.比对参数包括有效波波高、平均波高、最大波高和1/10大波波高以及对应波高的波周期.比对结果显示,有效波波高误差介于(-0.2-0.2)m的概率为35.40％,误差介于(-0.5-0.5)m的概率为80.54％;所有参数的测量结果均略高于比对仪器的测量结果,但比对结果的相关性较好.

摘要： Morse-3型S波段测波雷达是一种用于探测近距离海洋动力学参数的高精度S波段多普勒测波雷达,全景观测仅3min,可探测空间非平稳场和流场.为了客观评价Morse-3型S波段测波雷达试验数据的有效性和实际观测效果,在遮浪岛附近以MKⅢ型波浪骑士浮标作为比对仪器进行试验.比对参数包括有效波波高、平均波高、最大波高和1/10大波波高以及对应波高的波周期.比对结果显示,有效波波高误差介于(-0.2-0.2)m的概率为35.40％,误差介于(-0.5-0.5)m的概率为80.54％;所有参数的测量结果均略高于比对仪器的测量结果,但比对结果的相关性较好.

摘要： Morse-3型S波段测波雷达是一种用于探测近距离海洋动力学参数的高精度S波段多普勒测波雷达,全景观测仅3min,可探测空间非平稳场和流场.为了客观评价Morse-3型S波段测波雷达试验数据的有效性和实际观测效果,在遮浪岛附近以MKⅢ型波浪骑士浮标作为比对仪器进行试验.比对参数包括有效波波高、平均波高、最大波高和1/10大波波高以及对应波高的波周期.比对结果显示,有效波波高误差介于(-0.2-0.2)m的概率为35.40％,误差介于(-0.5-0.5)m的概率为80.54％;所有参数的测量结果均略高于比对仪器的测量结果,但比对结果的相关性较好.

摘要： Morse-3型S波段测波雷达是一种用于探测近距离海洋动力学参数的高精度S波段多普勒测波雷达,全景观测仅3min,可探测空间非平稳场和流场.为了客观评价Morse-3型S波段测波雷达试验数据的有效性和实际观测效果,在遮浪岛附近以MKⅢ型波浪骑士浮标作为比对仪器进行试验.比对参数包括有效波波高、平均波高、最大波高和1/10大波波高以及对应波高的波周期.比对结果显示,有效波波高误差介于(-0.2-0.2)m的概率为35.40％,误差介于(-0.5-0.5)m的概率为80.54％;所有参数的测量结果均略高于比对仪器的测量结果,但比对结果的相关性较好.

摘要： Morse-3型S波段测波雷达是一种用于探测近距离海洋动力学参数的高精度S波段多普勒测波雷达,全景观测仅3min,可探测空间非平稳场和流场.为了客观评价Morse-3型S波段测波雷达试验数据的有效性和实际观测效果,在遮浪岛附近以MKⅢ型波浪骑士浮标作为比对仪器进行试验.比对参数包括有效波波高、平均波高、最大波高和1/10大波波高以及对应波高的波周期.比对结果显示,有效波波高误差介于(-0.2-0.2)m的概率为35.40％,误差介于(-0.5-0.5)m的概率为80.54％;所有参数的测量结果均略高于比对仪器的测量结果,但比对结果的相关性较好.

摘要： 采用0.18μm Si RFCMOS工艺设计了应用于S波段数字阵列模块(DAM)的高集成度射频发射前端芯片.整个射频发射前端包括单端转差分低噪声放大器、混频器、可变增益放大器、差分转单端驱动和功率放大器.后仿真结果表明,在3.3V电源电压下,射频输出在2.4～3.6GHz频带内电压增益为17～19.5dB,单个频点在-55～85°C范围内的增益起伏仅为±0.5dB,输出1dB压缩点为10dBm,中频和本振端口到射频端口的隔离度均＞30dBc,端口电压驻波比在频带内均小于1.8,工作电流为110mA,芯片面积2.45×1.7mm2.

摘要： 采用0.18μm Si RFCMOS工艺设计了应用于S波段数字阵列模块(DAM)的高集成度射频发射前端芯片.整个射频发射前端包括单端转差分低噪声放大器、混频器、可变增益放大器、差分转单端驱动和功率放大器.后仿真结果表明,在3.3V电源电压下,射频输出在2.4～3.6GHz频带内电压增益为17～19.5dB,单个频点在-55～85°C范围内的增益起伏仅为±0.5dB,输出1dB压缩点为10dBm,中频和本振端口到射频端口的隔离度均＞30dBc,端口电压驻波比在频带内均小于1.8,工作电流为110mA,芯片面积2.45×1.7mm2.

摘要： 采用0.18μm Si RFCMOS工艺设计了应用于S波段数字阵列模块(DAM)的高集成度射频发射前端芯片.整个射频发射前端包括单端转差分低噪声放大器、混频器、可变增益放大器、差分转单端驱动和功率放大器.后仿真结果表明,在3.3V电源电压下,射频输出在2.4～3.6GHz频带内电压增益为17～19.5dB,单个频点在-55～85°C范围内的增益起伏仅为±0.5dB,输出1dB压缩点为10dBm,中频和本振端口到射频端口的隔离度均＞30dBc,端口电压驻波比在频带内均小于1.8,工作电流为110mA,芯片面积2.45×1.7mm2.

摘要： 采用0.18μm Si RFCMOS工艺设计了应用于S波段数字阵列模块(DAM)的高集成度射频发射前端芯片.整个射频发射前端包括单端转差分低噪声放大器、混频器、可变增益放大器、差分转单端驱动和功率放大器.后仿真结果表明,在3.3V电源电压下,射频输出在2.4～3.6GHz频带内电压增益为17～19.5dB,单个频点在-55～85°C范围内的增益起伏仅为±0.5dB,输出1dB压缩点为10dBm,中频和本振端口到射频端口的隔离度均＞30dBc,端口电压驻波比在频带内均小于1.8,工作电流为110mA,芯片面积2.45×1.7mm2.

摘要： 采用0.18μm Si RFCMOS工艺设计了应用于S波段数字阵列模块(DAM)的高集成度射频发射前端芯片.整个射频发射前端包括单端转差分低噪声放大器、混频器、可变增益放大器、差分转单端驱动和功率放大器.后仿真结果表明,在3.3V电源电压下,射频输出在2.4～3.6GHz频带内电压增益为17～19.5dB,单个频点在-55～85°C范围内的增益起伏仅为±0.5dB,输出1dB压缩点为10dBm,中频和本振端口到射频端口的隔离度均＞30dBc,端口电压驻波比在频带内均小于1.8,工作电流为110mA,芯片面积2.45×1.7mm2.

摘要： 本发明公开了一种C波段和L波段EON中L波段光放大器放置方法及系统，该方法包括以下步骤：S1、在所有已部署C波段放大器的网络链路上，假设将L波段放大器放在与C波段放大器相同的放大器站点上，记为联合放置；S2、选择一条网络链路，假设在选择的网络链路中用L波段放大器与C波段放大器独立放置替换原来的联合放置，并计算所有网络链路在L波段使用的相应频隙数；遍历所有网络链路，选择相应频隙数最少的网络链路用L波段放大器与C波段放大器独立放置替换原来的联合放置。本发明C波段和L波段EON中L波段光放大器放置方法及系统可以实现C波段和L波段EON中L波段光放大器的最优放置，最大限度地提高频谱资源利用率。

摘要： 本发明公开了一种S波段、C波段、L波段的掺铒光纤放大器，包括输入输出模块、开关控制模块、S波段放大模块、C波段放大模块、L波段放大模块；所述输入输出模块，分别与所述开关控制模块、S波段放大模块、C波段放大模块、L波段放大模块连接，用于对S波段放大模块、C波段放大模块、L波段放大模块的光信号进行输入和输出；所述开关控制模块，分别与所述S波段放大模块、C波段放大模块、L波段放大模块连接，用于控制S波段放大模块、C波段放大模块、L波段放大模块光路的通断；所述S波段放大模块，用于对S波段进行光放大；所述C波段放大模块，用于对C波段进行光放大；所述L波段放大模块，用于对L波段进行光放大。

摘要： 一种集成S波段C波段和Ka波段天线，涉及特种天线领域；包括微带天线印制板、Ka波段天线金属体、射频连接器、第一K型连接器、第二K型连接器、S波段天线辐射贴片、C波段天线辐射贴片、Ka波段接收天线波导、Ka波段发射天线波导；将Ka波段接收天线和Ka波段发射天线设计为共金属结构的波导天线；S波段天线和C波段天线选用同一种介质基板材料；将Ka波段接收天线和Ka波段发射天线金属结构作为S波段天线和C波段天线的金属基座；并选用K型连接器作为Ka波段接收天线和Ka波段天线的射频连接器。该天线能够实现高效率的辐射方向图性能，并可以实现遥测、外测和安控通信功能。可以实现四种功能的集成，实现不同天线的集成化设计。

摘要： 本发明公开了一种C波段和L波段EON中L波段光放大器放置方法及系统，该方法包括以下步骤：S1、在所有已部署C波段放大器的网络链路上，假设将L波段放大器放在与C波段放大器相同的放大器站点上，记为联合放置；S2、选择一条网络链路，假设在选择的网络链路中用L波段放大器与C波段放大器独立放置替换原来的联合放置，并计算所有网络链路在L波段使用的相应频隙数；遍历所有网络链路，选择相应频隙数最少的网络链路用L波段放大器与C波段放大器独立放置替换原来的联合放置。本发明C波段和L波段EON中L波段光放大器放置方法及系统可以实现C波段和L波段EON中L波段光放大器的最优放置，最大限度地提高频谱资源利用率。

摘要： 本发明公开了一种S波段、C波段、L波段的掺铒光纤放大器，包括输入输出模块、开关控制模块、S波段放大模块、C波段放大模块、L波段放大模块；所述输入输出模块，分别与所述开关控制模块、S波段放大模块、C波段放大模块、L波段放大模块连接，用于对S波段放大模块、C波段放大模块、L波段放大模块的光信号进行输入和输出；所述开关控制模块，分别与所述S波段放大模块、C波段放大模块、L波段放大模块连接，用于控制S波段放大模块、C波段放大模块、L波段放大模块光路的通断；所述S波段放大模块，用于对S波段进行光放大；所述C波段放大模块，用于对C波段进行光放大；所述L波段放大模块，用于对L波段进行光放大。

摘要： 一种集成S波段C波段和Ka波段天线，涉及特种天线领域；包括微带天线印制板、Ka波段天线金属体、射频连接器、第一K型连接器、第二K型连接器、S波段天线辐射贴片、C波段天线辐射贴片、Ka波段接收天线波导、Ka波段发射天线波导；将Ka波段接收天线和Ka波段发射天线设计为共金属结构的波导天线；S波段天线和C波段天线选用同一种介质基板材料；将Ka波段接收天线和Ka波段发射天线金属结构作为S波段天线和C波段天线的金属基座；并选用K型连接器作为Ka波段接收天线和Ka波段天线的射频连接器。该天线能够实现高效率的辐射方向图性能，并可以实现遥测、外测和安控通信功能。可以实现四种功能的集成，实现不同天线的集成化设计。

摘要： 本发明公开了一种用于C波段和L波段同时放大的双芯掺铒光纤，涉及掺铒光纤技术领域，包括第一纤芯、第二纤芯、外包层；用于放大C波段的第一纤芯的掺铒浓度与用于放大L波段的第二纤芯的掺铒浓度不同；所述的外包层包裹在第一纤芯和第二纤芯的外层；第一纤芯、第二纤芯构成单模双芯光纤结构；本发明通过不同掺铒浓度的第一纤芯和第二纤芯，实现C波段和L波段的信号光在同一根掺铒光纤中放大。

摘要： 一种可见‑红外兼容的多波段伪装系统，包括主控器、以及分别与主控器连接的可见光伪装单元和红外伪装单元；可见光伪装单元包括用于采集环境图像信息的环境图像监测组件和用于显示图像颜色的图像显示组件；红外伪装单元包括用于采集环境温度信息的温度检测组件和用于改变温度的温度调节组件；主控器主要包括分别存储环境图像信息和环境温度信息的存储模块，以及处理环境图像信息的图像处理模块和处理环境温度信息的温度处理模块。本发明还公开了装设该系统的一种多波段伪装车。本发明既能实时改变伪装体颜色以响应环境的变化，又能实时改变伪装体红外特征以响应环境的变化，达到与环境背景的视觉效果、温度特征高度融合。

摘要： 本发明涉及一种基于波段注意力机制的高光谱图像特征波段选择方法，包括步骤：高光谱图像数据集采集与预处理；利用注意力模块提取原始高光谱图像的光谱特征信息，生成包含波段注意力信息的光谱数据块；将包含波段注意力信息的数据块输入基于三维残差网络的神经网络进行预测分析。本发明的有益效果是：本发明利用波段注意力模块生成波段注意力图；通过元素乘法对原始数据加权，本发明基于注意力模块挑选的特征波段具有代表性，并且总体神经网络模型连接三维残差网络进行预测分析，具有良好性能；本发明面向对象级别进行样本分析，将整个原始数据块作为输入，将特征波段选择与预测任务相结合，是一种高有效性、高普适性的方法。

摘要： 本实用新型涉及一种应用于L波段和C波段的双波段双频微带贴片天线，包括基质板和覆盖在基质板表面的金属层，金属层由馈电巴伦、正面长臂振子、背面长臂振子和短臂振子，地结构组成，其中背面长臂振子和短臂振子由尺寸不同的弯折的偶极子天线构成，金属层各部件分布于基质板的正、背面并相应连接在一起，由馈电巴伦边缘端口处馈电，本实用新型的技术效果是能够方便应用于L频段和C波段，工作频段的962MHz～1213MHz，以及5.0GHz～5.1GHz的接收天线，是一种可以用于塔康接收机等接收设备的小型微带贴片天线，并且具有体积小，结构简单，加工容易，成本低等特点。