sin

摘要： 1A.计算:sin3π/10-sinπ/10.1B.设前面队友传来的答案是T.若x·log_(27)8=T,求[2^(x)+2^(-x)].(注:[n]表示不超过n的最大整数)

摘要： 欢迎您将自己遇(受)骗、识骗的故事写出来发给我们,借此擦I亮大家的眼睛。来稿请在信封左下角标注“揭露骗局”字样,或发送电子邮件到liyu526@sina.com。

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摘要： 有不少数学问题貌似与向量无关,其实不然,细细探究之,你会发现其中的紧密联系,往往巧妙之极,真的令人拍案叫绝!请结合以下归类解析,认真体会平面向量在具体解题中是怎样灵活运用的.类型一处理有关解三角形问题例1 如图1所示,正方形ABCD的边长为1,延长BA至E,使AE=1,连接EC,ED,则 sin ∠CED=().

摘要： 一、问题背景人教B版高中《数学必修4》第138页练习A第1题是:sin(α+β)=sinα+sinβ成立吗?为什么?这道题的功能是对两角和的正弦公式进行思辨,意图是让学生体会两角和的正弦公式不满足''分配律'',消除分配律的学习经验对公式教学可能产生的负迁移.

摘要： 下一代光刻技术（ＮＧＬ）研究和选择已经成为当前半导体制造行业最为引人关注的热点问题。在这些技术之中，Ｘ射线光刻技术被认为是最接近于实用要求的一种。目前国际上关于Ｘ射线光刻技术的研究已经集中在大规模生产的实用化问题上，同时应用了微波毫米波ＭＭＩＣ电路制造正成为一种新趋势，尽管与国际水平存在着较大的差距，但经过多年的积累，国内的Ｘ射线光刻技术研究正在走出单项研究的局面，逐渐形成了以０．１微米及以及尽雨技术要求为目标的一套研究体系，面临着取得整体水平的技术突破。

摘要： 下一代光刻技术（ＮＧＬ）研究和选择已经成为当前半导体制造行业最为引人关注的热点问题。在这些技术之中，Ｘ射线光刻技术被认为是最接近于实用要求的一种。目前国际上关于Ｘ射线光刻技术的研究已经集中在大规模生产的实用化问题上，同时应用了微波毫米波ＭＭＩＣ电路制造正成为一种新趋势，尽管与国际水平存在着较大的差距，但经过多年的积累，国内的Ｘ射线光刻技术研究正在走出单项研究的局面，逐渐形成了以０．１微米及以及尽雨技术要求为目标的一套研究体系，面临着取得整体水平的技术突破。

摘要： 下一代光刻技术（ＮＧＬ）研究和选择已经成为当前半导体制造行业最为引人关注的热点问题。在这些技术之中，Ｘ射线光刻技术被认为是最接近于实用要求的一种。目前国际上关于Ｘ射线光刻技术的研究已经集中在大规模生产的实用化问题上，同时应用了微波毫米波ＭＭＩＣ电路制造正成为一种新趋势，尽管与国际水平存在着较大的差距，但经过多年的积累，国内的Ｘ射线光刻技术研究正在走出单项研究的局面，逐渐形成了以０．１微米及以及尽雨技术要求为目标的一套研究体系，面临着取得整体水平的技术突破。

摘要： 下一代光刻技术（ＮＧＬ）研究和选择已经成为当前半导体制造行业最为引人关注的热点问题。在这些技术之中，Ｘ射线光刻技术被认为是最接近于实用要求的一种。目前国际上关于Ｘ射线光刻技术的研究已经集中在大规模生产的实用化问题上，同时应用了微波毫米波ＭＭＩＣ电路制造正成为一种新趋势，尽管与国际水平存在着较大的差距，但经过多年的积累，国内的Ｘ射线光刻技术研究正在走出单项研究的局面，逐渐形成了以０．１微米及以及尽雨技术要求为目标的一套研究体系，面临着取得整体水平的技术突破。

摘要： 下一代光刻技术（ＮＧＬ）研究和选择已经成为当前半导体制造行业最为引人关注的热点问题。在这些技术之中，Ｘ射线光刻技术被认为是最接近于实用要求的一种。目前国际上关于Ｘ射线光刻技术的研究已经集中在大规模生产的实用化问题上，同时应用了微波毫米波ＭＭＩＣ电路制造正成为一种新趋势，尽管与国际水平存在着较大的差距，但经过多年的积累，国内的Ｘ射线光刻技术研究正在走出单项研究的局面，逐渐形成了以０．１微米及以及尽雨技术要求为目标的一套研究体系，面临着取得整体水平的技术突破。

摘要： 本发明披露了一种用于氮化物半导体材料的低压化学气相沉积(LPCVD)技术的顺序。所述顺序包括如下步骤：将炉内温度设定为750°C至900°C；将炉内气氛置换为氨气(NH3)；在初始压力下，通过供给二氯硅烷(SiH2Cl2)从而沉积SiN膜；随后在高于初始压力的沉积压力下沉积SiN膜。本发明的顺序的特征为：初始压力高于沉积压力的至少60％。

摘要： 本发明涉及一种太阳能电池的SiN/SiON/SiN层叠薄膜及其制备方法，包括如下步骤：(1)采用PECVD法在衬底背表面沉积形成氮化硅薄膜；(2)再采用PECVD法在所述氮化硅薄膜的表面沉积形成氮氧化硅薄膜；(3)然后再采用PECVD法在所述氮氧化硅薄膜的表面沉积形成氮化硅薄膜；最后在所述衬底背表面依次得到SiN/SiON/SiN层叠薄膜，综合膜厚为70nm～90nm、折射率为2.08～2.10。本发明的SiN/SiON/SiN层叠薄膜能够降低太阳能电池背面电学复合，提高钝化效果。

摘要： 本发明披露了一种用于氮化物半导体材料的低压化学气相沉积(LPCVD)技术的顺序。所述顺序包括如下步骤：将炉内温度设定为750°C至900°C；将炉内气氛置换为氨气(NH

摘要： 本发明实施例公开了一种基于SiO2‑SiN耦合芯片结构的光纤陀螺用的集成光学芯片，包括第一光纤‑SiO2波导模式转换器、第二光纤‑SiO2波导模式转换器、第一3dB SiO2耦合器、第一SiO2‑SiN波导模式转换器、SiN连续曲率弯曲波导起偏器、第二SiO2‑SiN波导模式转换器、第二3dB SiO2耦合器、第三光纤‑SiO2波导模式转换器及第四光纤‑SiO2波导模式转换器。本发明在保证开环光纤陀螺精度的同时，可有效提高其稳定性、可靠性，实现开环光纤陀螺的更小型化、更低功耗、更低成本、更简单结构设计及工艺。

摘要： 本发明公开了一种基于改进UKF的星光折射CNS/SINS组合导航方法；首先建立了组合导航模型，利用捷联惯性导航系统的误差方程建立组合导航状态方程，引入了导航星星点方向矢量误差、折射视高度误差和运动学约束建立量测模型；其次提出了一种改进UKF方法，引入自适应因子修正量测噪声协方差矩阵跟踪实际量测噪声的变化，对星敏感器和惯性器件解算得到的导航信息进行信息融合，修正姿态、速度、位置结果，校正陀螺仪常值漂移和加速度计的常值偏置。本方法构建的量测方程利用导航星点矢量误差、折射视高度误差和运动学约束作为量测信息校正了陀螺和加速度计的误差，提出的自适应UKF方法减少了量测噪声变化导致滤波精度下降的问题，提高了星光折射CNS/SINS组合导航精度。

摘要： 本发明的基于杆臂估计的SINS_OD组合导航校正方法，通过测量SINS_OD组合导航的真实杆臂值，将真实杆臂值作为SINS_OD组合导航的杆臂校正基准值；同步采集IMU数据和OD数据，并选择SINS_OD组合导航的状态变量；根据状态变量建立卡尔曼滤波方程和量测方程；将SINS_OD组合导航的实时测量的杆臂值输入到卡尔曼滤波方程和量测方程得到杆臂估计值；当杆臂估计值与杆臂校正基准值的误差在预设范围内，且SINS系统与OD的安装偏差角和OD的刻度系数估计误差方差小于预设阈值时，对安装偏差角和刻度系数估计误差进行反馈校正，采用校正后的安装偏差角和刻度系数误差进行SINS_OD组合导航。能够在线估计SINS_OD之间的安装偏差角和OD的刻度系数误差，并对其进行校正，提高SINS_OD组合导航的精度。

摘要： 本发明公开了一种基于联邦滤波器的双GPS/SINS的高容错性、高精度的组合导航方法及系统，方法包括，对微型捷联惯性导航系统的导航的解算，建立捷联惯性导航系统与GPS导航系统的状态方程和量测方程，对联邦滤波器的结构和信息分配系数进行设计，设计导航系统出现故障时所采用的容错处理方式。与传统的GPS/SINS导航系统相比，本方法的提出提高了传统GPS/SINS组合导航系统的精度，并在容错性方面有了很大的提升，增强了系统的健壮性，能够更好的完成导航任务。

摘要： 本发明的基于罗德里格矩阵的SINS与DVL标定方法及系统，通过构建所述SINS与DVL的安装偏差姿态罗德里格矩阵R；基于所述安装偏差姿态罗德里格矩阵R和测得的所述DVL坐标系下的对底速度Vd得到所述SINS系统下的速度Vb；基于所述DVL坐标系下的对底速度Vd和所述SINS系统下的速度Vb建立所述安装偏差姿态罗德里格矩阵R的最小二乘估计模型；根据所述最小二乘估计模型估计所述安装偏差姿态罗德里格矩阵R的矩阵参数，基于所述矩阵参数和所述安装偏差姿态罗德里格矩阵R计算得到所述安装偏差角，根据所述安装偏差角标定所述SINS与DVL系统。能够消除近似线性化带来的线性化误差和对安装角度只能为小角度的限制。

摘要： 本公开的用于嵌入式系统的SINS_GNSS时间同步方法及系统，读取和保存IMU数据，对IMU数据进行惯性解算得到SINS_GNSS的速度和位置信息，在接收到有效PPS信号周期内，通过DSP定时器测量PPS信号的位置；对IMU数据和经惯性解算得到的SINS_GNSS的速度和位置信息进行线性插值计算PPS位置处的惯导速度和位置信息；在接收到对应PPS位置处有效的GNSS的速度和位置信息时进行滤波，采用同一时刻的PPS位置处的GNSS的速度和位置信息，与惯导的速度和位置信息进行嵌入式系统的时间更新和量测更新。能够在不增加硬件成本和负担且没有惯导解算误差和模型原理误差的情况下，同步SINS和GNSS在滤波时刻的时间，提高SINS_GNSS组合导航系统的精度。

摘要： 本实用新型公开了一种太阳能电池AZO+SiN叠层保护膜的镀制设备，包括依次设置的AZO镀膜区及SiN镀膜区，以及对应AZO镀膜区及SiN镀膜区的链式传输机构，装载有硅片的载板平躺在链式传输机构上依次经过AZO镀膜区及SiN镀膜区。本实用新型在同一台设备中同时实现AZO和SiN镀膜，工序整合度高，制程周期短，极大降低了设备和人工成本投入，生产效率和产品良率得到有效提升，从而有效降低了太阳能电池制造成本；且AZO+SiN叠层保护膜同时具备良好的导电性和透光性，可以减薄掺杂非晶硅厚度以提高太阳光利用率并增加发电量，能够跟银或其它金属形成良好的欧姆接触以使接触电阻减少而进一步提升了电池效率。