RTA
RTA的相关文献在1989年到2022年内共计141篇,主要集中在贸易经济、无线电电子学、电信技术、水路运输
等领域,其中期刊论文94篇、专利文献47篇;相关期刊78种,包括云南大学学报(法学版)、中国律师、商业研究等;
RTA的相关文献由278位作者贡献,包括李全、焦守恕、贾凤芹等。
RTA
-研究学者
- 李全
- 焦守恕
- 贾凤芹
- 吴凡
- M·阿布欧埃尔首德
- 忻良骁
- D·M·拉克斯
- M·L·达内尔
- N·R·维瑟
- R·加梅
- 严立巍
- 冯晓燕
- 刘世祥
- 刘文杰
- 刘春余
- 刘琦
- 刘琳
- 刘禹彤
- 刘贵华
- 匡列琼
- 卢晓希
- 危利
- 唐云俊
- 孙雷
- 康国岐
- 康成文
- 张嘉伟
- 张建珍
- 张德才
- 张玲
- 张绚
- 张贺秋
- 张银桥
- 文锺
- 朱琳
- 李娟
- 杨宗儒
- 林春慧
- 林立德
- 汪洋
- 汪诚
- 温伟源
- 王向武
- 王嘉
- 王新发
- 王昱翔
- 王晓霞
- 王朝勇
- 王汉中
- 王超男
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徐德顺;
马凡慧
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摘要:
数字贸易在全球发展如火如荼,其合规问题凸显.剖析全球数字贸易规则演进过程,对构建符合最广大国家利益的数字贸易规则框架、提升中国在全球数字贸易规则话语权有重要的现实意义.以2001—2020年各国向WTO通报且含数字贸易条款的有效RTA为主要研究内容,厘清全球数字贸易规则演进脉络.研究发现,数字贸易规则合作愈发密切,数字贸易自由化进程加速,但也存在规则主导权过度集中等不足.中国应借鉴美新欧成功经验,输出全球数字贸易规则的中国方案;补齐数字服务贸易发展短板,夯实数字贸易规则基础;补齐现有数字贸易规则短板,构建符合最广大国家利益的数字贸易规则;深度参与数字贸易规则谈判,提升中国在数字贸易规则制定中的话语权.
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张臻(文/图)
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摘要:
从500元以内的RT-AX56U热血版,到“当红流量”的RT-AX86U,再到位于Wi-Fi 6路由器市场顶端的RT-AX89X。单看天线规格,从2×2、4×4到8×8,华硕此前在Wi-Fi 6路由器市场上已有比较完善的布局。不过华硕仍在补齐市场拼图,给消费者更多选择,RTAX68U正是这样一款产品。双频3×3的天线规格进一步完善了华硕Wi-Fi 6路由器的产品阵列,而从802.11ac时代经典产品RT-AC68U上延续下来的“名号”,也让我们对它的表现有了更多期待。
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戴艺晗
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摘要:
数字贸易的发展离不开国际合作,政策制定者需要在数字贸易规范和规则方面找到一种通用语言。WTO谈判的停滞不前说明自上而下(WTO驱动)的方式短期内不可能达成有约束力的合作,自下而上(RTA驱动)的方式可能是现阶段推进数字贸易领域国际合作更适宜的渐进方式。通过"区域主义多边化"进程,RTA中纳入的一些更深层次的措施可以通过区域谈判得到更广泛和持续的传播,进而导致多边层面的趋同,反过来影响WTO规则的制定。要达成有影响力的协议,渐进路线有三条,以亚太自由贸易区、USMCA和DEPA为代表。第一和第三种路线是现阶段比较适宜我国参与数字贸易领域区域谈判的方式。
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梁俊伟;
卢玫竹;
张建武
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摘要:
在区域贸易协定(RTA)不断发展的同时,RTA成员国之间的贸易额也在不断增加。本文利用UNCTAD数据库测算了201个参与RTA的国家和地区的双边贸易额,并利用引力模型检验了RTA对于双边贸易的影响。结果表明,RTA的签订对成员国间贸易额的增加有显著的促进作用。同时,地理距离、共同语言、经济总量、贸易成本、对外直接投资、净贸易条件指数等控制变量对双边贸易也存在重要影响。不论是发达国家间签订RTA、发达国家与发展中国家间签订RTA或是发展中国家间签订RTA,RTA的发展都对双边贸易额有显著的促进作用。由于发展中国家间的贸易额基数小,因此在RTA签订之后双边贸易额增加速度最快,但是仍与发达国家间贸易额存在较大差距。
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孙瑾1;
王小龙1
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摘要:
—、引言多哈回合谈判失败的背景下,越来越多的国家开始尝试超越WTO的范围,同相关国家签署双边及多边区域贸易协定RTA,促进区域内更稳定高效的经济和贸易发展,并且这些区域贸易协定不仅仅只限于贸易领域,还延伸到商业相关的众多范围.
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张桂红;
孙秋月
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摘要:
随着区域经济一体化的迅猛发展和贸易自由化的深入推进,区域贸易安排(RTA)在较大程度和范围上取消或降低对成员方的关税和非关税壁垒,这必然对RTA成员方产业造成较大冲击,因此RTA内保障措施制度越来越受到关注和重视.基于RTA区域性的特征,其保障措施既包括WTO框架下的全球保障措施,又包括仅在RTA成员方内部适用的双边保障措施,正确理解两种保障措施的复杂关系,对于RTA科学设置保障措施制度至关重要.因此应从理论层面深入分析研究RTA双边保障措施和全球保障措施的实质差异和互补关系,以达到对实践RTA保障措施制度的设置有更为透彻的理解和理论借鉴.
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顾祥;
陈天;
洪根深;
赵文彬
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摘要:
随着MOSFET栅氧厚度的逐渐减薄,栅致漏极泄漏(GIDL)电流呈指数级增加,当工艺进入超深亚微米节点,器件的栅氧厚度不足2 nm,短沟器件的GIDL效应非常强烈.研究了相关工艺对器件GIDL效应的影响,发现了GIDL的主要泄漏机制.通过模拟仿真和工艺试验,证明了Halo注入工艺相对于其他工艺对GIDL效应的影响更大,降低Halo注入剂量是相对最优的工艺改善方案.
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