四极管

摘要： 介绍了应用于粒子加速器的大功率四极管特种电源设计过程,主要涉及灯丝电源、阳极电源及栅极电源;其中灯丝电源为低压大电流电源(10 V/330 A),采用三模块并联输出的设计方案;阳极电源为大功率高压电源(400 kW/12.5 kV),采用多组电源模块输出串联的设计方案;栅极电源的输出功率相对较小,但对纹波和稳定度要求较高(均优于10^(-4)),因此采用双级变换方案;同时对电子管过流保护设计也进行了介绍。在用户现场对系统的测试结果表明,本文设计的特种电源系统满足设计指标需求。

摘要： DF100型100KW短波发射机是电台的重要设备,为维护发射稳定,电路维护工作应受到高度重视.本文先分析了不良极间电容的影响,并给出了解决方法,然后选择中和电路,针对DF100型100KW短波发射机出现的问题进行了分析.%the DF100 type 100KW short wave transmitter is an important equipment of the radio station. In order to maintain the stability of the transmission, the maintenance of the circuit should be highly valued. In this paper, the influence of the negative pole capacitance is analyzed, and the solution is given. Then, the neutralization circuit is chosen to analyze the problems of the DF100100KW short wave transmitter.

摘要： 中国散裂中子源加速器质子束流加速能量为1.6 GeV,重复频率为25 Hz,撞击固体金属靶产生散射中子,一期工程的打靶束流功率为100 kW.直线加速器的设计束流流强为15 mA,输出能量为81MeV.射频加速和聚束系统包括一台射频四极场加速器、中能束流传输线的两个聚束器、四节漂移管直线加速器加速腔和直线-环束流传输线的一个散束器,与之相对应,共有8个单元在线运行的射频功率源为其提供所需的射频功率.目前,直线射频功率源系统预研项目已全部完成,各项性能参数均已达到设计指标,当前正处在批产安装调试阶段.

摘要： 重点介绍了一种直线加速器系统注入能量的高功率微波源四极管发射机。从加速器注入功率要求入手，介绍四极管发射机研制方法。主要内容包括发射机系统构成，指标计算、分配以及具体实现。重点阐述了发射机的固态放大器设计、阳极电源设计、控栅和帘栅电源设计。并对发射机的馈线设计和热设计提出了工程解决方案。针对四极管发射机特点作出了细致分析。项目完成后，经过测试、联调，各项指标满足设计要求，为以后四极管高功率微波源的研制与开发提供了很好的设计参考。%A kind of high power microwave transmitter is presented,which is based on the HDLS quad-rode.Starting from the request of power immitting into the HDL,the design method of the quadrode trans-mitter is discussed.The paper mainly includes the composition of the transmitter and the calculation,alloca-tion and realization of the performance indexes,focusing on the design methods of solid-state amplifier,an-ode power source,controlling grid power source and shade grid power source.The engineering solutions of transmission lines and cooling system are presented.The characteristics of the quadrode transmitter is partic-ularly analysed.Through test and experiment,all parameters meet the design requirements.

摘要： 大功率电子管是无线电设备中普遍使用的一种元器件.因此,正确地使用、精心地维护电子管是保证设备安全可靠、高效运行的前提.电子管的不正当使用、意外损坏,甚至早期夭折屡见不鲜.对电子管的正确使用和设备的正常运行造成危害、同时对社会的经济效益也会造成一定的影响.因此本文结合电子管在DF100A型发射机的实际应用和多年维护经验对电子管的使用与维护进行详细的阐述,以便用户能更好地、正确地了解、使用和维护电子管.

摘要： TH537电子管是TBH522型短波广播发射机的核心器件,该电子管工作状态的好坏直接关系到发射机整机的各项技术指标和性能.本文作者根据实际的工作经验,总结了TH537电子管在TBH522型短波发射机上使用的注意事项和维护经验,并列举了大功率电子管常见的几种故障.

摘要： An all solid-state modulator was developed based on IGBT stacks in series technology, the all solid-state modulator based on IGBT stacks in series technology are introduced and analysed by contrast with the high-voltage modulators based on TM703FB tetrode in this article, including the principle of modulator, and experiment results. The advantages of the all solid-state modulator are proved by the contrast analysis, and its important application value in the physical experiments on HL-2A tokamak is shown.%采用对比分析的方法，对基于TM703FB四极管调制技术的高压调制器和基于IGBT串联技术的全固态调制器的工作原理以及实验结果进行了对比分析。对比分析表明，采用IGBT串联技术的新型全固态高压调制器相对采用电子管技术的传统高压调制器具有众多优点，在HL-2A物理实验中具有重要的应用价值。

摘要： FU-7是一只柬射四极管（图1），可作高频、功率放大，早在上个世纪40—50年代就在通信领域作电报发射．后来被用在音频功率放大器中。在国内过去生产的50—150W广播扩音机、影院电影还音扩音机中．几乎全都采用FU-7作为功率放大，

摘要： 介绍了TH558型大功率金属陶瓷四极管的结构特点,同时结合实际使用情况给出了TH558在短波发射机中的应用与维护注意事项.

摘要： 为满足升级工程100MeV强流回旋加速器金属实验腔热测的需要，技术部设计、改造了1台44．5MHz的射频功率源。主要工作包括设计、实现1台10kW电子管放大器（图1）。末级电子管采用Eimac风冷四极管4CX15000A；输入采用四分之一波长带状线结构；输出使用四分之一波长外方内圆同轴结构；电子管使用阴地线路，工作类型为AB1类。

摘要： 一种用于离子源的电极系统，其具有在离子源腔室中限定源孔径的源电极，并且耦接至源电源。第一接地电极限定第一接地孔径，该第一接地孔径电性耦接至电接地电位且从离子源提取离子。抑制电极定位于第一接地电极的下游并且限定电性耦接至抑制电源的抑制孔径。第二接地电极定位于抑制电极的下游并且限定第二接地孔径。第一接地电极和第二接地电极固定地彼此耦接并且电性耦接至电接地电位。

摘要： 本发明涉及一种带触控和调试功能的发光四极管。所述发光四极管从下到上依次包括蓝宝石衬底、半导体缓冲层、第一半导体层、第二半导体层、第三半导体层、多量子阱层、第四半导体层；所述发光四极管均在蓝宝石衬底上进行单片多功能集成，无需精准对位和键合复杂工艺流程，可以减少或消除由于焊接键合产生的寄生电容和电阻，可以起到对输入信号的功率放大作用，实现用小功率输入信号驱动半导体发光，可以有效降低基于半导体发光显示装置的驱动电路设计复杂度，提高显示装置和功能的集成度。

摘要： MOS栅基极开关四极管，是在双极器件(双极晶体管或晶闸管中一个双极晶体管)的基极通道上加设MOS控制栅的一类新的四端子MOS栅功率开关器件。它结合MOS栅驱动电路简单及双极器件大电流密度传导能力的优点，并有放大开关功能。给出了平面栅和沟槽栅结构的单沟道与互补沟道MOS栅基极开关四极晶体管及MOS栅基极开关四极晶闸管的器件结构和具体实施方式，它们与功率MOSFET和IGBT的制作工艺兼容，比四端子发射极开关双极晶体管(ESBT)的结构和工艺简单得多。它们的λ负阻型负斜率饱和特性有更好的抗dV/dt能力，其电流负温度系数有利于大量元胞的并联。此类器件原理也可用于制作各类化合物半导体MOS栅基极开关四极晶体管及晶闸管。

摘要： 本发明公开了一种适用于金属陶瓷四极管的调试平台，该平台包括：可调射频功放结构腔体、低电平信号控制与保护系统；低电平信号控制与保护系统通过固态功放与可调射频功放结构腔体连接；可调射频功放结构腔体用于固定金属陶瓷四极管，并引出金属陶瓷四极管的各个电极，并通过调节各个电极与共振腔体的电气参数，改变可调射频功放结构腔体的共振频率；以及用于使金属陶瓷四极管进行射频信号的共振输出；低电平信号控制与保护系统用于提供输入信号，并对输入信号波形的频率、幅度、相位和脉宽进行控制；以及用于在系统故障时切断信号激励。采用本发明实施例，可在快速将金属陶瓷四极管调整到预设工作状态的同时，实现对四极管的保护。

摘要： 本发明公开了一种集发光、开关、颜色控制的电致发光四极管及其控制方法，电致发光四极管包括：依次设置的电极层，发光层以及调制层；所述发光层包括：至少两个子发光层；所述电极层包括：至少两个电极，相邻两个电极相互间隔设置；其中，所述电极与所述子发光层一一对应设置，所述调制层用于控制各子发光层。通过将发光层分成至少两个子发光层，并将电极层分成至少两个间隔设置的电极，电极与子发光层一一对应，因此，可以通过调制层分别控制各子发光层，这些子发光层可以形成一个像素，也就是说，给调制层一个控制信号，就可以集成化控制各子发光层。

摘要： 本发明涉及一种带触控和调试功能的发光四极管。所述发光四极管从下到上依次包括蓝宝石衬底、半导体缓冲层、第一半导体层、第二半导体层、第三半导体层、多量子阱层、第四半导体层；所述发光四极管均在蓝宝石衬底上进行单片多功能集成，无需精准对位和键合复杂工艺流程，可以减少或消除由于焊接键合产生的寄生电容和电阻，可以起到对输入信号的功率放大作用，实现用小功率输入信号驱动半导体发光，可以有效降低基于半导体发光显示装置的驱动电路设计复杂度，提高显示装置和功能的集成度。

摘要： 本发明公开了一种平均电极PN结四极管式热电转换装置，它由两块N型半导体板和两块P型半导体板依次相互接触构成，N型半导体板1的右表面与P型半导体板2的左表面接触在一起，P型半导体板2的右表面与N型半导体板3的左表面接触在一起，N型半导体板3的右表面与P型半导体板4的左表面接触在一起。在N型半导体板1和P型半导体板2中分别引出一根电极，再合并成一根电极8，在N型半导体板3和P型半导体板4中分别引出一根电极，再合并成一根电极9。当平均电极PN结四极管在处于热源中时，电极9的电势高于电极8的电势，在电极8与电极9之间接上负载后就能实现热电转换。

摘要： 本发明公开了一种双金属结四极管式热电转换和制冷制热装置，它由两种不同材料制作的四块金属材料板依次相互接触构成，金属材料板1的右表面与金属材料板2的左表面接触在一起，金属材料板2的右表面与金属材料板3的左表面接触在一起，金属材料板3的右表面与金属材料板4的左表面接触在一起。在金属材料板1与金属材料板3之间或在金属材料板2与金属材料板4之间接上负载后就能实现热电转换，在金属材料板1与金属材料板3之间或在金属材料板2与金属材料板4之间接上直流电源后就能实现制冷或制热。

摘要： 本发明公开了一种PN结四极管式热电转换和制冷制热装置，它由两块N型半导体板和两块P型半导体板依次相互接触构成，N型半导体板1的右表面与P型半导体板2的左表面接触在一起，P型半导体板2的右表面与N型半导体板3的左表面接触在一起，N型半导体板3的右表面与P型半导体板4的左表面接触在一起。在N型半导体板1与N型半导体板3之间或在P型半导体板2与P型半导体板4之间接上负载后能实现热电转换，在N型半导体板1与N型半导体板3之间或在P型半导体板2与P型半导体板4之间接上直流电源后能实现制冷或制热。

摘要： 本实用新型公开了一种基于旁热式阴极束射四极管的微波信号发射机，包括旁热式阴极束射四极管、第一变压器、第二变压器、第一电容至第六电容、第一电阻、第二电阻、第一电感、第二电感、整流电路和天线。本实用新型主要采用旁热式阴极束射四极管为核心元件，电路结构简单，采用元件较少，因此，成本低廉、体积小、能够降低功耗，信号强，在室内使用时没有除的方向性，抗干扰能力也较强，有利于推广。