四方相

摘要： 采用晶体相场法研究了外加应变作用下,不同取向差的四方相对称倾侧小角度晶界的位错运动与反应及反应过程中的位错组态,通过采用几何相位法对位错周围应变场进行了表征.结果表明,凝固弛豫达到稳态后,晶界两侧位错平行且方向相反,随晶界两侧晶粒取向差增大,位错数目增加,距离减小,且体系自由能增加.在外加应变作用下,晶界位错经历攀移、发射、反应湮灭等阶段,体系自由能呈现波动.当取向差增大时,位错运动方式由攀移向攀滑移转变,产生更多类型的位错组构型,并发生相应的位错与位错组之间的反应.对于不同构型的位错反应,正切应变驱动位错靠近,负切应变驱动位错湮灭.

摘要： 利用溶液中原位反应过程制备以碳纳米管为载体的硫化镉—碳纳米管纳米复合材料。通过水溶液中的氯化镉与硫代乙酰胺进行反应在碳纳米管载体上生成沉积硫化镉粒子。研究结果表明:调整反应温度条件可以控制生成硫化镉粒子的晶型,常温下有利于合成碳纳米管承载的四方相硫化镉纳米复合材料体系,加热条件下有利于合成碳纳米管承载的六方相硫化镉纳米复合材料体系。研究结果对基于纳米硫化镉的纳米复合材料的物性调控技术具有重要指导意义。

摘要： 以八水合氢氧化钡、钛酸四丁酯为原料,采用水热球磨去羟基法制备四方相钛酸钡(BaTiO3)粉体,研究原料钡钛摩尔比(Ba/Ti)、反应时间、反应温度等因素对四方相BaTiO3合成的影响,通过XRD、TEM、SEM等测试手段,分析了BaTiO3的晶相组成、颗粒形貌及其陶瓷介电性能.研究表明,当Ba/Ti比值2.0、反应时间120 h、丁醇与水体积比1:1、反应温度180°C条件下,获得了高纯四方相BaTiO3粉体,其晶形规整,粉末粒度小,颗粒均匀,分散性良好,用其烧结的陶瓷常温下相对介电常数高达1793,击穿场强达到3.1 kV/mm.

摘要： 以BaCO 3、TiO 2为原料,SiC微球为微波良导体材料,原料经球磨,砂磨细化后与SiC微球均匀混合,采用微波微区加热技术合成BaTiO 3粉体.利用XRD、Raman和FT-IR确定合成温度以及定性分析、SEM进行形貌表征,PSD进行粒度分析,BET测试比表面积.结果表明,采用微波固相法,引入微波良导体SiC形成微波微区域加热制备出粒径400 nm,粒度分布均匀的四方相钛酸钡粉体,相比于传统固相法粒径更小,分散性良好.为钛酸钡粉体的微波固相法合成提供了新思路.

摘要： 用ZrOCl2·8H2 O作原料,采用简单水热法合成纳米二氧化锆(ZrO2)粉体.借助XRD、SEM等测试手段表征纳米ZrO2的相态组成及微观结构;分析沉淀剂及水热温度对纳米ZrO2晶相的影响;探讨纳米四方相二氧化锆(t-ZrO2)粉体的可能形成过程.研究结果表明:在碱性条件下,ZrOCl2·8H2 O直接进行水热反应时,改变沉淀剂或水热温度,均得到单斜相ZrO2粉体.当加入一定比例的甘氨酸/氯化钾(CH2(NH2)-COOH/KCl)时,可得纯四方相ZrO2粉体,对比同样条件下未加入CH2(NH2)COOH/KCl的实验表明,CH2(NH2)COOH/KCl在实现二氧化锆的晶相调控中具有关键作用.

摘要： 通过水热法制备高四方相钛酸钡纳米粉体,探究其反应条件对四方相含量的影响.试验改变了钡钛离子比例、反应温度以及摩尔质量,得到钛酸钡粉体,使用X射线衍射仪进行结构分析,对四方相含量进行相应的计算,得出结论当钡钛比为3:1,温度为240°C,摩尔质量为0.9 moL时四方相含量最高.

摘要： 采用溶胶-凝胶法制备四方相纳米BaTiO3粉末.利用XRD、SEM、矢量网络分析仪等手段对不同温度制度下试样的相结构、形貌、电磁参数进行了表征,并通过电磁参数采用MATLAB编程计算得出试样在2～18 GHz范围内反射率随频率的变化曲线.实验结果表明,随热处理温度的提高,BaTiO3中四方相含量先增加后减少,且其晶粒粒径逐渐长大;当热处理温度为1 000°C时,试样具有最优的介电损耗性能,并采用MATLAB编程计算得出其反射率能够优于-10 dB的带宽达3.8 GHz,最小反射率出现在14 GHz,峰值为-25.13 dB.%Tetragonal BaTiO3 nano powders have been synthesized via sol-gel process in this paper.The phase structure,morphology and electromagnetic parameters of the BaTiO3 nanometer powders were investigated by X-ray diffraction (XRD),scanning electron microscope (SEM) and vector network analyzer at different heat treatment temperatures.Moreover,the MATLAB programming was applied to calculate the electromagnetic parameters and obtain the changing curve of reflectivity with the variation of frequency in the range of 2-18 GHz.It was found that the content of tetragonal BaTiO3 would be first increased and then decreased with the increment of the heat treatment temperature and the size of grains increased gradually.When the heat treatment temperature reached 1 000 °C,the sample exhibited the best dielectric loss properties.Then,MATLAB programming was used to calculate the reflectivity,whose bandwidth over-10 dB could be up to 3.8 GHz.In the meanwhile,the minimum reflectivity appeared at 14 GHz and could reach-25.13 dB.

摘要： 本文利用高纯四氯化锆(ZrCl4)和水作为前驱物,然后升华或蒸发为气态,在高温条件下直接发生水解反应,得到白色的二氧化锆(ZrO2)粉末.经高分辨扫描电镜(FE-SEM)和X射线粉末衍射(XRD)分别进行形貌和物相表征,结果表明,ZrO2 粉末的尺寸为40-50nm 左右,为纯净的四方相纳米ZrO2球状物.

摘要： 氧化锆材料是近年来备受关注的陶瓷材料之一。它在许多不同的领域，诸如陶瓷颜料、工程陶瓷、宝石业、压电元件、离子交换器以及固体电解质方面等有着广泛的用途。其最常用的性质是其晶相转变时会有效改善陶瓷的脆性，因此在室温下保持其四方相是其中的关键。为此许多研究都侧重在其中加入各种添加剂，利用水热法、包裹法、形成共溶体等方法来阻止其晶格的转化。但研究也发现：在固定组成陶瓷基体中，ZrO2的相变温度随粉体颗粒直径的减小而降低，当颗粒足够小时能够提高材料强度的四方ZrO2可以保存到室温甚至室温以下。因此，减小ZrO2粉体粒度对于提高材料强度是非常有利的。本实验采用一种新的低温固相反应的方法制备氧化锆超细粉，从而使这种重要的陶瓷原料的制备有了新的思路。

摘要： 低温燃烧合成(LCS)钛酸钡粉体工艺是一种能够在低温直接合成四方相纳米钛酸钡的制备方法.在硝酸盐和柠檬酸体系中,以推进剂化学为理论依据.实验得出各反应物间的最佳摩比配比.结果表明,在300°C低温点火生成晶粒度在50nm以下无杂质要睥四方相钛酸钡粉.并考察了前驱体溶液pH值对反应过程和最终产物的影响.应用X射线衍射(XRD),扫描电镜(SEM)和透射电镜(TEM)等对粉体的结构,成分,晶粒尺寸和形貌进行了分析.

摘要： 无压烧结ＺＴＡ陶瓷材料实验结果表明，随着ＺｒＯ〈，２〉含量的增加，四方相体积百分数逐渐降低，其主要原因除了ＺｒＯ〈，２〉和Ａｌ〈，２〉ｏ〈，３〉的热膨胀系数和弹性模量不同所造成的基体对ＺｒＯ〈，２〉颗粒的约束力减小外，烧结性能变差，也是一个重要因素。四方相和单斜相粒子共同存在，产生相奕增韧和微裂纹增韧的复合效果。ＺｒＯ〈，２〉含量为５ｖｏｌ℅的样品，具有良好的综合力学性能。

摘要： 本发明采用溶剂热法，先在相对较低温度下，利用加压装置使得反应釜内压力高，从而在反应较短时间得到粒径小(比表面在25～50m

摘要： 本发明所涉及的是一种常压低温液相原位制备稳定化纳米二氧化锆的新方法，其步骤为：将摩尔含量为3～15％稳定剂和锆的可溶性盐的混合物置于容器中，加水溶解并搅拌混合均匀，升温至70～95°C，再加入与混合物干基质量比为1∶2～10的沉淀晶化剂，恒温搅拌反应晶化0.5～6小时。将所得白色沉淀经过滤、洗涤至无Cl

摘要： 本发明属于纳米材料制备领域，具体公开了一种四方相和/或六方相的一硒化钴二维材料的制备方法，将氯化钴、Se粉加热挥发，随后在含氢载气、540‑630°C的沉积温度下反应，在基底表面生长得到四方相和/或六方相的CoSe二维材料；所述的含氢载气为保护气和H

摘要： 本发明涉及一种超细立方相钛酸钡粉体的四方相转变工艺，生产方法为：(1)将室温下处于亚稳态的立方相超细钛酸钡粉体，在不导致粒径明显长大的煅烧温度和煅烧时间条件下，进行煅烧处理；(2)将煅烧处理后的钛酸钡粉体与复配溶剂混合，经搅拌混合均匀后的浆料在密闭微波高压反应釜中反应；(3)将处理后的粉体经纯水洗涤、干燥，即可得到高质量四方相钛酸钡粉体；不仅可以使超细立方相钛酸钡粉体发生四方相转变，而且可以避免传统煅烧热处理相变工艺过程中必然发生的晶粒长大和严重的团聚现象，获得高质量的四方相钛酸钡粉体。

摘要： 本发明公开了一种四方相二维CuFeSe2纳米片晶体的液相制备方法，所述制备方法包括：采用铜、铁和硒的可溶性物质且按Cu:Fe:Se摩尔比1:1～1.5:2～4作为前驱源；将铜源加热溶解在有机胺、油酸和十八烯体积比1:1～2:6构成的反应介质中，得到A溶液；将硒源加热溶解在十八烯中作为B溶液，在A溶液加热至一定温度时加入B溶液；将铁源加热溶解在油胺中作为C溶液，在A+B混合液加热至一定温度时加入C溶液并继续加热至230～260°C反应5～120min，反应结束后用无水乙醇和甲苯洗涤产物，离心分离得到四方相二维CuFeSe2纳米片晶体。本发明方法条件温和、工艺简单、成本廉价，所制备的二维CuFeSe2纳米片细胞毒性低、近红外光吸收强，可作为新型光热转换试剂和磁性靶向药物载体应用于肿瘤治疗研究领域。

摘要： 本发明公开了一种四方相碲化亚铜及相可控合成四方相、六方相碲化亚铜的方法。所述方法包括：提供铜源、碲粉和衬底；将所述铜源、碲粉和衬底置于化学气相沉积反应腔室中，并通入输运气体；在660～690°C的生长温度下，于所述衬底上生成四方相二维碲化亚铜；或在700～800°C的生长温度下，于所述衬底上生成六方相二维碲化亚铜。本发明提供的相可控合成四方相、六方相碲化亚铜的方法，采用化学气相沉积法通过对生长温度的调控能够调控合成物的物相，能够可控生长大尺寸的二维碲化亚铜单晶；并且该方法能够合成四方相碲化亚铜，该四方相结构为碲化亚铜的全新的原子相结构。

摘要： 本发明属于纳米材料制备领域，具体公开了一种四方相和/或六方相的一硒化钴二维材料的制备方法，将氯化钴、Se粉加热挥发，随后在含氢载气、540‑630°C的沉积温度下反应，在基底表面生长得到四方相和/或六方相的CoSe二维材料；所述的含氢载气为保护气和H

摘要： 本发明涉及一种超细立方相钛酸钡粉体的四方相转变工艺，生产方法为：(1)将室温下处于亚稳态的立方相超细钛酸钡粉体，在不导致粒径明显长大的煅烧温度和煅烧时间条件下，进行煅烧处理；(2)将煅烧处理后的钛酸钡粉体与复配溶剂混合，经搅拌混合均匀后的浆料在密闭微波高压反应釜中反应；(3)将处理后的粉体经纯水洗涤、干燥，即可得到高质量四方相钛酸钡粉体；不仅可以使超细立方相钛酸钡粉体发生四方相转变，而且可以避免传统煅烧热处理相变工艺过程中必然发生的晶粒长大和严重的团聚现象，获得高质量的四方相钛酸钡粉体。

摘要： 本发明公开了一种液相旋蒸法制备四方相BaTiO3/HA复合纳米颗粒的方法，步骤1，以BaCl2·2H2O和C16H36O4Ti为原料，以乙醇胺为反应螯合剂，制备BaTiO3前躯体溶液；步骤2，将HA纳米粉分散在无水乙醇中得到HA溶液；步骤3，将BaTiO3前躯体溶液与HA溶液混合，得到BaTiO3/HA前驱体溶液；步骤4，将BaTiO3/HA前驱体溶液旋转蒸发，离心洗涤后干燥，得到BaTiO3/HA前驱体粉末；步骤5，将BaTiO3/HA前驱体粉末高温煅烧，得到四方相BaTiO3/HA复合纳米颗粒。该制备方法成本低，简单易行，合成的四方相BaTiO3/HA复合纳米颗粒性能高，稳定性好，适合大规模生产。

摘要： 本发明公开了一种四方相二维CuFeSe2纳米片晶体的液相制备方法，所述制备方法包括：采用铜、铁和硒的可溶性物质且按Cu:Fe:Se摩尔比1:1～1.5:2～4作为前驱源；将铜源加热溶解在有机胺、油酸和十八烯体积比1:1～2:6构成的反应介质中，得到A溶液；将硒源加热溶解在十八烯中作为B溶液，在A溶液加热至一定温度时加入B溶液；将铁源加热溶解在油胺中作为C溶液，在A+B混合液加热至一定温度时加入C溶液并继续加热至230～260°C反应5～120min，反应结束后用无水乙醇和甲苯洗涤产物，离心分离得到四方相二维CuFeSe2纳米片晶体。本发明方法条件温和、工艺简单、成本廉价，所制备的二维CuFeSe2纳米片细胞毒性低、近红外光吸收强，可作为新型光热转换试剂和磁性靶向药物载体应用于肿瘤治疗研究领域。