只读存储器

摘要： 长虹KFR-25(包括28、35、40)GW/BQ型直流变频空调器设有操作显示析以,用以方便的进行“人机对话”,其电路如图1所示。主要由数据存储器、操作控制电路、显示及声提示电路三部分组成。一、操作显示电路简述1.数据存储电路IC12(BR24C02F)使用EEPROM(或写成E^(2)PROM)电可擦除可改写只读存储器,其内部存储有与室内、室外机各温度优越感器取样温度对应的信号电压及预置对比温度数据电压,室内风机转速数据、压缩机F/V(频率/电压)控制数据、故障代码等。

摘要： 本文对10kW数字调幅中波广播发射机调制编码板(A36)中大台阶数据控制电路进行了分析,同时介绍了当发射机中功放模块损坏时的应急处理方法。

摘要： 背景:肩上举是一种常用练习,两种技术(头前式和头后式)可能会影响关节结构,因此需做客观分析。本研究旨在通过横向比较研究两种肩上举技术对肩部活动度和脊柱姿态的影响。方法:运用角度测量和三维生物力学测试方法研究33名受试者进行坐姿肩上举练习时肩关节的被动和主动活动幅度。结果:头前举在脊柱前凸的姿势下开始,头后举在脊柱后凸的姿势下开始。与头前举相比,头后举开始时的胸部伸展幅度更小。无论何种性别、何种肩上举技术,胸推均呈伸展状,且动作过程中的角度为12°-15°。两种肩上举技术在性别上表现出显著性差异。男性能保持正常的腰椎前凸,而女性则表现为腰椎后凸。结论:除头后式技术时男性肩关节产生外旋外,其余的肩关节动作幅度都在被动动作幅度之内。为避免可能出现的损伤,在头后式肩上举练习前应增加被动动作幅度。女性显现出更大的脊柱活动度,表明加强躯干力量有助于肩上举动作的完成。对具有正常躯干稳定性和理想肩关节动作幅度的受试者来说,无论头前式还是头后式,推举对于肩部和脊柱都最一种较为安全的练习。

摘要： 本文介绍了DM 50kW发射机功放开关控制电路相关部分电路工作原理及故障分析处理.

摘要： ROM，作为智能手初不可或缺的系统架构层支持，开始出现在普通消费者面前也就是最近两年的事，而引子就是Androjd的流行。事实上，ROM原本只是手机制造商和维修厂商才会提到的元器件之一，也就是手机中的只读存储器，目的是用于存储手机中不可由用户自由修改的数据，例如基带软件和手机操作系统软件。这块存储芯片在功能机时代是由手胡生产厂商直接写入，用户不可自行修改其中的数据。

摘要： The paper mainly introduces how to use colors to storage quaternary data, and the advantages of using optical signal as medium of information. It also defines the quaternary algorithms and introduces how to use the storage format for quaternary or binary communication and control. Finally, the paper introduces some important applications of quaternary in engineering technology, and summarizes the essence of data storage, so that it provides a powerful foundation for using other ways to realize data storage in future.%　　主要介绍了如何用颜色进行四进制数据存储，以及用光信号作为信息媒介的好处。重新定义了一些四进制的运算法则，同时介绍了如何利用这种存储格式进行四进制或者二进制通信与控制的方法。最后介绍了四进制在工程技术中的一些重要应用，总结了数据存储的本质，从而为将来用其他方式实现数据存储打下了比较坚实的基础。

摘要： 目前，应用的存储器有两种：一种是ROM只读存储器，它一般设置在CPU内部，主要斥于存储CPU电路的工作程序及相关信息，如把各套节目所在的波段、所需的调谐电压、制式及跳跃等特殊状态，关机前的模拟量、特殊功能设置等信息存入，即使在断电的情况下也不会丢失，在需要的时候将这些信息读出。其存储内容一般在使用中是不能更改的。

摘要： 单片计算机即单片微型计算机（Single—ChipMicrocomputer），是采用超大规模集成电路技术把具有数据处理能力的中央处理器CPU随机存储器RAM、只读存储器ROM、多种I／O口和中断系统、定时器／计时器等功能（可能还包括显示驱动电路、脉宽调制电路、模拟多路转换器、A／D转换器等电路）集成到一块硅片上构成的一个小而完善的计算机系统。他体积小，成本低，功能强，广泛应用于智能产品和工业自动化上。而51单片机是各单片机中最为典型和最有代表性的一种。

摘要： 摘 要:本文对汽车中点火系统中的强干扰脉冲对只读存储器数据丢失的原因,以EEPROM为例,从只读存储器的内部结构分析了数据被破坏的原因.

摘要： 分析了结构化的测试生成对于只读存储器的建模需求,从提高测试生成的效率角度,建立含复杂数据的ROM简化模型,经过模型验证、测试生成及仿真实验表明,模型的使用在保证了故障覆盖率的前提下明显减少测试生成时间,更有助于生成有效的测试向量。

摘要： 本文探讨了kT28C010作为程序存储时需要考虑的内容，主要包括软硬停数据保护设计，EDAC使用方案设计，冗余备份和定时刷新等，适用于AT26C010作为程序存储和重要数据存储器件在宇航产品中的使用，同时其思路也可推广适用于其他EEPROM在宇航产品中的应用。

摘要： 本文探讨了kT28C010作为程序存储时需要考虑的内容，主要包括软硬停数据保护设计，EDAC使用方案设计，冗余备份和定时刷新等，适用于AT26C010作为程序存储和重要数据存储器件在宇航产品中的使用，同时其思路也可推广适用于其他EEPROM在宇航产品中的应用。

摘要： 本文探讨了kT28C010作为程序存储时需要考虑的内容，主要包括软硬停数据保护设计，EDAC使用方案设计，冗余备份和定时刷新等，适用于AT26C010作为程序存储和重要数据存储器件在宇航产品中的使用，同时其思路也可推广适用于其他EEPROM在宇航产品中的应用。

摘要： 本文探讨了kT28C010作为程序存储时需要考虑的内容，主要包括软硬停数据保护设计，EDAC使用方案设计，冗余备份和定时刷新等，适用于AT26C010作为程序存储和重要数据存储器件在宇航产品中的使用，同时其思路也可推广适用于其他EEPROM在宇航产品中的应用。

摘要： 该文在研究和分析了西德ITT公司数字电视机DIGIT2000系统中CCU控制作用的基础上，分析了与CCU配合工作的EEPROM的作用及特点，叙述了采用比较通用的TP-801型单板机读取EEPROMMDA2061/2062的方法，给出电路的方框图、程序流程图和部分打印结果。（本刊录）

摘要： 该文在研究和分析了西德ITT公司数字电视机DIGIT2000系统中CCU控制作用的基础上，分析了与CCU配合工作的EEPROM的作用及特点，叙述了采用比较通用的TP-801型单板机读取EEPROMMDA2061/2062的方法，给出电路的方框图、程序流程图和部分打印结果。（本刊录）

摘要： 该文在研究和分析了西德ITT公司数字电视机DIGIT2000系统中CCU控制作用的基础上，分析了与CCU配合工作的EEPROM的作用及特点，叙述了采用比较通用的TP-801型单板机读取EEPROMMDA2061/2062的方法，给出电路的方框图、程序流程图和部分打印结果。（本刊录）

摘要： 该文在研究和分析了西德ITT公司数字电视机DIGIT2000系统中CCU控制作用的基础上，分析了与CCU配合工作的EEPROM的作用及特点，叙述了采用比较通用的TP-801型单板机读取EEPROMMDA2061/2062的方法，给出电路的方框图、程序流程图和部分打印结果。（本刊录）

摘要： 本申请涉及一种只读存储器电路及其设计方法、只读存储器及电子设备，属于存储技术领域。该只读存储器电路设计方法包括：根据待存储的M行代码的重复情况设计单元阵列的行数，使得单元阵列的行数与M行代码去除重复代码后的行数N相同，其中M行代码中每一行代码对应一个唯一的读地址；根据M行代码的重复情况设计读字线驱动电路中的逻辑电路，使得读取相同代码的不同读地址对应的预译码信号均连接至同一个逻辑电路，并最终仅输出一个指向存储该相同代码的同一行单元阵列的读字线信号，从而使得读字线驱动电路仅包含N路逻辑电路。本申请实施例中，根据代码的重复性来精简电路，去掉冗余的电路，从而减小电路面积与功耗。

摘要： 本发明公开了一种只读存储器及其操作方法。所述只读存储单元包括主控制电路、电压移位器、字线驱动器、只读存储单元阵列以及输入输出电路，由两个电平的电源供电。电位较低的第一电源供电给主控制电路、甚至只读存储单元阵列漏极端以及输入输出电路。电位较高的第二电位供电给字线驱动器驱动该只读存储单元阵列栅极端。电压移位器则耦接于主控制电路与字线驱动器之间，作电压移位使用。本发明的只读存储器可避免传统低操作电压所产生的判读错误问题，并可享有低耗电的优点。

摘要： 本发明提供了一种双位氮化硅只读存储器制造方法及双位氮化硅只读存储器。根据本发明的双位氮化硅只读存储器制造方法包括：在硅片上形成底层氧化硅层；在底层氧化硅层上形成氮化硅层；在氮化硅层上形成阻挡氧化硅层；在阻挡氧化硅层上形成控制栅层；其中，氮化硅层包括富硅氮化硅层、以及位于富硅氮化硅层两侧的分别靠近源极和漏极的两个渐变氮化硅层，并且其中，在两个渐变氮化硅层中，在从底部氧化层到阻挡氧化层的方向上，硅含量逐渐减少，而氮含量逐渐增大。根据本发明，通过改进氮化硅只读存储器中氮化硅层的结构，阻挡电荷的横向移动，使过擦出现象减小甚至消除，同时防止了阈值电压的漂移，增强了器件的可靠性。

摘要： 本发明提供一种遮幕式只读存储器及包含该遮幕式只读存储器的内存，该遮幕式只读存储器包括：一存储单元阵列，包括多个字符线及多个存储单元，其中，字符线呈棋盘状排列，且存储单元具有对应的漏极；多个第一位线，平行存储单元阵列的对角线，位于漏极上方，其中，每一字符线两侧的漏极是与上方对应的位线分别导通及不导通；多个第二位线，平行存储单元阵列的对角线，位于漏极上方，其中，每一字符线两侧的漏极是与上方对应的位线分别导通及不导通；多个第三位线，用于连接第一位线；及多个第四位线，用于连接第二位线。

摘要： 一种用于启动没有只读存储器(ROM)的片上系统(SoC)的方法，其包括以下步骤：通过SoC所包括的处理器(10)接收(S1)重置信号，通过SoC所包括的监控组件监控(S2)处理器与至少非易失性存储器(11)之间的连接(12)，处理器与非易失性存储器两者都由SoC包括，在发生所述处理器通过连接首次读取访问(S3)所述非易失性存储器时，通过所述监控组件，检查(S4)响应于通过连接首次读取访问所返回的数据值(DV1)是否符合预设值，和如果所返回的数据值不同于所述预设值，通过所述监控组件，停止(55)所述处理器的操作。

摘要： 本申请涉及一种只读存储器电路及其设计方法、只读存储器及电子设备，属于存储技术领域。该只读存储器电路设计方法包括：根据待存储的M行代码的重复情况设计单元阵列的行数，使得单元阵列的行数与M行代码去除重复代码后的行数N相同，其中M行代码中每一行代码对应一个唯一的读地址；根据M行代码的重复情况设计读字线驱动电路中的逻辑电路，使得读取相同代码的不同读地址对应的预译码信号均连接至同一个逻辑电路，并最终仅输出一个指向存储该相同代码的同一行单元阵列的读字线信号，从而使得读字线驱动电路仅包含N路逻辑电路。本申请实施例中，根据代码的重复性来精简电路，去掉冗余的电路，从而减小电路面积与功耗。

摘要： 本发明提供了一种双位氮化硅只读存储器制造方法及双位氮化硅只读存储器。根据本发明的双位氮化硅只读存储器制造方法包括：在硅片上形成底层氧化硅层；在底层氧化硅层上形成氮化硅层；在氮化硅层上形成阻挡氧化硅层；在阻挡氧化硅层上形成控制栅层；其中，氮化硅层包括富硅氮化硅层、以及位于富硅氮化硅层两侧的分别靠近源极和漏极的两个渐变氮化硅层，并且其中，在两个渐变氮化硅层中，在从底部氧化层到阻挡氧化层的方向上，硅含量逐渐减少，而氮含量逐渐增大。根据本发明，通过改进氮化硅只读存储器中氮化硅层的结构，阻挡电荷的横向移动，使过擦出现象减小甚至消除，同时防止了阈值电压的漂移，增强了器件的可靠性。

摘要： 本发明公开了一种只读存储器及其操作方法。所述只读存储单元包括主控制电路、电压移位器、字线驱动器、只读存储单元阵列以及输入输出电路，由两个电平的电源供电。电位较低的第一电源供电给主控制电路、甚至只读存储单元阵列漏极端以及输入输出电路。电位较高的第二电位供电给字线驱动器驱动该只读存储单元阵列栅极端。电压移位器则耦接于主控制电路与字线驱动器之间，作电压移位使用。本发明的只读存储器可避免传统低操作电压所产生的判读错误问题，并可享有低耗电的优点。

摘要： 本发明适用于集成电路设计领域，提供了一种一次可编程只读存储器测试方法及一次可编程只读存储器，所述方法包括下述步骤：在所述一次可编程只读存储器所划分的每个存储模块中加入至少一个测试单元，以及用于测试的灵敏放大器和编程控制模块；将所述测试单元的字线和位线、地址输入引脚、数据输入/输出引脚、控制信号引脚、地址译码以及控制逻辑与所述一次可编程只读存储器存储单元的字线和位线、地址输入引脚、数据输入/输出引脚、控制信号引脚、地址译码以及控制逻辑复用；控制所述一次可编程只读存储器进入测试模式，比较所述测试单元的写入数据和读出数据，测试所述一次可编程只读存储器的功能。本发明能实现存储器功能和性能的完整测试，又不影响正常的存储单元。

摘要： 本发明公开了一种只读存储器结构及相应的只读存储器，涉及半导体器件结构。现有的只读存储器，对应每一个比特都需设置一个晶体管，只读存储器模块的尺寸较大。本发明的只读存储器结构，包括多晶硅层、两个布线层、一个晶体管和3n层金属，其中n为自然数；所述的3n层金属以堆叠的形式通过一组通孔依次连接，若将3n层金属从下到上依次标号为M