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Chemical vapor deposition reactor to grow diamond film by microwave plasma chemical vapor deposition

机译:化学气相沉积反应器通过微波等离子体化学气相沉积生长金刚石膜

摘要

A chemical vapor deposition (CVD) reactor includes a resonating cavity configured to receive microwaves. A microwave transparent window positioned in the resonating cavity separates the resonating cavity into an upper zone and a plasma zone. Microwaves entering the upper zone propagate through the microwave transparent window into the plasma zone. A substrate is disposed proximate a bottom of the plasma zone opposite the microwave transparent window. A ring structure, positioned around a perimeter of the substrate in the plasma zone, includes a lower section that extends from the bottom of the resonating cavity toward the microwave transparent window and an upper section on a side of the lower section opposite the bottom of the resonating cavity. The upper section extends radially toward a central axis of the ring structure. An as-grown diamond film on the substrate is also disclosed.
机译:化学气相沉积(CVD)反应器包括构造成接收微波的谐振腔。 位于谐振腔中的微波透明窗口将谐振腔分离成上部区域和等离子体区域。 进入上部区域的微波通过微波透明窗口传播到等离子区。 将基板设置在与微波透明窗口相对的等离子体区域的底部附近。 定位在等离子体区中的基板的周边周围的环结构包括下部,该下部从谐振腔的底部朝向微波透明窗口延伸,并且在与底部的下部的侧面的一侧上延伸 共振腔。 上部径向朝向环结构的中心轴线延伸。 还公开了基板上的生长金刚石膜。

著录项

  • 公开/公告号US11214871B2

    专利类型

  • 公开/公告日2022-01-04

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 II-VI DELAWARE INC.;

    申请/专利号US201916387042

  • 申请日2019-04-17

  • 分类号C23C16/511;C23C16/27;C30B29/04;C23C16/455;C30B25;C30B35;H01J37/32;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-24 23:11:20

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