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Methods of sketch-based memory management and memory devices utilizing the same

机译:利用相同的素描基础内存管理和存储器设备的方法

摘要

A memory device having a memory array with a plurality of memory addresses and a controller operably coupled to the memory array is described. The controller is configured to store a sketch comprising d rows and w columns, wherein d and w are positive integers. Each of the d rows corresponds to a different one of d hash functions. The controller is also configured to detect an event associated with a first memory address of the plurality of memory addresses and to hash the first memory address with each of the d hash functions to generate a corresponding d sketch locations. The controller is further configured to adjust, for each of the d sketch locations, a stored sketch value by a first amount corresponding to the event.
机译:描述具有具有多个存储器地址的存储器阵列的存储器阵列和可操作地耦合到存储器阵列的控制器。 控制器被配置为存储包括D行和W列的草图,其中D和W是正整数。 每个D行对应于D哈希函数中的不同之一。 控制器还被配置为检测与多个存储器地址的第一存储器地址相关联的事件,并与每个D哈希函数散列第一存储器地址以生成相应的D草图位置。 控制器还被配置为将存储的草图值中的每一个通过与事件对应的第一量来调整存储的草图值。

著录项

  • 公开/公告号US11199977B2

    专利类型

  • 公开/公告日2021-12-14

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 MICRON TECHNOLOGY INC.;

    申请/专利号US201816212540

  • 发明设计人 SAMUEL E. BRADSHAW;

    申请日2018-12-06

  • 分类号G06F3/06;G06F11/10;G06F12/02;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-24 22:47:53

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