首页> 外国专利> Method of correcting an error in a memory array in a DRAM during a read operation and a DRAM

Method of correcting an error in a memory array in a DRAM during a read operation and a DRAM

机译:在读取操作期间在梦中校正内存阵列中的错误的方法和DRAM

摘要

A method of correcting an error in a memory array in a DRAM during a read operation, wherein the memory array includes a data array and an ECC array, the method comprising: reading data from the memory array; when the data contains one or more erroneous data bits, correcting the erroneous data bits by an ECC decoding and correcting module in the DRAM; registering only corrected erroneous data bits and their positions in a register; controlling a plurality of write drivers in the DRAM by the register so as to write only the corrected erroneous data bits back to the memory array.
机译:一种在读取操作期间在DRAM中校正存储器阵列中的误差的方法,其中存储器阵列包括数据阵列和ECC阵列,该方法包括:从存储器阵列读取数据;当数据包含一个或多个错误数据位时,通过ECC解码和DRAM校正模块校正错误数据位;仅注册校正错误的错误数据位及其在寄存器中的位置;通过寄存器控制DRAM中的多个写驱动器,以便仅将校正的错误数据位写回存储阵列。

著录项

  • 公开/公告号US10949294B2

    专利类型

  • 公开/公告日2021-03-16

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 XIAN UNIIC SEMICONDUCTORS CO. LTD.;

    申请/专利号US201815982235

  • 发明设计人 ALESSANDRO MINZONI;

    申请日2018-05-17

  • 分类号G06F11;G06F11/10;G11C11/4091;G11C29/42;G11C29/52;G11C29/04;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-24 17:42:59

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
  • 中文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号