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Laminated structure, semiconductor device and semiconductor system

机译:层压结构,半导体器件和半导体系统

摘要

SubjectThe purpose of this invention is to provide a stacked structure having a crystalline oxide film having a beta Gaia structure which is excellent in mobility and is thermally stable and suitable for semiconductor devices.SolutionA multilayer structure having a substrate and a crystalline oxide film having a. Beta. - galvanic structure, wherein the substrate is a single crystal substrate mainly composed of lithium tantalate, and the crystalline oxide film contains dopants and whose mobility is 30 cm. Sup. 2 / vs or more.Diagram
机译:主题本发明的目的是提供一种堆叠结构,其具有具有β的GaIa结构的晶体氧化物膜,其迁移率优异并且是热稳定的并且适用于半导体器件。解决方案具有基板的多层结构和具有a的结晶氧化物膜。 β。 - 电镀结构,其中基板是主要由钽酸锂组成的单晶衬底,结晶氧化物膜含有掺杂剂并且其迁移率为30cm。 sup。 2 / vs或更多。图表

著录项

  • 公开/公告号JP2021038112A

    专利类型

  • 公开/公告日2021-03-11

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 信越化学工業株式会社;

    申请/专利号JP20190159966

  • 发明设计人 坂爪 崇寛;橋上 洋;渡部 武紀;

    申请日2019-09-02

  • 分类号C30B29/16;C30B25/18;C23C16/40;C23C16/01;H01L21/368;H01L21/365;

  • 国家 JP

  • 入库时间 2022-08-24 17:40:24

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