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3D PRINTING OF FULLY DENSE AND CRACK FREE SILICON WITH SELECTIVE LASER MELTING/SINTERING AT ELEVATED TEMPERATURES

机译:3D印刷完全密集的裂缝自由硅,选择性激光熔化/烧结在升高的温度下

摘要

In a fully dense printing method, a plurality of buffer layers of silicon are initially printed on a steel substrate, and then layers of silicon for the actual component are printed on top of the buffer layers using a double printing method. In a fully dense and crack free printing method, one or more heaters and thermal insulation are used to minimize temperature gradient during Si printing, in-situ annealing, and cooling.
机译:在完全致密的印刷方法中,最初印在钢基板上的多个硅的缓冲层,然后使用双印刷方法在缓冲层的顶部上印刷用于实际部件的硅层。在完全致密的和裂缝的游离印刷方法中,一个或多个加热器和隔热绝缘材料用于在Si印刷期间最小化温度梯度,原位退火和冷却。

著录项

  • 公开/公告号WO2021041110A1

    专利类型

  • 公开/公告日2021-03-04

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 SILFEX INC.;

    申请/专利号WO2020US46967

  • 发明设计人 CHEN JIHONG;SONG YI;NITHIANANTHAN VIJAY;

    申请日2020-08-19

  • 分类号B28B1;B33Y10;B33Y70;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-24 17:32:16

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