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Method for influencing the crystallization from a melt of half conductor reason the fabric of the stages - drawing methods with the use of the peltier block - effect

机译：影响半导体熔体结晶的方法，原因在于阶段的结构-使用珀耳帖嵌段效应的拉伸方法-效果

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公开/公告号DE1105621B

专利类型
公开/公告日1961-04-27

原文格式PDF
申请/专利权人 SIEMENS AG;
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申请/专利号DE1955S042354
发明设计人 DORENDORF DR HEINZ;
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申请日1955-01-13
分类号B29C65/00;B29C65/12;C30B13/16;C30B15/18;G04C11/00;
国家 DE
入库时间 2022-08-23 18:35:57

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