首页> 外国专利> The process in order to influence the growth of crystals semi - thin conductors, the crystalline structure, reaches a high degree of perfection

The process in order to influence the growth of crystals semi - thin conductors, the crystalline structure, reaches a high degree of perfection

机译:为了影响晶体生长的过程,半细导体的晶体结构达到了很高的完美度

摘要

机译:

著录项

  • 公开/公告号FR1440528A

    专利类型

  • 公开/公告日1966-05-27

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 SIEMENS AG;SIEMENS & HALSKE AKTIENGESELLSCHAFT;

    申请/专利号FR19650025267

  • 发明设计人

    申请日1965-07-20

  • 分类号C30B25;

  • 国家 FR

  • 入库时间 2022-08-23 14:51:28

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