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Fabrication of insulated-gate field-effect transistors and transistor so fabricated

机译:绝缘栅场效应晶体管的制造及其制造方法

摘要

机译:

著录项

  • 公开/公告号GB1118265A

    专利类型

  • 公开/公告日1968-06-26

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION;

    申请/专利号GB19660016856

  • 发明设计人

    申请日1966-04-18

  • 分类号H01L27/088;H01L21;H01L21/22;H01L21/316;H01L21/8234;H01L21/8236;H01L29;H01L29/78;

  • 国家 GB

  • 入库时间 2022-08-23 13:01:20

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