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机译:氧化物Geiso的制造方法教导了垂直双极激发和复合氧化物隔离的横向双极激发。
公开/公告号NL7512333A
专利类型
公开/公告日1976-05-04
原文格式PDF
申请/专利权人 FAIRCHILD CAMERA AND INSTRUMENT CORPORATION TE MOUNTAIN VIEW CALIFORNIE VER. ST. V. AM.;
申请/专利号NL19750012333
发明设计人
申请日1975-10-21
分类号H01L21/72;H01L21/74;H01L21/76;H01L29/70;
国家 NL
入库时间 2022-08-23 02:49:51
机译: 制造氧化物隔离的垂直双极晶体管和互补氧化物隔离的横向双极晶体管的组合方法及所得结构
机译: 制备氧化物隔离的垂直双极晶体管和互补氧化物隔离的双侧双极晶体管及其结果结构
机译: 一种由cmos,双极垂直激励和二极管组成的Halfgeleiderinrichting激励的制造方法。