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机译:一种提高硅晶体管抗辐射能力的方法-氧化硅覆盖层
公开/公告号DE000002235069C3
专利类型
公开/公告日1977-01-20
原文格式PDF
申请/专利权人
申请/专利号DE2235069A
发明设计人
申请日1972-07-17
分类号H01L21/263;
国家 DE
入库时间 2022-08-23 00:10:40
机译: 一种提高硅晶体管抗辐射能力的方法-氧化硅覆盖层
机译: 用氧化硅覆盖层提高硅晶体管的电流放大率和辐射电阻的方法