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A method for improving the radiation resistance of silicon transistors - cover layer with silicon oxide

机译:一种提高硅晶体管抗辐射能力的方法-氧化硅覆盖层

摘要

机译:

著录项

  • 公开/公告号DE000002235069C3

    专利类型

  • 公开/公告日1977-01-20

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人

    申请/专利号DE2235069A

  • 发明设计人

    申请日1972-07-17

  • 分类号H01L21/263;

  • 国家 DE

  • 入库时间 2022-08-23 00:10:40

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