改变非晶态磁性薄层的易磁化方向的方法& &所述层在无氧气氛中进行退火,并且由选自氩,氖,k和氙的气体组成,该气体的温度低于构成该层的合金的结晶温度。 p> & &应用到泡沫记忆中。 p>
公开/公告号DE2833891A1
专利类型
公开/公告日1979-02-15
原文格式PDF
申请/专利号DE19782833891
发明设计人 KRISHNAN RAMANATHAN FR;SURAN GABOR FR;MEYER ROBERT FR;SZTERN JACQUES FR;JOUVE HUBERT FR;TESSIER MICHEL FR;
申请日1978-08-02
分类号G11B5/62;G11B5/84;B05D5/12;H01F10/00;C23C7/00;G11C11/14;
国家 DE
入库时间 2022-08-22 19:44:28