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Passive power limiter using semiconductors realised in a striplike configuration, and microwave circuit using such a limiter

机译:使用以条状构造实现的半导体的无源功率限制器,以及使用这种限制器的微波电路

摘要

The passive limiter is formed by at least two parallel micro-strip lines, a slot line orthogonal to the two micro-strip lines and a pair of diodes having the same polarity and placed on each edge of the slot line facing one another, the assembly of these three lines and the diodes forming at least two micro-strip line-slot line transitions.
机译:无源限制器由至少两条平行的微带线,一条与两条微带线正交的缝线以及一对极性相同且放置在缝线彼此相对的边缘上的二极管形成,该组件这三条线中的至少一个与二极管形成至少两个微带线-缝线转换。

著录项

  • 公开/公告号EP0023873B1

    专利类型

  • 公开/公告日1983-09-21

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 THOMSON-CSF;

    申请/专利号EP19800401142

  • 发明设计人 SILLARD GILLES;BARIL MICHEL;

    申请日1980-08-01

  • 分类号H03G11/02;

  • 国家 EP

  • 入库时间 2022-08-22 10:34:27

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