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High performance and gate having an 'natural' or zero threshold transistor for providing a faster rise time for the output

机译:高性能和栅极具有“自然”或零阈值晶体管,可为输出提供更快的上升时间

摘要

A "natural" threshold device is serially connected between the gate of an output depletion mode FET device and the input node to an FET device so as to provide current flow from the input node to the gate of the FET device as the input waveform begins to rise, and yet to provide sufficient resistance in the gate circuit of the depletion mode device so as to prevent backward flow of current from the gate as the potential of the output node rises. This increases the conductivity of the output load device, thereby providing a faster rise time for the output waveform.
机译:“自然”阈值设备串联连接在输出耗尽型FET设备的栅极与FET设备的输入节点之间,以便在输入波形开始向FET设备提供电流时,从输入节点流向FET设备的栅极。上升,但仍要在耗尽型器件的栅极电路中提供足够的电阻,以防止当输出节点的电位上升时电流从栅极反向流过。这增加了输出负载设备的电导率,从而为输出波形提供了更快的上升时间。

著录项

  • 公开/公告号US4525640A

    专利类型

  • 公开/公告日1985-06-25

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 IBM CORPORATION;

    申请/专利号US19830481033

  • 发明设计人 DANIEL J. KOUBA;DAVID H. BOYLE;

    申请日1983-03-31

  • 分类号H03K19/017;H03K19/094;H03K17/04;H03K17/693;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-22 07:52:24

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