首页> 外国专利> Method for manufacturing InGaAsP and InGaAs double-heterostructure lasers and LED's for the wavelength range from 1.2 um to 1.7 um by liquid-phase epitaxy

Method for manufacturing InGaAsP and InGaAs double-heterostructure lasers and LED's for the wavelength range from 1.2 um to 1.7 um by liquid-phase epitaxy

机译：通过液相外延制造波长范围为1.2um至1.7um的InGaAsP和InGaAs双异质结构激光器和LED的方法

页面导航

摘要
著录项
相似文献

摘要

the invention concerns a method for the production of doppelheterostruktur - ingaasp / inp or ingaas / inp lasers and led's through the lpe, up to a wavelength of a.= 1.7 microns to emit optical rad

机译：本发明涉及一种用于制造多普勒异结构激光器的方法，该方法包括：Ingaasp / Inp或Ingaas / Inp激光器，并引导通过lpe，直至波长a。= 1.7微米以发射光辐射。

著录项

公开/公告号EP0164093A2

专利类型
公开/公告日1985-12-11

原文格式PDF
申请/专利权人 SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT;AEG AKTIENGESELLSCHAFT;TELEFUNKEN ELECTRONIC GMBH;
展开▼

申请/专利号EP19850106849
发明设计人 KUPHAL ECKART DR.;BURKHARD HERBERT DR.;
展开▼

申请日1985-06-03
分类号H01L33/00;H01S3/19;
国家 EP
入库时间 2022-08-22 07:36:18

相似文献

专利
外文文献
中文文献