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W-band microstrip oscillator using gunn diode

机译:使用冈恩二极管的W波段微带振荡器

摘要

A microstrip oscillator (16) uses a Gunn diode (36) as its active element for operation in the W-Band. A microstrip shunt resonator (28) is dimensioned to resonate the Gunn diode at either its fundamental frequency or second harmonic frequency while a matching circuit, including a quarter wavelength transformer (158) and a coupled microstrip transformer (62), is employed to match the complex impedance of the Gunn diode device to the load. A radial hat (54) on the Gunn diode (36) effetively prevents radiation of electromagnetic energy from the system to thereby maximize the energy delivered to the load while, at the same time, functioning as a transformer element.
机译:微带振荡器(16)使用耿氏二极管(36)作为其有源元件,用于在W波段中操作。微带分路谐振器(28)的尺寸设计成能使Gunn二极管以其基频或二次谐波频率谐振,同时采用包括四分之一波长变压器(158)和耦合微带变压器(62)的匹配电路来匹配。耿氏二极管器件对负载的复阻抗。耿氏二极管(36)上的径向帽(54)有效地防止了来自系统的电磁能辐射,从而使传递到负载的能量最大化,同时又充当了变压器元件。

著录项

  • 公开/公告号EP0330104A3

    专利类型

  • 公开/公告日1990-08-08

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 HONEYWELL INC.;

    申请/专利号EP19890102851

  • 发明设计人 SINGH DONALD R.;

    申请日1989-02-18

  • 分类号H03B9/14;

  • 国家 EP

  • 入库时间 2022-08-22 06:14:05

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