首页> 外国专利> Arrangement for reducing the piezo effects in a semiconductor material that contains at least one piezo effect-sensitive electric device, and method of making the same

Arrangement for reducing the piezo effects in a semiconductor material that contains at least one piezo effect-sensitive electric device, and method of making the same

机译:用于减少包含至少一个压电效应敏感电子器件的半导体材料中的压电效应的装置及其制造方法

摘要

1. An arrangement for reducing piezoelectric effects in at least one piezoelectric effect-sensitive electrical component (3) arranged in a semiconductor material (1), wherein the semiconductor material (1) is mounted along a support surface on a carrier material (2), characterised in that only a part of the semiconductor material (1) is occupied by the piezoelectric effect-sensitive electrical component (3) or the piezoelectric effect-sensitive electrical components (3) and that there is an intermediate space (4) between said part of the semiconductor material (1) and the associated part of the carrier material (2).
机译:1.一种用于减小布置在半导体材料(1)中的至少一个压电效应敏感电子部件(3)中的压电效应的装置,其中,半导体材料(1)沿着支撑表面安装在载体材料(2)上。 ,其特征在于,仅半导体材料(1)的一部分被压电效应敏感电子部件(3)或压电效应敏感电气部件(3)占据,并且在所述半导体材料之间(1)之间存在中间空间(4)。半导体材料(1)的一部分和载体材料(2)的相关部分。

著录项

  • 公开/公告号EP0342274B1

    专利类型

  • 公开/公告日1990-08-08

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 LANDIS & GYR BETRIEBS AG;

    申请/专利号EP19880121333

  • 发明设计人 RADIVOJE POPOVIC;BEAT HALG;

    申请日1988-12-21

  • 分类号H01L43/04;G01L1/18;

  • 国家 EP

  • 入库时间 2022-08-22 06:14:04

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
  • 中文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号