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Method of treating semiconductor wafers in a magnetically confined plasma at low pressure by monitoring peak to peak voltage of the plasma

机译:通过监测等离子体的峰峰值电压在低压下在磁约束等离子体中处理半导体晶片的方法

摘要

In a magnetically confined plasma, optimal pressure is found by measuring the peak to peak voltage of the plasma and looking for a distinct minimum in the peak to peak voltage. The pressure at which the minimum occurs can be used to calibrate a manometer used in the system.
机译:在磁约束等离子体中,可以通过测量等离子体的峰峰值电压并在峰峰值电压中寻找明显的最小值来找到最佳压力。发生最小值的压力可用于校准系统中使用的压力计。

著录项

  • 公开/公告号US4960610A

    专利类型

  • 公开/公告日1990-10-02

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 TEGAL CORPORATION;

    申请/专利号US19890434197

  • 发明设计人 OLE KROGH;

    申请日1989-11-13

  • 分类号B05D3/06;H01L21/306;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-22 06:06:51

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