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Wavelength-sensitive detectors based on absorbers in standing waves

机译:基于驻波中吸收体的波长敏感探测器

摘要

An optoelectronic detector includes multilayered semiconductor structures (107) that are placed at particular positions in a standing wave pattern in order to measure the intensity of the light beams passing through said structures' layers. The detector is made sensitive to particular wavelengths by either changing the light beams intensity or varying the absorbance of the layers.
机译:光电检测器包括多层半导体结构(107),该多层半导体结构以驻波图样放置在特定位置,以便测量穿过所述结构层的光束的强度。通过改变光束强度或改变层的吸收率,使检测器对特定波长敏感。

著录项

  • 公开/公告号EP0622856A1

    专利类型

  • 公开/公告日1994-11-02

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 AT&T CORP.;

    申请/专利号EP19940302783

  • 发明设计人 MILLER DAVID ANDREW BARCLAY;

    申请日1994-04-20

  • 分类号H01L31/0352;H01L31/0232;H01L31/105;

  • 国家 EP

  • 入库时间 2022-08-22 04:38:28

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